2024年，伴隨著人工智能創新浪潮的蓬勃發展，全球半導體需求顯著回暖。為此，各大晶圓廠紛紛加快了芯片的生產節奏，以滿足下一代技術進步所需的龐大計算能力。

在這場如旋風般迅猛發展的浪潮中，SK海力士脫穎而出，成為市場的佼佼者。在這一年中，公司不僅成功克服了諸多挑戰，更在塑造半導體行業未來的進程中發揮了至關重要的作用。本文將通過回顧SK海力士今年的8個重要事件，重溫高管們的見解，并重點展示公司在面向人工智能存儲器市場、業務投資及可持續發展等領域所取得的顯著進展。

投資里程碑：

印第安納州先進封裝生產基地達成協議，生產下一代面向AI的存儲器

SK海力士今年4月宣布投資38.7億美元，在美國印第安納州建立先進封裝生產基地，并將配備領先的生產線，專門用于批量生產下一代HBM1以及未來幾代芯片產品。項目建成后，將顯著增強全球半導體供應鏈，以積極應對全球對面向人工智能的存儲器產品需求激增的挑戰。

1高寬帶存儲器（HBM，High Bandwidth Memory）：一種高附加值、高性能存儲器，可將多個DRAM芯片通過硅通孔技術（TSV）垂直互聯。

8月，SK海力士與美國商務部簽署了一份條款備忘錄，確保獲得大量資金和其他財務激勵，該項目的勢頭進一步增強，這一舉措彰顯了公司致力于建立人工智能技術新中心的決心和承諾。

SK海力士CEO郭魯正表示：”我們很高興成為業內首家在美國建立面向人工智能產品的先進封裝設施的企業。該生產基地將顯著增強供應鏈的韌性，并推進我們實現提供無與倫比功能、專為面向AI設計存儲芯片的這一宏偉目標。”

突破瓶頸：

全球首款12層堆疊HBM3E率先量產

自2013年推出全球首款HBM以來，SK海力士在每一次產品迭代中不斷突破內存性能的極限。2024年9月，SK海力士正式啟動全球首款12層HBM3的量產，這一里程碑式的進展標志著其在HBM領域探索的新篇章。12層HBM3E不僅擁有現有HBM系列產品中的最高容量（36GB），更以業界領先的速度脫穎而出，經過優化，其卓越性能能夠充分滿足人工智能應用日益增長的需求。

SK海力士AI Infra擔當金柱善社長在評論這一成為2024年新聞室點擊量最高的報道時，深刻強調了這一突破的重要性。

他表示：”我們再次突破了技術壁壘，證明了我們在面向AI的存儲器市場中獨一無二的主導地位。為了迎接AI時代的挑戰，我們將穩步準備下一代存儲器產品，以鞏固‘全球頂級面向AI的存儲器供應商’的地位。”

在這一積極勢頭的基礎上，公司目前正在研發16層HBM3E，預計將帶來更高的帶寬，并為人工智能的進一步發展奠定堅實基礎。

促進增長：

韓國龍仁半導體集群投資

隨著SK海力士不斷探索以滿足日益增長的面向人工智能的存儲器市場需求，龍仁半導體集群有望成為其長期發展的堅實基石。今年7月，公司承諾投入約9.4萬億韓元（67億美元），用于建設該項目的首座廠房和業務設施。SK海力士將在該基地建設四座下一代半導體先進廠房和一座半導體合作園區，該基地最終將成為“全球面向AI的半導體生產基地”。

SK海力士制造技術擔當金永式副社長強調了該集群在公司未來發展中的舉足輕重的作用。

他表示：“龍仁集群將成為SK海力士中長期發展的基礎和創新之地，同時大幅提升韓國半導體技術和生態系統的競爭力。”

首座工廠將專注于生產包括HBM在內的先進DRAM產品，并計劃在首座廠房內建造“迷你工廠”2，以助力當地小型企業的技術創新與發展。

2迷你工廠（Mini Fab）：具備300毫米晶圓工藝設備，可以驗證半導體材料、零部件、設備等的研究設施

加強SSD產品陣容：

為數據中心開發PEB110

9月，SK海力士通過開發出適用于數據中心的高性能固態硬盤（SSD）PEB110，再次鞏固了旗下SSD產品陣容。這款開創性的固態硬盤基于公司的238層4D NAND技術，性能較上一代產品提升一倍，能效提升了30%以上。隨著人工智能和大數據應用領域對尖端固態硬盤解決方案需求的迅猛增長，PEB110應運而生，專為滿足大規模云計算和數據中心的需求而設計。

