国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

中國終于打破日本在光刻膠的壟斷地位

如意 ? 來源:半導體行業觀察 ? 作者:icbank ? 2020-12-18 09:52 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

昨夜晚間,寧波南大光電發表公告稱,公司自主研發的 ArF 光刻膠產品 近日成功通過客戶的使用認證

據南大光電介紹,“ArF 光刻膠產品開發和產業化”是寧波南大光電承接國家“02 專項”的 一個重點攻關項目。本次產品的認證通過,標志著“ArF 光刻膠產品開發和產 業化”項目取得了關鍵性的突破,成為國內通過產品驗證的第一只國產 ArF 光 刻膠,為全面完成項目目標奠定了堅實的基礎。

他們指出,認證評估報告顯示,“本次認證選擇客戶 50nm 閃存產品中的控制柵進行驗 證,寧波南大光電的 ArF 光刻膠產品測試各項性能滿足工藝規格要求,良率結果達標。”

在談到這個光刻膠通過客戶認證對公司的價值的時候,南大光電表示,ArF 光刻膠材料是集成電路制造領域的重要關鍵材料,可以用于 90nm-14nm 甚至 7nm 技術節點的集成電路制造工藝。廣泛應用于高端芯片制 造(如邏輯芯片、 AI 芯片、5G 芯片、大容量存儲器和云計算芯片等)。

ArF 光刻膠的市場前景好于預期。隨著國內 IC 行業的快速發展,自主創新和國產化步伐的加快,以及先進制程工藝的應用,將大大拉動光刻膠的用量。本次通過客戶認證的產業化意義大。本次驗證使用的 50nm 閃存技術平臺,

在特征尺寸上,線制程工藝可以滿足 45nm-90nm 光刻需求,孔制程工藝可滿足 65nm-90nm 光刻需求,該工藝平臺的光刻膠在業界有代表性。

南大光電“02專項”項目前程提要

在2018年,南大光電曾發表關于實施國家“02專項”ArF光刻膠產品的開發 與產業化的可行性研究報告。

報告指出,江蘇南大光電材料股份有限公司(以下簡稱“南大光電”、“公司”、 “本公司”)成立于2000年12月,注冊資本27,346.88萬元,為全球MO源主要供應商之一。南大光電經過多年的技術積累及創新,已經擁有完全自主知識產權的MO源獨特生產技術。

作為全球MO源的主要供應商,產品在滿足國內需求時,已遠銷日本、臺灣,韓國、歐洲和美國。公司獲得了ISO9001質量認證體系、ISO14001環境認證體系及OHSAS18001職業健康體系的認證。公司2012年8月7日在深圳證券交易所創業板成功上市。

公司目前擁有MO源、電子特氣、光刻膠三大業務板塊,努力成為國際一流的MO源供應商、國內領先的電子特氣供應商和國內技術最領先的光刻膠供應商并力爭在五到十年內發展成為國際上優秀的電子材料生產企業。

而公司擬投資65,557萬元實施“193nm(ArF)光刻膠材料開發和產業化”項目,項目實施主體寧波南大光電材料有限公司是本公司的全資子公司。按照他們所說,193nm(ArF)光刻膠和MO源都屬于高純電子材料,在生產工藝、分析測試等方面有一定的相似性,公司現有的很多生產技術和管理經驗可以直接應用到此項目中。南大光電經過多年的技術積累及創新,已經擁有完全自主知識產權的MO源獨特生產技術。在產品的合成、純化、分析、封裝、儲運及安全操作等方面均已經達到國際先進水平。同時,為了此次項目的開發,南大光電已完成1500平方米研發中心的建設工作。

根據規劃,公司將通過3年的建設、投產及實現銷售,達到年產25噸193nm(ArF干式和浸沒式)光刻膠產品的生產規模。產品滿足集成電路行業需求標準,同時建成先進光刻膠分析測試中心和高分辨率光刻膠研發中心,為公司新的高端光刻膠產品的研發和產業化提供技術保障。目前本項目的主要建設內容為生產車間、分析測試中心、研發中心、倉庫、水電、道路等配套設施的建設。

他們在報告中指出,作為集成電路制造最為關鍵的基礎材料之一——高檔光刻膠材料(如:ArF光刻膠),幾乎完全依賴于進口。這種局面已經嚴重制約了我國集成電路產業的自主發展。更有甚者,我國集成電路工業使用的高檔光刻膠中,80%以上都是從日本一個國家進口(剩余的部分從美國進口)。這樣壟斷式的依賴格局使得中國集成電路產業在我國發生嚴重自然災害、政治沖突、商業沖突或軍事沖突時受到嚴重的負面影響。

