不同于HBM垂直堆疊，英特爾新型內存ZAM技術采用交錯互連拓撲結構
不同于HBM垂直堆疊，英特爾新型內存ZAM技術采用交錯互連拓撲結構
據日本媒體PCWatch報道，英特爾在2026年日本英特爾連接大會（Intel Connection Japan 2026）上，首次正式全面介紹了ZAM技術，其核心重點的是Z型角架構如何緩解現有解決方案面臨的性能與散熱限制。
這款內存解決方案的核心亮點的是采用了交錯互連拓撲結構,該結構將裸片堆疊內部的連接線路設計為對角線分布，而非傳統的垂直向下鉆孔連接。這款以內存為核心的項目，旨在進軍HBM市場并參與競爭。
目前，關于Z型角內存項目相較于HBM的具體表現，已有多項相關說法，但在初期討論中，有望看到以下幾方面的提升，包括功耗降低40%-50%,通過Z型角互連簡化制造流程，單芯片更高存儲容量（最高512GB）。
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