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度亙核芯發布 1310nm 70mW DFB激光芯片:以全棧自主技術,筑牢高速光通信“中國芯”根基

度亙激光技術(蘇州)有限公司 ? 2025-09-08 09:04 ? 次閱讀
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在數字經濟加速滲透的當下,算力與光互聯的協同演進成為產業升級的核心驅動力,而光模塊的性能突破,始終依賴于核心光源芯片的技術迭代。作為國內高端半導體激光芯片領域的領軍企業,度亙核芯依托全流程自主可控的FAB工藝平臺,成功推出全國產化新一代1310nm單模DFB(分布式反饋)激光芯片及其COS封裝產品,從芯片設計、外延生長、工藝制備到規模化量產實現全流程自主可控,其核心優勢包括:非制冷70mW高功率、高效率輸出、單縱模高穩定性激光,為數據中心互連、光子計算等關鍵場景提供 “國產替代、性能領先” 的光源解決方案,助力中國光通信產業鏈向上突破。

應用背景

無處不在的光聯接

錨定光互聯核心需求

1310nm 波段作為光纖通信 O 波段的“黃金窗口”,兼具低傳輸損耗、近零色散特性,是中短距離高速數據傳輸的最優選擇之一。隨著數據中心向400G/800G甚至1.6T速率演進,光模塊對光源芯片提出了“高功率、低功耗、窄線寬、高穩定”的嚴苛要求——既要支撐高密度算力實時交互,又要適配數據中心低能耗部署需求。

度亙核芯1310nm DFB激光芯片精準錨定這一需求,憑借其高穩定、單縱模特性(邊模抑制比≥40dB),完美匹配硅光模塊對光源的高兼容性要求,成為高端光模塊的“核心心臟”,為光互聯網絡的穩定高速運轉注入“中國動力”。

產品特點

四大指標領跑行業

賦能高端光模塊

度亙核芯1310nm CW DFB 70mW產品是一款專為硅光光源、數據中心等應用設計的高功率半導體激光芯片,可在25~75℃溫度范圍內達到70mW的出光功率,采用掩埋異質結(BH)結構,具有低閾值、對稱遠場發散角、高電光轉換效率、高耦合效率的優勢。在功率、效率、穩定性等維度實現全面突破:

?

寬溫輸出功率:在25~75℃的整個工作溫度范圍內,芯片均可穩定輸出70mW的高功率;

?

低閾值電流:在25℃,閾值電流低至10mA, 芯片待機功耗降低 30%,延長使用壽命;

?

高電光轉換效率:電光轉換效率(室溫下達36%)與斜率效率(25℃時0.48W/A)均達到行業領先水平,顯著降低模塊待機功耗與散熱壓力,適配數據中心高密度部署需求;

?

對稱遠場發散角:遠場發散角對稱分布,與光纖、透鏡耦合效率提升,簡化光模塊光學設計。

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1310 CW DFB 70mW COS的L-I特性曲線

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1310 CW DFB 70mW COS 25℃下的光譜曲線

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1310 CW DFB 70mW COS 75℃下的光譜曲線

緊跟硅光/CPO趨勢

搶占下一代光通信技術高地

隨著硅光集成、CPO(共封裝光學)等新技術加速落地,光通信正朝著800G、1.6T乃至更高帶寬演進,對激光芯片的“小型化、低功耗、高集成”提出更高要求。看似微小的1310nm DFB激光芯片與COS封裝技術,實則是現代光網絡不可或缺的基礎。在萬物互聯的時代,作為光通信產業鏈的“上游核心”,度亙核芯將持續創新,深耕于光的細微之處,,讓“中國芯”支撐起全球數字網絡的高速運轉。

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