節能、清潔、穩定的光催化制氫是生產可再生氫氣資源的最有前途的途徑之一，在碳經濟和能源技術中起著舉足輕重的作用。用于氫氣演化的高效光催化材料應具備以下特點：i) 有足夠的空間用于暴露催化位點和容納物質；ii) 有良好的導電性用于電子轉移；iii) 有催化活性位點用于接受電子和質子；iv) 有適當的H*的吉布斯自由能（ΔGH*）。

在這些方面，研究人員已經注意到許多材料，如無機半導體、無金屬材料、共軛聚合物、共價有機框架、配位復合物等。與單金屬相比，雙金屬二維共軛金屬有機框架（2D c-MOF）納米片具有良好的金屬可調性和性能優化的協同效應，但迄今為止很少在光催化氫氣進化中得到發展。

來自廣東工業大學的學者提出了一種可行的第二金屬安裝（SMI）的合成策略，并應用于構建結晶的雙金屬二維c-MOF納米片：HTHATN-Ni-Pt-NS。HTHATN-Ni-Pt-NS表現出較高的導電性和高效的氫氣進化率，在可見光照射下，氫氣進化率為47.2 mmol g-1h-1，比沒有PtII裝飾的原始HTHATN-Ni-NS高出13.5倍。

實驗和理論分析表明，低量PtII的引入提供了催化活性金屬位點，優化了NiII中心的ΔGH*值，從而導致質子還原性能的提高。這項研究代表了MOF納米片中共生雙金屬中心的第一個例子，突出了SMI戰略作為構建光催化劑的一種有效方法。

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圖1.HTHATN-Ni的合成、結構和表征.a） 合成方案。b） AA' 堆疊模型。c） 三個模擬模型的 PXRD 模式。d） 實驗和 Pawley 引用了 PXRD 模式。e） N2吸附-解吸等溫線。f，h） HRTEM圖像。g） 放大HRTEM圖像與晶體結構模型疊加

圖2.HTHATN-Ni-Pt-NS表征 a-f）。（a） HR-TEM圖像，（b）放大圖像，以及（c）（a）的FFT。（d） HAADF-STEM和繪圖。（e） AFM圖像和高度分布。（f） Pt XPS頻譜的擬合。（g） 光催化反應前后HTHATN-Ni-NS和HTHATN-Ni-Pt-NS的N 1s光譜XPS ?

圖3.a） Pt L3-edge 的 XANES 光譜和 b） HTHATN-Ni-Pt-NS、Pt箔、PtCl2、PtO2和 K2PtCl6的 K3加權 FT-EXAFS 光譜。c） HTHATN-Ni-Pt-NS R 空間中的 FT-EXAFS 光譜和相應的擬合曲線。d）不同溫度下的I-V曲線和e）HTHATNNi-Pt-NS的阿倫尼烏斯圖。f） HTHATN-Ni和HTHATN-Ni-Pt-NS的Tauc圖。



圖4 a) 顯示HTHATN-Ni和HTHATN-Ni-Pt-NS系統中電子轉移的能級示意圖 b) 不同催化條件下的氫氣生成 c) HTHATN-Ni-Pt-NS的循環性能



圖5.a） 制氫機理示意圖。b） 時間分辨 PL 衰減曲線。c） HTHATN-Ni-NS和HTHATN-Ni-Pt-NS的光電流響應。d）HTHATN-Ni-NS和e）HTHATN-Ni-Pt-NS中鉑和鎳位點的H*幾何形狀。藍色、綠色、紫色、黃色和紅色的球分別代表 N、Cl、Pt、H、S 和 Ni 原子。（f） HTHATN-Ni-NS 的EIS 和 g） HTHATN-Ni-Pt-NS

總之，Pt裝飾的導電納米片HTHATNNi-Pt-NS是通過自組裝、剝離和PtIISMI三個連續步驟制備而成。π共軛Ni3(HTHATN)2網絡、多孔框架和良好的PtII和NiII位點賦予了HTHATN-Ni-Pt-NS良好的光誘導電子轉移的導電性和有效的光催化的暴露金屬位點。

催化性能的極大改善得益于共生效應，其中PtII位點作為催化位點，激活NiII中心進行質子還原。有前途的SMI策略和雙金屬共生強化的發現為合理設計光催化劑開辟了一條新途徑。（文：SSC）

審核編輯：劉清