陜西光電子先導院先進光子器件工程創新平臺3月30日在西安全面啟用。該平臺具備光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝，將為光子產業項目提供產品研發、中試、檢測等全流程技術服務，為光子產業各類創新主體打通從產品研發到市場化批量供貨的完整鏈條。

該平臺的啟用，標志著陜西向打造具有全球影響力的光子產業生態高地的戰略目標又邁出了堅實的一步，將吸引更多光子產業創新要素匯聚陜西，培育一批具有先發優勢和全球競爭力的光子產業冠軍企業，推動光子產業向集群化、規模化、高產值化發展。

實現光子產業鏈上下游企業聚集

記者從陜西光電子先導院了解到，先進光子器件工程創新平臺占地30畝，建有中試車間、中試大樓、綜合樓和動力站等研發和中試配套設施，總建筑面積約30000平方米，潔凈廠房3000平方米，一期專業設備100余臺（套），具備以GaAs（砷化鎵）、GaN（氮化鎵）為主線，圍繞6英寸化合物芯片工藝服務能力的柔性中試平臺，以技術服務與工程代工相結合的形式，為光子產業孵化項目提供產品研發、中試、檢測等全流程技術服務。

同時，先進光子器件工程創新平臺__將有效解決第三代化合物半導體芯片制造的外延生長與制程等關鍵問題__，為光電芯片、功率器件、射頻器件等芯片設計企業、高校、科研院所提供外延生長、光刻、刻蝕、薄膜制備、清洗、減薄、拋光、劃片等芯片制造全流程服務。

先進光子器件工程創新平臺通過與創新企業持續進行聯合研發，光子芯片制程中的光刻、刻蝕、蒸鍍等多項核心工藝技術不斷攻克，平臺軟硬件建設已不斷完善，將持續助力光子產業鏈上下游企業聚集。

成功破解光子企業“兩難”困境

作為“追光計劃”與“秦創原”成果轉化及展示平臺，陜西光電子先導院積極發揮陜西光子產業鏈“鏈主”企業作用，通過稀缺平臺資源+專業技術服務，為解決實驗室無法工程化創新成果，而成熟芯片代工廠又難以承接小量創新產品產出的兩難局面，實現了有效的工程化銜接。

2014年，賽富樂斯半導體科技有限公司研發出半極性氮化鎵材料，并耗時三年走到量產階段。然而，生產所需MOCVD（金屬有機化學氣相沉積）外延爐設備一臺就要耗資上千萬，一條光電子芯片產線造價數以億計，這對于這家幾乎沒有營收的初創企業來說是簡直是天文數字。2016年底，陜西光電子先導院主動提出讓賽富樂斯按租用的方式使用設備，企業創始人陳辰來到西安實地參觀完生產線后，馬上決定將公司落戶西安。2017年，賽富樂斯正式上線4英寸半極性氮化鎵材料，并從 2018年3月開始規模生產及銷售，良率達到95%以上， 成為全球首家能夠量產工業級半極性氮化鎵材料的企業 。

目前，陜西光電子先導院已培育和聚集了近百家光子產業企業，入駐光電子領域企業30余家，其中一半以上為海歸高端創業團隊，例如耶魯大學團隊、龔平博士團隊、張文偉博士團隊、程東博士團隊等，成為光子領域一流的創新生態和創新高地，在全球光子產業中與國外保持同步，初步搶占了光子產業“窗口期紅利”。

助力陜西搶占“光”先機

21 世紀被認為是“光子時代”。當前，全球 IT 產業正處在“從電子到光子”的世代轉換過程中，光子產業有望成為 21世紀最具戰略性、基礎性、先導性的新興產業。

陜西在光子產業方面具有明顯優勢。一方面，陜西擁有中科院西安光機所、西電、西工大等一批光子學科齊全、特色鮮明的大院大所和高校，科研成果豐厚。另一方面，陜西光子產業集群已初具規模，初步形成了光子制造、光子信息、光子傳感等產業集群。同時陜西在光子技術產業領域有著深厚的科研基礎，高折射率硅光芯片、微納光波導、光柵耦合器和VCSEL（垂直腔面發射激光器）激光器、半極性GaN（氮化鎵）光電芯片襯底材料等方面處于行業領先水平。在世界新一輪科技革命和產業變革同我國轉變發展方式的歷史性交匯關鍵時期，為贏得先機，陜西推動實施了“追光計劃”，搶抓光子產業高速增長的戰略機遇。

2015年10月，陜西省科技廳、西安高新技術開發區與中國科學院西安光機所聯合發起成立了陜西光電子先導院。陜西光電子先導院先進光子器件創新平臺作為陜西省2022年重點建設工程，項目僅用6個月就完成主體封頂，12個月完成了機電工程，14個月完成核心設備搬入，16個月就實現平臺的正式啟用，展現了 “追光速度”和“高新效率”。

未來，陜西光電子先導院將立足光子制造、光子材料與芯片、光子傳感三大重點領域，緊密融合秦創原創新驅動平臺，在加快統籌謀劃“追光計劃”的過程中，積極探索光子領域“新型舉國體制”的實踐經驗，引領光電行業發展，擁抱“光子時代”。

中國科學院西安分院院長趙衛表示： “希望陜西光電子先導院先進光子器件工程創新平臺啟用后，能夠吸引更多光子產業創新要素匯聚陜西，攻關一批引領未來的關鍵核心技術，培育一批具有先發優勢和全球競爭力的光子產業冠軍企業，推動光子產業進一步向集群化、規模化發展。”

審核編輯 黃宇