據(jù)介紹，盡管有一些周期性和季節(jié)性影響，但是獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)在過(guò)去十年中經(jīng)歷了非凡的增長(zhǎng)。這是由重要的行業(yè)大趨勢(shì)推動(dòng)形成的，例如移動(dòng)計(jì)算、云計(jì)算、人工智能（AI）、物聯(lián)網(wǎng)（IoT）等。NAND和DRAM合計(jì)占有整個(gè)獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)的約97%份額，兩者在2018年創(chuàng)下1600億美元營(yíng)收的新高，2016年至2018年實(shí)現(xiàn)了驚人的32%復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）。

在2018年底，NAND和DRAM市場(chǎng)開(kāi)始出現(xiàn)供應(yīng)過(guò)剩現(xiàn)象，包括低于預(yù)期的智能手機(jī)銷售量和數(shù)據(jù)中心需求放緩。DRAM價(jià)格預(yù)計(jì)今年將下降約40%，并且可能在2020年之前不會(huì)再次增長(zhǎng)。而對(duì)于NAND，前景則較為正面，2019年下半年可能出現(xiàn)市場(chǎng)緊張的情況。

DRAM和NAND：每種應(yīng)用系統(tǒng)的平均存儲(chǔ)能力和價(jià)格演進(jìn)

從長(zhǎng)期來(lái)看，預(yù)計(jì)2018-2024期間NAND和DRAM營(yíng)收將分別以4%和1%的復(fù)合年增長(zhǎng)率成長(zhǎng)。這主要?dú)w功于新興人工智能/物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用和系統(tǒng)推動(dòng)的需求增長(zhǎng)，例如智慧城市、智慧家庭、智慧工廠、智能手機(jī)、個(gè)人語(yǔ)音助理、虛擬現(xiàn)實(shí)/增強(qiáng)現(xiàn)實(shí)、自動(dòng)駕駛汽車(chē)。所有這些都依賴于大量數(shù)據(jù)以及連接網(wǎng)絡(luò)。因此，即將推出的第五代（5G）無(wú)線技術(shù)對(duì)于未來(lái)的市場(chǎng)拓展顯得至關(guān)重要！

Yole對(duì)各種關(guān)鍵系統(tǒng)（包括服務(wù)器、智能手機(jī)、PC、企業(yè)/客戶端固態(tài)硬盤(pán)、汽車(chē)等）的存儲(chǔ)器需求演變進(jìn)行了全面研究。用于數(shù)據(jù)中心的服務(wù)器和企業(yè)固態(tài)硬盤(pán)分別是DRAM和NAND存儲(chǔ)器最重要的存儲(chǔ)資源消耗系統(tǒng)。另一方面，汽車(chē)是增長(zhǎng)最快的存儲(chǔ)器需求市場(chǎng)。這主要原因是汽車(chē)ADAS滲透率不斷提升。

值得注意的是，隨著2017年英特爾（Intel）的傲騰（Optane）相變存儲(chǔ)器（PCM）產(chǎn)品的推出，新興的非易失性存儲(chǔ)器（eNVM）開(kāi)始進(jìn)入存儲(chǔ)級(jí)內(nèi)存（SCM）市場(chǎng)。由于新一代Xeon服務(wù)器CPU被認(rèn)為與新興的Optane持久存儲(chǔ)器模塊（NVDIMM）兼容，因此英特爾可能以犧牲三星（Samsung）和SK海力士為代價(jià)獲得重要業(yè)務(wù)，而后兩者現(xiàn)在正準(zhǔn)備使用自己的PCM產(chǎn)品。

本報(bào)告對(duì)獨(dú)立存儲(chǔ)器市場(chǎng)及其產(chǎn)業(yè)情況進(jìn)行360°闡述，詳細(xì)介紹了NAND、DRAM、NOR、eNVM和其它獨(dú)立存儲(chǔ)器的技術(shù)和市場(chǎng)發(fā)展趨勢(shì)。

復(fù)雜的縮微技術(shù)挑戰(zhàn)需要更高的資本支出以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)密度增長(zhǎng)

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)的不斷進(jìn)步對(duì)于以數(shù)據(jù)為中心的新興應(yīng)用的發(fā)展起著非常重要。NAND和DRAM的可擴(kuò)展性預(yù)計(jì)將在2020年達(dá)到頂峰，但存儲(chǔ)器制造商和設(shè)備制造商已將找到了新的解決方案（就像過(guò)去一樣）以超越此限制。新的制造技術(shù)包括自對(duì)準(zhǔn)多重圖案化、極紫外（EUV）光刻和測(cè)量，以及高深寬比（HAR）刻蝕等。用于異構(gòu)集成的新型先進(jìn)封裝方法包括2.5D硅中介層和3D堆疊。這些技術(shù)共同為半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)造了新的機(jī)遇，可以提高下一代存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)密度，提升帶寬并降低功耗，以及降低每比特成本。

