據韓媒The Elec報道,日本住友化學旗下東友精密化學已告知韓國半導體企業,由于原材料和人工成本上揚,其所供應的KrF以及L系列光刻膠的價格將會提升10%-20%。
光刻膠又名光致抗蝕劑,源于它在特定光照條件下可發生溶解度改變的特性,這項技術廣泛應用于集成電路和獨立元件的精細圖形處理。
光刻膠類別的多樣化,此次漲價案所涉KrF光刻膠屬于高階防護用品,也是未來各地廠家的競爭焦點。當前市場中,光刻膠主要由東京大賀工業、杜邦、JSR、信越化學、住友化學及東進半導體等大型制造商掌控。
在這個具有極高專業門檻的領域里,許多公司視制造過程為商業秘密。由于巨大的技術局限性,加上生產所需的高純度和優良性能,研發過程輾轉周期長且繁瑣。再者,適應客戶需求及生產線調整需耗費約1至3年時間以進行驗證,這也使客戶難以轉向現有的光刻膠供應商。
面對技術難度與客戶至上的雙重挑戰,光刻膠廠商在議價方面具備極強實力。近期光刻膠價格的攀升使得韓國半導體產業做出明顯回應。有晶圓代工業內人士表示,在光刻膠價格持續走高的背景下,他們無法規避將部分成本轉嫁給客戶的情況。東友精密化學的漲價舉動,恐將促使晶圓代工廠乃至整個無晶圓廠行業的利潤率下滑。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
半導體
+關注
關注
339文章
30737瀏覽量
264159 -
晶圓代工
+關注
關注
6文章
880瀏覽量
49775 -
光刻膠
+關注
關注
10文章
354瀏覽量
31780
發布評論請先 登錄
相關推薦
熱點推薦
國產光刻膠開啟“鉗形攻勢”
電子發燒友網報道(文/黃山明)如果對半導體產業有興趣的話,一定對光刻膠(Photoresist)略有耳聞,這是一種對光敏感的高分子材料,廣泛應用于微電子制造、半導體工藝、PCB制作以及MEMS等領域
比肩進口!我國突破光刻膠“卡脖子”技術
電子發燒友網綜合報道 在芯片制造領域,光刻膠用光引發劑長期被美日韓企業壟斷,成為制約我國半導體產業發展的關鍵“卡脖子”技術。近日,這一局面被打破——湖北興福電子材料股份有限公司以4626.78萬元
光刻膠剝離工藝
光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
光刻膠旋涂的重要性及厚度監測方法
在芯片制造領域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環節,而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為光刻膠厚度監測提供了可靠
從光固化到半導體材料:久日新材的光刻膠國產替代之路
。 從光固化龍頭到半導體材料新銳 久日新材的戰略轉型始于2020年。通過收購大晶信息、大晶新材等企業,強勢切入半導體化學材料賽道。2024年11月,久日新材控股公司年產4500噸光刻膠
國產光刻膠突圍,日企壟斷終松動
厚膠量產到ArF浸沒式膠驗證,從樹脂國產化到EUV原料突破,一場靜默卻浩蕩的技術突圍戰已進入深水區。 ? 例如在248nm波長的KrF光刻膠武漢太紫微的T150A膠以120nm分辨率和
行業案例|膜厚儀應用測量之光刻膠厚度測量
光刻膠,又稱光致抗蝕劑,是一種關鍵的耐蝕劑刻薄膜材料。它在紫外光、電子束、離子束、X 射線等的照射或輻射下,溶解度會發生變化,主要應用于顯示面板、集成電路和半導體分立器件等細微圖形加工作業。由于
針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節,其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方法,并探討白光
金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導體及微納制造領域,光刻膠剝離工藝對金屬結構的保護至關重要。傳統剝離液易造成金屬過度蝕刻,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝質量的關鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠
低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖在光刻膠剝離方面表現出色,但因其高含量使用帶來的成本、環保等問題備受關注。同時,光刻
金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用及白光干涉儀在光刻圖形的測量
引言 在半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離是重要工序。傳統剝離液常對金屬層產生過度刻蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量也是確保制造質量的關鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液
減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀在光刻圖形的測量
? ? 引言 ? 在半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環節,但其可能對器件性能產生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方
半導體材料介紹 | 光刻膠及生產工藝重點企業
體。在光刻工藝過程中,用作抗腐蝕涂層材料。半導體材料在表面加工時,若采用適當的有選擇性的光刻膠,可在表面上得到所需的圖像。光刻膠按其形成的圖像分類有正性、負性兩大類
光刻膠價格上漲,韓國半導體公司壓力增大
評論