從產品性質方面分析,相較于可以長時間保存(3年左右,甚至更長)的大硅片和先進制造設備, 高檔光刻膠的保質期很短(6個月左右,甚至更短)。一旦遇到上述的自然災害或沖突,我國集成電路產業勢必面臨芯片企業短期內全面停產的嚴重局面。因此,盡快實現全面國產化和產業化高檔光刻膠材料具有十分重要的戰略意義和經濟價值。

但南大光電也強調,ArF光刻膠產品的配方包括成膜樹脂、光敏劑、添加劑和溶劑等組分材料。是否能夠將各個組分的功能有效地結合在一起,關系到光刻膠配方的成敗,這是調制光刻膠配方的最大挑戰和難點,也是一個光刻膠公司技術能力的基本體現。國際上只有為數很少的幾家光刻膠公司可以做到產品級 ArF光刻膠配方的調制。

針對此種情況,一方面,我們可以進行外部引“智”,從光刻膠技術先進的美國和日本等國家引進相關領域的專家。另一方面,我們應該進行內部尋“智”,聯合國內光刻膠的研究單位,積極培養國內的光刻膠研發人才。通過人才的“內外結合”,我們將自主研發出國產ArF光刻膠產品。

同時,我們又可以此團隊為基礎,建設屬于我國自己本土的光刻膠人才隊伍,為公司先進光刻膠產品的升級換代和我國集成電路行業的后續發展奠定基礎。

日本絕對領導的光刻膠市場

據智研咨詢統計,2019年全球光刻膠市場規模預計近90億美元,自2010年至今CAGR約5.4%。預計該市場未來3年仍將以年均5%的速度增長,至2022年全球光刻膠市場規模將超過100億美元。

根據下圖,我們可以了解到低端的g/i-line的占總的半導體光刻膠市場份額31%,高端的KrF、ArF-i光刻膠的市場份額最大,達到45%,基本是被日本的企業壟斷,所以讓日本在半導體領域有極大的控制能力。

以 ArF 光刻膠產品為代表的先進光刻膠以及工藝的主要技術和專利都掌握在國外的企業與研究部門,如日本的信越化學(Shin-Etsu Chemical)、合 成橡膠(JSR)、東京應化(TOK)、住友化學(Sumitomochem)、富士膠片 (Fujifilm)和美國陶氏(Dow Chemical Company),其中尤其是日本企業,占有率極高。

在KrF光刻膠方面,日本也是占了主導地位,在這領域有全球5%市場占有率的韓國企業和11%的美國企業。

南大光電表示,本項目已作為我國“極大規模集成電路制造裝備及成套工藝”的核心 部分被列入我國國家科技重大專項,受到國家科技部的高度支持。作為對 提升國家綜合國力有重大推動作用的戰略性產業,ArF(干式和浸沒式)光 刻膠是我國集成電路產業的關鍵原材料,與國家經濟及社會發展的需求緊 密結合。

本項目不僅能夠極大提高我國本土企業的自主創新能力,更重要 的是通過重大關鍵技術的突破,將帶動和提升我國整個電子工業體系的技 術水平和國際競爭力。項目符合國家的產業政策,按國家基本建設程序進行實施,項目的建設是可行的。
責編AJX

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 光刻
    +關注

    關注

    8

    文章

    364

    瀏覽量

    31343
  • 光刻膠
    +關注

    關注

    10

    文章

    354

    瀏覽量

    31785
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    中國打造自己的EUV光刻膠標準!

    電子發燒友網報道(文/黃山明)芯片,一直被譽為 人類智慧、工程協作與精密制造的集大成者 ,而制造芯片的重要設備光刻機就是 雕刻這個結晶的 “ 神之手 ”。但僅有光刻機還不夠,還需要光刻膠、掩膜版以及
    的頭像 發表于 10-28 08:53 ?6654次閱讀

    今日看點:裝光刻膠的玻璃瓶已在產線上試用;美光:存儲器短缺至2028年

    光刻膠的玻璃瓶已在產線上試用 據央視新聞報道,工業和信息化部黨組書記、部長李樂成接受采訪時稱,中國的人工智能發展,場景應用優勢、人才優勢非常明顯。 ? 在談到關鍵技術攻關時,李樂成特別提及一款
    發表于 01-13 12:45 ?555次閱讀

    比肩進口!我國突破光刻膠“卡脖子”技術

    電子發燒友網綜合報道 芯片制造領域,光刻膠用光引發劑長期被美日韓企業壟斷,成為制約我國半導體產業發展的關鍵“卡脖子”技術。近日,這一局面被打破——湖北興福電子材料股份有限公司以462
    的頭像 發表于 12-17 09:16 ?6466次閱讀

    光刻膠剝離工藝

    光刻膠剝離工藝是半導體制造和微納加工中的關鍵步驟,其核心目標是高效、精準地去除光刻膠而不損傷基底材料或已形成的結構。以下是該工藝的主要類型及實施要點:濕法剝離技術有機溶劑溶解法原理:使用丙酮、NMP
    的頭像 發表于 09-17 11:01 ?1915次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝

