近日，博世汽車電子中國區在蘇州五廠建成了SiC功率模塊生產基地，并于2025年1月成功下線首批產品。

SiC功率模塊本地化生產項目團隊 圖/博世汽車電子

博世表示，盡管本地缺乏SiC模塊生產的相關經驗，但項目團隊僅用兩個月便實現了自主生產，較原計劃提前半年完成首批產品下線。

這一突破標志著博世在碳化硅領域的布局邁出了重要一步。

搶占全球最大市場 SiC帝國加速擴張

作為第三代半導體材料的典型代表，SiC半導體以其體積小、效率高、功率密度大的顯著優勢，在新能源汽車領域展現出巨大的應用潛力。

QYResearch數據顯示，2023年全球車規級SiC功率模組市場銷售額達到125億元，預計到2030年將增長至657.1億元，年復合增長率(CAGR)為24.1%(2024-2030)。

這一快速增長的市場吸引了全球領先企業的積極參與，其中博世便是典型代表。

早在2019年，博世便宣布推進SiC相關業務。近年來，其在全球范圍內取得了顯著進展：

2021年，博世在德國羅伊特林根工廠投產了基于6英寸SiC晶圓的車規級芯片(目前正在生產基于8英寸晶圓的SiC芯片樣品)。

同年，博世在德國德累斯頓的晶圓廠落成，重點制造12英寸晶圓的MEMS芯片，進一步擴大了其在半導體領域的生產能力。

2023年，博世收購了美國羅斯威爾芯片工廠，為其SiC業務的全球化布局奠定了基礎。

博世羅斯威爾晶圓廠 圖/博世汽車電子

2024年，博世獲得美國政府補貼，計劃對羅斯威爾芯片工廠進行改造，專注于8英寸SiC功率半導體的生產及產能提升，從而降低SiC器件成本。

而在中國這一全球最大的新能源汽車市場(2024年，中國新能源汽車產銷分別達到1288.8萬輛和1286.6萬輛，同比分別增長34.4%和35.5%)，博世自然不會缺席：

2022年，博世與天岳先進簽署了SiC材料供應的長期協議，確保了關鍵原材料的穩定供應。

同年，博世控股子公司聯合汽車電子啟動了太倉工廠二期項目建設，專注于新一代SiC功率模塊的生產。

此外，博世還與廣汽埃安、芯聚能簽署了三方戰略合作協議，全面啟動在SiC電驅系統業務上的合作，進一步鞏固了其在新能源汽車產業鏈中的地位。

2023年，博世投資超10億美元，在蘇州建設新能源汽車核心部件及自動駕駛研發制造基地(蘇州第五廠)。

博世蘇州五廠 圖/博世蘇州

其中，SiC功率模塊生產基地的落成，不僅提升了博世在全球SiC功率模塊制造領域的影響力，還顯著增強了其在中國市場的響應速度。

通過全球布局與本土化戰略的結合，博世進一步鞏固了其在SiC領域的競爭力，為其在新能源汽車市場的持續領先地位奠定了堅實基礎。

發揮溝槽技術優勢 搶占8英寸高地

博世在SiC功率模塊領域的發力，主要得益于兩大核心優勢：

獨特的業務整合能力：SiC功率模塊主要應用于汽車市場。

博世集團集汽車系統和半導體業務于一體，這種垂直整合模式在整個市場中具有顯著優勢，能夠更好地滿足新能源汽車對高性能功率半導體的需求。

領先的溝槽技術： 博世憑借其專利的溝槽技術，在碳化硅芯片性能上實現了重大突破。

例如，其第二代SiC芯片采用了溝槽工藝，使pitch size降低了30%，單位面積的Rdson減少了30%，Rdsonsp也進一步優化。相關產品成功應用于小米SU7單電機版的400V電壓平臺等車型中。

博世SiC MOSFET 圖/博世汽車電子

這些優勢為博世在SiC功率模塊領域的持續發力奠定了堅實基礎。

從整個行業來看，根據Wolfspeed報告，8英寸SiC襯底裸片數量比6英寸提高了近90%，邊緣裸片數量占比從14%降低至7%。

然而，TrendForce集邦咨詢研究數據表明，目前8英寸的產品市占率不到2%，但預測2027年市場份額將成長到20%左右。

目前，博世8英寸樣品已交付客戶，并獲得了積極反饋。

其美國羅斯威爾工廠預計于2026年投產，屆時將與其他工廠協同合作，形成靈活高效的供應體系，進一步鞏固博世在SiC功率模塊領域的領先地位。

小結

新能源汽車的快速發展為SiC功率模塊帶來了廣闊的市場前景。作為行業領先企業，博世加碼布局SiC功率模塊，有望進一步提升其競爭力。

然而，當前SiC產業競爭日趨激烈。功率器件巨頭如意法半導體、英飛凌、士蘭微、方正微電子等，都在積極推進8英寸晶圓轉型，通過降本增效來增強市場競爭力。

在這一背景下，博世要想在激烈的市場競爭中脫穎而出，仍需持續加大技術創新和產能布局的投入，以鞏固其行業領先地位。

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審核編輯 黃宇