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功率半導(dǎo)體廠商或業(yè)務(wù)部門,熱衷于興建12英寸晶圓產(chǎn)線

lC49_半導(dǎo)體 ? 來源:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 作者:半導(dǎo)體行業(yè)觀察 ? 2021-05-17 15:16 ? 次閱讀
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近期,行業(yè)出現(xiàn)了一股熱潮,即越來越多的模擬芯片企業(yè),特別是功率半導(dǎo)體廠商或業(yè)務(wù)部門,熱衷于興建12英寸晶圓產(chǎn)線。

本周,就有兩則相關(guān)消息很受關(guān)注。

3月10日,東芝宣布,計(jì)劃引進(jìn)一條新的12英寸晶圓生產(chǎn)線。傳統(tǒng)上,該公司的功率半導(dǎo)體主要使用8英寸晶圓生產(chǎn)。而隨著采用12英寸晶圓生產(chǎn)模擬芯片成為全球趨勢(shì),該公司似乎也在跟緊潮流。東芝表示,新廠建成后,可將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高20%。

據(jù)悉,東芝引進(jìn)12英寸晶圓生產(chǎn)線的主要目標(biāo)是提高低壓MOSFETIGBT的生產(chǎn)能力。根據(jù)規(guī)劃,新產(chǎn)線將于2023財(cái)年上半年投產(chǎn),該公司表示,將根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì),逐步確定后續(xù)投資計(jì)劃,并將繼續(xù)擴(kuò)大日本工廠的分立器件,特別是功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)。

同樣是在本周,歐洲大廠博世正在德國(guó)德累斯頓建設(shè)新的12英寸晶圓廠,投資額達(dá)到10億歐元。計(jì)劃今年下半年實(shí)現(xiàn)商用生產(chǎn)。其生產(chǎn)的產(chǎn)品主要是用于汽車的功率半導(dǎo)體,如用于電動(dòng)和混合動(dòng)力汽車的DC-DC轉(zhuǎn)換器等。

2月,汽車功率半導(dǎo)體龍頭企業(yè)英飛凌宣布,為了緩解全球車用芯片產(chǎn)能不足的困境,將在奧地利新建12英寸晶圓廠,專門用于生產(chǎn)車用芯片,預(yù)計(jì)將于今年第三季度動(dòng)工。后續(xù)還計(jì)劃在德國(guó)也建一座與奧地利相同的新廠。

同樣的情況也發(fā)生在中國(guó),在大陸地區(qū),聞泰旗下的安世半導(dǎo)體,以及士蘭微電子這兩家企業(yè),是車用芯片和功率半導(dǎo)體的龍頭企業(yè),他們都于近幾個(gè)月在新建12英寸晶圓廠方面有大動(dòng)作。

2020年12月,士蘭微電子位于廈門的12英寸芯片生產(chǎn)線正式投產(chǎn)。該公司規(guī)劃建設(shè)兩條以功率半導(dǎo)體、MEMS傳感器芯片為主要產(chǎn)品的12英寸特色工藝產(chǎn)線,本次投產(chǎn)的就是其中的一期項(xiàng)目。

近期,安世半導(dǎo)體宣布在上海臨港投資120億元新建一座12英寸晶圓廠,將于2022年開始運(yùn)營(yíng),年產(chǎn)能大約是40萬片,主產(chǎn)功率半導(dǎo)體。

綜上可見,近一年時(shí)間內(nèi),全球半導(dǎo)體熱點(diǎn)地區(qū)的廠商,特別是模擬芯片IDM,都在新建以功率半導(dǎo)體為主要產(chǎn)品的12英寸晶圓廠,特別是從2020年底出現(xiàn)車用芯片荒之后,這樣的建廠動(dòng)作指向性就顯得更加明確,即主攻以車用芯片為重點(diǎn)的功率半導(dǎo)體。

實(shí)際上,這這些廠商動(dòng)作之前,全球排名前兩位的模擬芯片大廠德州儀器TI)和ADI就已經(jīng)開展了類似的建廠計(jì)劃,其中包括但不限于功率半導(dǎo)體。在逐步關(guān)閉老舊的6英寸、8英寸晶圓廠的同時(shí),將興建12英寸新廠作為發(fā)展重點(diǎn)。