然而，隨著每一代技術(shù)的發(fā)展，存儲(chǔ)密度增長(zhǎng)也變得越來(lái)越昂貴。例如，隨著工藝節(jié)點(diǎn)遷移，多圖案化要求增加，導(dǎo)致額外的工藝步驟，因此每片晶圓的生產(chǎn)需要更大的潔凈室空間。現(xiàn)有的DARM和NAND技術(shù)仍在進(jìn)行大規(guī)模的年度資本支出（CAPEX）和研發(fā)投入，達(dá)到數(shù)十億美元。不過(guò)由于2018年末的產(chǎn)品價(jià)格下跌，CAPEX投資正在減少，以便快速實(shí)現(xiàn)均衡的市場(chǎng)狀態(tài)。長(zhǎng)期來(lái)看，預(yù)計(jì)每1%的比特增長(zhǎng)所需的CAPEX將持續(xù)上升，如下圖所示的DRAM情況。

獨(dú)立DRAM業(yè)務(wù)中存儲(chǔ)密度增加所需的年度資本支出

中國(guó)廠商的進(jìn)入可能觸發(fā)存儲(chǔ)器市場(chǎng)進(jìn)入新的整合階段

存儲(chǔ)器市場(chǎng)集中度在過(guò)去十年中急劇加速，目前處于非常高的狀態(tài)。三家主要NAND和DRAM廠商是三星、美光（Micron）和SK海力士，此外還有兩家純NAND廠商：東芝（Toshiba）和閃迪（SanDisk）/西部數(shù)據(jù)（Western Digital），這五家合計(jì)占據(jù)95%的市場(chǎng)份額。如今，存儲(chǔ)器市場(chǎng)不太可能進(jìn)一步集中。2018年，DRAM業(yè)務(wù)沒(méi)有重大的整并或收購(gòu)記錄，NAND業(yè)務(wù)的主要事件是東芝將存儲(chǔ)芯片業(yè)務(wù)出售給貝恩資本領(lǐng)導(dǎo)的財(cái)團(tuán)，其中包括蘋(píng)果（Apple）公司、SK海力士、戴爾（Dell）、金士頓（Kingston）和希捷（Seagate）。

與此同時(shí)，中國(guó)企業(yè)可能成為新的一股力量，并可能長(zhǎng)期引發(fā)新的市場(chǎng)整合。中國(guó)政府與企業(yè)合作投資半導(dǎo)體存儲(chǔ)生態(tài)系統(tǒng)，目標(biāo)是：（1）彌補(bǔ)中國(guó)存儲(chǔ)器生產(chǎn)和消費(fèi)之間的差距；（2）減少對(duì)國(guó)外存儲(chǔ)器公司的供應(yīng)依賴；（3）滿足新興應(yīng)用的巨大存儲(chǔ)芯片需求，包括移動(dòng)/無(wú)線終端、服務(wù)器、人工智能、物聯(lián)網(wǎng)和汽車(chē)。

國(guó)內(nèi)外存儲(chǔ)器廠商在中國(guó)的布局情況

在NAND業(yè)務(wù)方面，由于中國(guó)政府投資的基金支持以及在研發(fā)和制造方面的領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（YMTC）最有可能在所有中國(guó)存儲(chǔ)器公司中取得成功。該公司基于Xtacking技術(shù)的64層3D NAND閃存的批量生產(chǎn)時(shí)間預(yù)計(jì)是在2019年下半年。另一方面，中國(guó)DRAM仍處于技術(shù)研發(fā)階段。DRAM制造非常困難，中國(guó)可能需要一段時(shí)間才能與國(guó)外其它廠商實(shí)現(xiàn)抗衡。

我們預(yù)計(jì)中國(guó)廠商的存儲(chǔ)器產(chǎn)品將會(huì)在2020年大量進(jìn)入NAND市場(chǎng)，然后再是DARM。同時(shí)，由于本地供應(yīng)鏈系統(tǒng)發(fā)達(dá)，獨(dú)立NOR仍將是中國(guó)最堅(jiān)實(shí)的存儲(chǔ)器業(yè)務(wù)。未來(lái)幾年，如果中美貿(mào)易緊張局勢(shì)緩解，將可能為中國(guó)收購(gòu)存儲(chǔ)器供應(yīng)鏈上的關(guān)鍵公司帶來(lái)新機(jī)遇，這將會(huì)鞏固中國(guó)在半導(dǎo)體存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中的地位。

本報(bào)告對(duì)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)中的主要參與者情況進(jìn)行介紹，突出他們?cè)诟?jìng)爭(zhēng)激烈的存儲(chǔ)器環(huán)境中如何鞏固業(yè)務(wù)，把握市場(chǎng)機(jī)遇。