據調研公司 TrendForce 數據顯示，展望至 2024年末，全球DRAM行業HBM TSV（硅通孔）的實際產量預計將提升至25萬噸/每分鐘，約占全球DRAM總量的14%。值得注意的是，HBM供應量在這幾年間逐年增長，年增長率高達260%。另據估計，2023年輕，HBM的產值在整個DRAM行業內所占比重約為8.4%，但到2024年末，這個比例將上升至20.1%。

擔任分析師職務的人員對于HBM的面貌做出解釋，指出與同等容量和制程的 DDR5比較，HBM雖然能提供更大的尺寸儲存空間，然而其良品率卻相對較低，普遍低20%-30%。在生產周期上，相比于 DDR5，HBM的制造過程（包括TSV）要更為復雜，通常需多耗時1.5~2個月。

由于HBM生產周期較長，從投片到完成產出、封裝的過程綜合下來可能超過兩個季度，因此提前預訂的購買者才能保證足夠的供貨需求。

據該公司所得信息，大部分針對2024年度的訂單都已交付給供應商。

同時，該研究機構也對主要的HBM制造商預設的HBM/TSV產能進行預測，如三星年內每分鐘HBM TSV產量或將高達13萬噸，緊接著是SK海力士，產能估算范圍為12-12.5萬噸，美光稍顯不足，預期產能僅有2萬噸。當前，三星、sk海力士兩大廠計劃增加HMB產能最為積極，特別是SK海力士在HBM3市場的份額已經超過90%，而三星將連續多個季度持續增加產能，該舉措將得益于 AMD MI300芯片的逐步推廣和銷售量的穩定增長。