因此,全球8英寸功率半導(dǎo)體廠有向12英寸轉(zhuǎn)型之勢(shì),再加上早就在向12英寸晶圓轉(zhuǎn)移的邏輯和存儲(chǔ)芯片,數(shù)字和模擬芯片向更高生產(chǎn)效率邁進(jìn)的腳步愈加一致。

據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)和預(yù)測(cè),2020年,全球用于12英寸晶圓廠的投資額有望同比增長(zhǎng)13%,創(chuàng)造歷史新紀(jì)錄。而且,由于疫情影響,全球數(shù)字化轉(zhuǎn)型進(jìn)程將加速,這樣,2021年在12英寸晶圓廠上的投資將再創(chuàng)新高,預(yù)計(jì)同比增長(zhǎng)4%,之后的2022 年稍微放緩后,2023年將再創(chuàng)新高,達(dá)到700億美元的規(guī)模。

涉及到具體的芯片產(chǎn)品,12英寸晶圓廠最大資本支出依然會(huì)用在存儲(chǔ)芯片(DRAM和3D NAND)上,預(yù)計(jì)2020到2023年的實(shí)際和預(yù)測(cè)投資額每年都將以高個(gè)位數(shù)穩(wěn)健增長(zhǎng),2024年幅度有望進(jìn)一步擴(kuò)大到10%。另外,用于邏輯芯片/MPU和MCU的投資在2021到2023年也將穩(wěn)步提高。

特別值得關(guān)注的是功率器件,用在該類產(chǎn)品的投資增長(zhǎng)幅度在2021年有望超過200%,而2022和2023年也將保持兩位數(shù)的增長(zhǎng)率。這樣的增長(zhǎng)勢(shì)頭與上文提到的各家廠商“扎堆”新建功率半導(dǎo)體12英寸晶圓廠的現(xiàn)象十分契合。

轉(zhuǎn)移的驅(qū)動(dòng)力

以功率半導(dǎo)體為代表的模擬芯片產(chǎn)線,之所以從8英寸向12英寸晶圓轉(zhuǎn)移,主要原因有二:一是12英寸晶圓具有更高的生產(chǎn)效率和經(jīng)濟(jì)效益;二是當(dāng)下以車用芯片為代表的相關(guān)產(chǎn)能嚴(yán)重不足,促使向12英寸晶圓轉(zhuǎn)移。

經(jīng)濟(jì)效益

晶圓尺寸越大,可利用效率越高。12英寸晶圓擁有較大的晶方使用面積,得以達(dá)到效率最佳化,相對(duì)于8英寸晶圓而言,12英寸的可使用面積超過兩倍。

由于晶圓尺寸越大,成本效率越高,特別是在當(dāng)下行業(yè)對(duì)產(chǎn)能要求大量增加的情況下,12英寸晶圓的優(yōu)勢(shì)越來越明顯,相關(guān)的轉(zhuǎn)型案例也越來越多。

對(duì)于傳統(tǒng)IDM來說,8英寸產(chǎn)線的投入產(chǎn)出比顯得越來越低,大規(guī)模運(yùn)營(yíng)這些產(chǎn)線的積極性已經(jīng)不高了,除了保留一部分必需的8英寸產(chǎn)線外,像TI和ADI這樣的老牌兒模擬芯片巨頭,可以將越來越多的8英寸晶圓加工任務(wù)外包給晶圓代工廠,而它們自己主攻12英寸產(chǎn)線。

在模擬芯片市場(chǎng),像TI、ADI、Maxim這樣的廠商,都有著高于行業(yè)平均水平的毛利率。以TI為例,在過去10年內(nèi),其利潤(rùn)和利潤(rùn)率保持上升態(tài)勢(shì)。按照TI的說法,創(chuàng)造高利潤(rùn)率與他們用12英寸晶圓廠生產(chǎn)模擬芯片、降低成本有關(guān)。