    光刻膠旋涂的重要性及厚度監測方法

    芯片制造領域的光刻工藝中,光刻膠旋涂是不可或缺的基石環節,而保障光刻膠旋涂的厚度是電路圖案精度的前提。優可測薄膜厚度測量儀AF系列憑借高精度、高速度的特點,為
    的頭像 發表于 08-22 17:52 ?1787次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>旋涂的重要性及厚度監測方法

    國產光刻膠突圍,日企壟斷終松動

    ? 電子發燒友網綜合報道 光刻膠作為芯片制造光刻環節的核心耗材,尤其高端材料長期被日美巨頭壟斷,國外企業對原料和配方高度保密,我國九成以上光刻膠依賴進口。不過近期,國產
    的頭像 發表于 07-13 07:22 ?6867次閱讀

    行業案例|膜厚儀應用測量之光刻膠厚度測量

    光刻膠生產技術復雜、品種規格多樣,電子工業集成電路制造中,對其有著極為嚴格的要求,而保證光刻膠產品的厚度便是其中至關重要的一環。 項目需求? 本次項目旨在測量光刻膠厚度,
    的頭像 發表于 07-11 15:53 ?571次閱讀
    行業案例|膜厚儀應用測量之<b class='flag-5'>光刻膠</b>厚度測量

    針對晶圓上芯片工藝的光刻膠剝離方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 晶圓上芯片制造工藝中,光刻膠剝離是承上啟下的關鍵環節,其效果直接影響芯片性能與良率。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝精度的重要手段。本文將介紹適用于晶圓芯片工藝的光刻膠剝離方
    的頭像 發表于 06-25 10:19 ?1047次閱讀
    針對晶圓上芯片工藝的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低蝕刻率光刻膠剝離液組合物應用及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 半導體及微納制造領域,光刻膠剝離工藝對金屬結構的保護至關重要。傳統剝離液易造成金屬過度蝕刻,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量是保障工藝質量的關鍵。本文將介紹金屬低蝕刻率光刻膠
    的頭像 發表于 06-24 10:58 ?766次閱讀
    金屬低蝕刻率<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液組合物應用及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕光刻膠剝離液及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 顯示面板制造的 ARRAY 制程工藝中,光刻膠剝離是關鍵環節。銅布線制程中廣泛應用,但傳統光刻膠剝離液易對銅產生腐蝕,影響器件性能。同時,
    的頭像 發表于 06-18 09:56 ?871次閱讀
    用于 ARRAY 制程工藝的低銅腐蝕<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    低含量 NMF 光刻膠剝離液和制備方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 半導體制造過程中,光刻膠剝離液是不可或缺的材料。N - 甲基 - 2 - 吡咯烷酮(NMF)雖光刻膠剝離方面表現出色,但因其高含量使用帶來的成本、環保等問題備受關注。同時,
    的頭像 發表于 06-17 10:01 ?827次閱讀
    低含量 NMF <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液和制備方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    金屬低刻蝕的光刻膠剝離液及其應用及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離是重要工序。傳統剝離液常對金屬層產生過度刻蝕,影響器件性能。同時,光刻圖形的精確測量也是確保制造質量的關鍵。本文聚焦金屬低刻蝕的光刻膠剝離液
    的頭像 發表于 06-16 09:31 ?775次閱讀
    金屬低刻蝕的<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其應用及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    減少光刻膠剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    ? ? 引言 ? 半導體制造領域,光刻膠剝離工藝是關鍵環節,但其可能對器件性能產生負面影響。同時,光刻圖形的精確測量對于保證芯片制造質量至關重要。本文將探討減少光刻膠剝離工藝影響的方
    的頭像 發表于 06-14 09:42 ?898次閱讀
    減少<b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離工藝對器件性能影響的方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠剝離液及其制備方法及白光干涉儀光刻圖形的測量

    引言 半導體制造與微納加工領域,光刻膠剝離液是光刻膠剝離環節的核心材料,其性能優劣直接影響光刻膠去除效果與基片質量。同時,精準測量光刻圖形
    的頭像 發表于 05-29 09:38 ?1352次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>剝離液及其制備方法及白光干涉儀<b class='flag-5'>在</b><b class='flag-5'>光刻</b>圖形的測量

    光刻膠的類型及特性

    光刻膠類型及特性光刻膠(Photoresist),又稱光致抗蝕劑,是芯片制造中光刻工藝的核心材料。其性能直接影響芯片制造的精度、效率和可靠性。本文介紹了光刻膠類型和
    的頭像 發表于 04-29 13:59 ?9492次閱讀
    <b class='flag-5'>光刻膠</b>的類型及特性