為進一步滿足消費電子和工業設備的電源提出的更高節能要求，以實現社會的可持續發展，羅姆開發出集650V GaN HEMT和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。

在第三代半導體領域，碳化硅和氮化鎵都是目前比較熱門的材料代表。以氮化鎵材料應用為例，隨著5G和PD適配器的普及，市場需求增加，氮化鎵廣泛應用于小體積、高性價比的PC、手機等快充應用領域。近年來，市場也對消費電子和工業設備的電源提出了更高的節能要求，以實現社會的可持續發展。

為了順應這一市場需求，羅姆開發出集650V GaN HEMT和柵極驅動用驅動器等于一體的Power Stage IC“BM3G0xxMUV-LB”(BM3G015MUV-LB、BM3G007MUV-LB)。該產品可以替代現有的Si MOSFET，從而使器件體積減少99%，功率損耗降低55%，對減少數據服務器等工業設備和AC適配器等消費電子設備的體積及損耗非常有效。

7月19日，羅姆“2023年媒體交流會暨產品發布會”上，嗶哥嗶特商務網了解到，該新產品具有以下三個特點：

特點1：支持各種一次側電源電路。Power Stage IC驅動的范圍寬、啟動時間短，可應用于各種各樣的AC-DC的電路中，并且傳輸延遲時間也大幅縮短，僅延遲11納秒到15納秒，整個環路設計更加簡易，可廣泛應用于反激式及交錯式AC-DC和圖騰等。

特點2：進一步降低功耗。在導通損耗影響不大的情況下，相比Si MOSFET，Power Stage IC單體大幅度減少55%，相比普通產品，Power Stage IC仍可以做到減少約20%的損耗。

特點3：應用產品可進一步小型化。元器件數量上，普通產品是使用9個相關元器件，而Power Stage IC使得驅動方式進一步簡化，外置Power Stage IC相關元器件數量只需1個。

Power Stage IC將柵極驅動器和GaN HEMT以8×8mm的VQFN一體化封裝。這兩者將FET性能最大化，GnA決定效率值，組合在一起便可以實現高速開關，更加充分地發揮氮化鎵器件的性能。

柵極驅動器通過內置電壓范圍接口，使原來驅動電壓要求可以達到5V-30V。不影響速度的情況下，Power Stage IC擁有能夠控制EMI的技術，以及相應的電源、溫度保護等電路構成，可簡易地把氮化鎵器件替代到現有方案中去，且不需要大幅調整驅動電壓，擔心噪聲影響，大大減少設計工程師的工時。

目前，該新產品有兩款型號：BM3G007MUV-LB和BM3G015MUV-LB，其導通電阻分別是70毫歐和150毫歐。此外，Power Stage IC還備有三款評估板，一款是BM3G007MUV-EVK-002，用來評估芯片的整體方案性能，另外兩款BM3G007MUV-EVK-003和BM3G015MUV-EVK-003，可移植到客戶現有方案進行測試。

另外，EcoGaN?是羅姆專門為氮化鎵器件申請的商標，其系列器件助力應用產品的效率提升和小型化。我們可以看到，羅姆不僅致力于元器件的開發，進一步提高器件的性能，而且還與業內相關企業積極建立戰略合作伙伴關系并推動聯合開發，持續為解決社會問題貢獻力量。

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審核編輯 黃宇