臺積電在近期舉行的技術研討會上宣布，其3納米工藝節點現已正式開始運營。據悉，N3P節點有望在2024年下半年進入批量生產階段。

在N3P上，公司利用之前的N3E工藝節點進行優化升級，以提升整體能效及晶體管密度。據介紹，N3E工藝節點的良率已達到與5納米成熟工藝相當的水平。

值得一提的是，臺積電高層透露，N3P工藝目前已通過質量驗證，良品率已逼近N3E。由于N3P采用了光學微縮技術，在IP模塊、設計規則、EDA工具等方面均與N3E保持高度兼容性，因此公司表示整個過渡過程十分順暢。

N3P的主要優點在于其強大的增強規格。相較于N3E，芯片設計師可預期在同等功耗下性能提升約4%，或者在匹配時鐘下功耗降低約9%。此外，N3P還將晶體管密度提升了4%，這對包含邏輯、SRAM以及模擬元件在內的典型芯片設計具有重要意義。