近些年,TI一直在穩(wěn)步提升其12英寸晶圓模擬芯片的產(chǎn)量,以削減成本并提高生產(chǎn)效率。TI表示,12英寸晶圓廠的產(chǎn)量比競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手使用的8英寸工藝生產(chǎn)的芯片便宜40%。此外,對(duì)于模擬用途,12英寸晶圓廠的投資回報(bào)率可能更高,因?yàn)樗梢允褂?0到30年。

TI擁有兩個(gè)12英寸晶圓廠,2018年,其12英寸晶圓模擬芯片產(chǎn)量占其整體模擬芯片產(chǎn)量的50%左右。考慮到5GIoT、汽車和云計(jì)算等應(yīng)用的成熟和大規(guī)模擴(kuò)展,會(huì)推動(dòng)相關(guān)模擬芯片需求的增長(zhǎng),因此,該公司有充分的理由進(jìn)行12英寸晶圓廠擴(kuò)展,以保持并進(jìn)一步提升其高利潤(rùn)率。

產(chǎn)能不足

當(dāng)下,芯片產(chǎn)能不足已成為全球性難題,尤以車用芯片為最,其中,功率半導(dǎo)體更是供不應(yīng)求。

在過去很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi),功率半導(dǎo)體器件都是采用8英寸晶圓生產(chǎn)的。隨著市場(chǎng)對(duì)功率器件的需求不斷提升,而這也給了8英寸晶圓更多的商業(yè)機(jī)遇。

汽車和工業(yè)應(yīng)用是功率器件增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。據(jù)Gartner統(tǒng)計(jì),在全球半導(dǎo)體市場(chǎng)中,工業(yè)應(yīng)用和汽車電子的增速最快,而工業(yè)應(yīng)用和汽車電子的應(yīng)用增量主要來自于功率半導(dǎo)體。

據(jù)IC insights預(yù)計(jì),在功率半導(dǎo)體年出貨量方面,2016~2021的年復(fù)合增長(zhǎng)率為5.2%。受益于汽車和工業(yè)應(yīng)用驅(qū)動(dòng),預(yù)計(jì)未來3年功率分立器件市場(chǎng)仍將保持5%左右的增速。

SEMI的數(shù)據(jù)顯示,功率分立器件約占8英寸晶圓應(yīng)用的16%。由于8英寸晶圓設(shè)備短缺,全球8英寸晶圓產(chǎn)能增長(zhǎng)率僅為1~2%, 低于功率半導(dǎo)體和功率分立器件的增速。因此,汽車電子和工業(yè)應(yīng)用對(duì)功率半導(dǎo)體需求大于供給導(dǎo)致功率半導(dǎo)體漲價(jià),而功率半導(dǎo)體對(duì)8英寸晶圓產(chǎn)能需求大于供給。這是各大廠商向12英寸晶圓轉(zhuǎn)移的一個(gè)重要原因。

8英寸產(chǎn)能緊張程度延續(xù)到了2021上半年,除非有廠商愿意從8英寸轉(zhuǎn)至12英寸晶圓生產(chǎn),只有這樣才能在短時(shí)間內(nèi)緩和8英寸產(chǎn)能的緊張情況。目前看來,以晶粒較大的指紋辨識(shí)IC和功率器件等產(chǎn)品轉(zhuǎn)到12英寸生產(chǎn)的可行性較高。

指紋辨識(shí)IC廠商神盾證實(shí),該公司確實(shí)從一、兩年前就著手規(guī)劃從8英寸轉(zhuǎn)至12英寸晶圓生產(chǎn),預(yù)計(jì)今年下半年流片,明年將會(huì)大量轉(zhuǎn)換。除了成本之外,產(chǎn)能是神盾此舉更重要的考量因素。

而在功率半導(dǎo)體方面,如前文所述,多家IDM企業(yè)都在新建12英寸晶圓廠。

功率半導(dǎo)體對(duì)晶圓的消耗量巨大,一般情況下,一片8英寸晶圓僅能切割70~80顆IGBT芯片。目前,電動(dòng)車處于滲透率快速提升階段,汽車半導(dǎo)體用量需求的成長(zhǎng)空間很大,這些將帶動(dòng)硅晶圓產(chǎn)業(yè)進(jìn)入長(zhǎng)期、持續(xù)的供需緊張狀態(tài)。