SK海力士NAND閃存解決方案委員會安炫副社長表示：“展望未來，我們將繼續推進客戶驗證及量產流程，在持續增長的數據中心SSD市場需求中，鞏固全球頂級面向AI的存儲器供應商領導者地位。”

繼公司超高速DRAM產品取得成功后，此新聞的發布進一步鞏固了其在NAND解決方案領域的領先地位。

存儲革命：

業界首款321層NAND閃存實現量產

SK海力士持續引領創新記錄，于11月宣布其全球首款321層4D NAND閃存已正式進入批量生產階段。這一里程碑式的成就不僅彰顯了SK海力士在堆疊技術領域的重大突破，更是公司首次成功推出300層以上的NAND閃存解決方案。與上一代產品相比，321層NAND閃存具有更高的速度和能效，能夠有效應對日益增長的人工智能應用需求。

這項成就鞏固了公司在面向AI的存儲市場中占據有利地位，尤其是在用于AI數據中心的SSD和端側AI方面。

SK海力士NAND閃存開發擔當崔正達副社長表示：“由此公司不僅在HBM為代表的DRAM方面，同時在NAND閃存領域也具備超高性能存儲器產品組合，有望實現持續增長。”

可持續方面獲得成功：

榮獲IFR亞洲大獎中創新債券獎

SK海力士于4月榮獲享有盛譽的IFR亞洲大獎，憑借其創新性的25億美元三檔組合債券斬獲最佳ESG債券獎。該三檔債券包括旨在顯著減少溫室氣體排放的可持續發展掛鉤票據，以及為環境項目提供資金的綠色債券，為公司實現可持續發展目標提供有力支持。

SK海力士財務主管梁炯模表示：“綠色債券為環境創新提供了資金，如提高產品能效、改善廢水管理和減少污染等方面。展望未來，債券的受益將繼續幫助我們實現環境目標。”

通過將可持續性融入其財務實踐，SK海力士正積極響應日益增長的投資需求，這種需求不僅追求經濟回報，更兼顧環境效益。

提升股東價值：

公布回報新政策，股息上調25%

11月，SK海力士宣布將年度固定股息（即公司計劃每年派發的每股最低股息）上調25%，以此兌現其致力于為股東創造價值的承諾。作為2025年至2027年期間新一輪股東回報政策的重要組成部分，此次股息調整將從每股1200韓元提高至每股1500韓元（1.06美元）。該計劃旨在回饋那些在公司致力于成為全球領先的面向AI的存儲器供應商道路上給予堅定支持的廣大股東。

SK海力士財務擔當（CFO）金祐賢副社長表示：“ 我們的目標是，通過實施與公司增長、財務結構穩定相匹配的股東回報政策，與股東攜手促進公司的長期繁榮。”

此外，公司還推出了一項舉措，旨在通過快速決策來應對市場變化，從而提高企業價值。

對ESG的承諾：

公布可再生材料戰略藍圖

作為對ESG持續承諾的重要體現，SK海力士在2月份發布了一項雄心勃勃的戰略藍圖，旨在提升半導體生產過程中回收及可再生材料的使用比例。通過這一行業首創的中長期計劃，公司將首先設定目標，以回收材料替代半導體所需的基本金屬，隨后將重點發展可循環利用的塑料材料。

SK海力士先進質量與分析部門擔當宋埈豪副社長表示：“作為一家高度重視ESG管理的企業，我們致力于積極參與全球循環經濟的構建。在實施這一宏偉藍圖的過程中，我們將攜手包括客戶和供應商在內的半導體供應鏈中的所有利益相關者，共同努力，以實現切實可行的成果。”

這份具有前瞻性的戰略藍圖不僅凸顯了SK海力士在可持續創新領域近期取得的成就，也進一步鞏固了其對未來發展的愿景。隨著公司在將可持續發展與技術進步相結合方面的領先地位不斷提升，它為半導體行業如何塑造一個更環保、更具韌性的未來，樹立了令人信服的榜樣。

2025年續寫卓越之旅

2024年，SK海力士憑借技術突破、戰略投資及持續創新等一系列舉措，邁向了嶄新的高度。這些輝煌成就不僅鞏固了公司在面向人工智能的存儲器領域的領導地位，更使公司在新興科技領域中處于前沿。展望2025年，SK海力士將繼續書寫卓越之旅，積極塑造下一代尖端技術，以全方位面向AI的存儲器供應商（Full Stack AI Memory Provider）為使命，為未來的創新注入強勁動力。