例如在純電動(dòng)車方面,一輛tesla model x汽車需要使用84顆IGBT,這樣算來,基本上一輛車就要消耗掉一片晶圓。混合動(dòng)力汽車的功率半導(dǎo)體用量相對(duì)較少,以寶馬i3為例,單輛汽車的功率半導(dǎo)體硅晶圓消耗量約為1/4片。

預(yù)計(jì)到2022年,全球電動(dòng)車銷量有望突破1000萬輛,以平均每輛車消耗1/2片硅晶圓計(jì)算,對(duì)應(yīng)功率半導(dǎo)體硅晶圓消耗量將達(dá)到500萬片左右。

近一年來,MOSFET、TVS肖特基二極管等功率器件產(chǎn)品的交期普遍延長(zhǎng),行業(yè)呈現(xiàn)出明顯的供不應(yīng)求態(tài)勢(shì),這其中,來自汽車用的功率器件是重要組成部分。

與此同時(shí),英飛凌等國(guó)際大廠均優(yōu)先將產(chǎn)能分配給了毛利率較高的新產(chǎn)品,如汽車和工業(yè)用器件,退出了中低壓MOSFET,這就導(dǎo)致MOSFET供需缺口擴(kuò)大。去年,英飛凌、意法半導(dǎo)體等大廠的MOSFET產(chǎn)能就被預(yù)訂一空,ODM/OEM及系統(tǒng)廠只能大舉轉(zhuǎn)單中國(guó)臺(tái)灣MOSFET廠,包括富鼎、大中、尼克森、杰力第三季接單全滿,漲價(jià)5%~10%后的產(chǎn)能已全數(shù)賣光。

一般情況下,MOSFET、整流管和晶閘管的交貨周期在8~12周左右,但現(xiàn)在部分MOSFET、整流管和晶閘管交期已延長(zhǎng)到20~40周,而低壓MOSFET交期接近或超過40周,其中,汽車功率器件的貨期問題尤為顯著,IGBT的交期最高已經(jīng)達(dá)到52周。

在這種狀況下,要提升產(chǎn)能,將8英寸產(chǎn)線轉(zhuǎn)為12英寸,以提升生產(chǎn)效率和芯片絕對(duì)數(shù)量,就成為了各大模擬芯片,特別是功率器件廠商的共同選擇。

結(jié)語

當(dāng)下,美國(guó)、歐洲,以及中國(guó)大陸的功率半導(dǎo)體、車用芯片廠商,很多都在新建12英寸晶圓廠,而8英寸向12英寸晶圓產(chǎn)線轉(zhuǎn)移已經(jīng)持續(xù)多年,當(dāng)下的全球性芯片缺貨在很大程度上加速了這一趨勢(shì)轉(zhuǎn)換。這種情況下,今后兩年內(nèi),不知道是否能解決8英寸晶圓廠產(chǎn)能不足的問題,結(jié)果值得期待。

責(zé)任編輯:lq

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原文標(biāo)題:功率半導(dǎo)體發(fā)威,晶圓廠轉(zhuǎn)型加速

文章出處:【微信號(hào):半導(dǎo)體科技評(píng)論,微信公眾號(hào):半導(dǎo)體科技評(píng)論】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

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    12英寸碳化硅襯底,又有新進(jìn)展

    尺寸是6英寸,并正在大規(guī)模往8英寸發(fā)展,在最上游的晶體、襯底,業(yè)界已經(jīng)具備大量產(chǎn)能,8英寸的碳化硅產(chǎn)
    的頭像 發(fā)表于 04-16 00:24 ?3109次閱讀

    半導(dǎo)體制造流程介紹

    本文介紹了半導(dǎo)體集成電路制造中的制備、制造和
    的頭像 發(fā)表于 04-15 17:14 ?2937次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>晶</b><b class='flag-5'>圓</b>制造流程介紹