国产精品久久久aaaa,日日干夜夜操天天插,亚洲乱熟女香蕉一区二区三区少妇,99精品国产高清一区二区三区,国产成人精品一区二区色戒,久久久国产精品成人免费,亚洲精品毛片久久久久,99久久婷婷国产综合精品电影,国产一区二区三区任你鲁

0
  • 聊天消息
  • 系統消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發帖/加入社區
會員中心
創作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

半導體存儲器芯片中只讀存儲器的分類及特點應用

牽手一起夢 ? 來源:博科觀察 ? 作者:博科觀察 ? 2020-12-28 15:33 ? 次閱讀
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

半導體存儲器芯片中的只讀存儲器(Read Only Memory,ROM),是一種存儲固定信息的存儲器,在正常工作狀態下只能讀取數據,不能即時修改或重新寫入數據。

這種存儲器電路結構簡單,且存放的數據在斷電后不會丟失,特別適合于存儲永久性的、不變的程序代碼或數據,比如計算機中的自檢程序就是固化在ROM中的。

ROM的最大優點是具有不易失性。

ROM有不可重寫只讀存儲器(MROM、PROM)和可重寫只讀存儲器(EPROM、EEPROM、閃速存儲器等)兩大類。

不可重寫只讀存儲器,也可分為兩類,包括掩模只讀存儲器(MROM)和可編程只讀存儲器(PROM)。

1、掩模只讀存儲器(MROM)

掩模只讀存儲器,又稱固定ROM。這種ROM在制造時,生產商利用掩模(Mask)技術把信息寫入存儲器中,使用時用戶無法更改,適宜大批量生產。

MROM又可分為二極管ROM、雙極型三極管ROM和MOS管ROM三種類型。

2、可編程只讀存儲器(PROM)

可編程只讀存儲器(Programmable ROM,簡稱PROM),是可由用戶一次性寫入信息的只讀存儲器,是在MROM的基礎上發展而來的。

PROM的缺點是用戶只能寫入一次數據,寫入后就不能再修改。

可重寫只讀存儲器

這類ROM由用戶寫入數據(程序),后期也可以操作修改,使用起來比較自由、方便。可重寫ROM又可分為紫外線擦除EPROM、電擦除EEPROM和閃速存儲器Flash ROM三種類型。

1、光擦可編程只讀存儲器(EPROM)

光擦可編程只讀存儲器(EPROM)的特點是內容可以用特殊的方式擦除和重寫。EPROM出廠時,其存儲內容為全「1」,用戶可根據需要將部分內容改寫為「0」,需要修改存儲內容時,可將原存儲內容擦除(恢復為全「1」),以便寫入新的內容。

EPROM一般是將芯片用紫外線照射15~20分鐘左右,以擦除其中的內容,然后用專用的EPROM寫入器將信息重新寫入,一旦寫入則相對固定。在閃速存儲器大量應用之前,EPROM常用于軟件開發過程中。

2、電擦可編程只讀存儲器(EEPROM或E2PROM)

EEPROM用電氣方法將芯片中存儲內容擦除,擦除速度較快,甚至在聯機狀態下也可以操作。相對來說,EPROM用紫外線擦除內容的操作就更復雜,速度也很慢。EEPROM既可使用字擦除方式又可使用塊擦除方式,使用字擦除方式可擦除一個存儲單元,使用塊擦除方式可擦除數據塊中所有存儲單元。

3、閃速存儲器(Flash ROM)

閃速存儲器(Flash ROM)是20世紀80年代中期出現的一種塊擦寫型存儲器,是一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器,Flash ROM突破了傳統的存儲器體系,改善了存儲器產品的特性。

Flash ROM中的內容不像RAM一樣需要電源支持才能保存,但又像RAM一樣可重寫。在某種低電壓下,Flash ROM的內部信息可讀不可寫,類似于ROM,而在較高的電壓下,其內部信息可以更改和刪除,又類似于RAM。

Flash ROM可以用軟件在PC中改寫或在線寫入信息,一旦寫入則相對固定。因此,在PC中可用于存儲主板的BIOS程序。由于支持改寫,就便于用戶自行升級BIOS,但這也給病毒創造了良好環境,著名的CIH病毒正是利用這個特點來破壞BIOS,從而導致整個系統癱瘓的。另外,由于單片存儲容量大,易于修改,Flash ROM也常用于數碼相機和U盤中,因其具有低功耗、高密度等特點,且沒有機電移動裝置,特別適合于便攜式設備。

責任編輯:gt

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。 舉報投訴
  • 芯片
    +關注

    關注

    463

    文章

    54007

    瀏覽量

    465953
  • 存儲器
    +關注

    關注

    39

    文章

    7738

    瀏覽量

    171654
  • 計算機
    +關注

    關注

    19

    文章

    7806

    瀏覽量

    93190
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二維碼

掃碼添加小助手

加入工程師交流群

    評論

    相關推薦
    熱點推薦

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點

    【案例5.1】存儲器選型的考慮要點某設計,用戶接口數據傳輸速率為10Gbps,每8個字節的數據對應一次查表需求,數據表存儲在由DDR4SDRAM組成的存儲器中。工程師需綜合考慮各方面要求,進行
    的頭像 發表于 03-04 17:20 ?174次閱讀
    【案例5.1】<b class='flag-5'>存儲器</b>選型的考慮要點

    VTI低功耗SRAM存儲器VTI508HB08

    VTI SRAM存儲器在現代芯片設計中的關鍵作用日益凸顯,尤其在高性能微處理中,其低功耗與高速特性已成為提升系統能效的關鍵。隨著半導體工藝持續升級,
    的頭像 發表于 02-09 14:41 ?144次閱讀

    探索Atmel AT27LV010A:低功耗只讀存儲器的卓越之選

    探索Atmel AT27LV010A:低功耗只讀存儲器的卓越之選 在電子設計的廣闊領域中,尋找一款高性能、低功耗的只讀存儲器(ROM)至關重要。Atmel AT27LV010A就是這樣一款引人注目
    的頭像 發表于 01-31 17:05 ?674次閱讀

    FIFO存儲器的種類、IP配置及應用

    FIRST IN FIRST OUT (先入先出)。顧名思義,FIFO是一個數據具有先進先出的存儲器
    的頭像 發表于 01-13 15:15 ?370次閱讀
    FIFO<b class='flag-5'>存儲器</b>的種類、IP配置及應用

    瑞薩RA系列FSP庫開發實戰指南之常用存儲器介紹

    存儲器是計算機結構的重要組成部分。存儲器是用來存儲程序代碼和數據的部件,有了存儲器計算機才具有記憶功能。基本的存儲器種類見圖21_1。
    的頭像 發表于 01-12 06:21 ?7199次閱讀
    瑞薩RA系列FSP庫開發實戰指南之常用<b class='flag-5'>存儲器</b>介紹

    雙口SRAM靜態隨機存儲器存儲原理

    在各類存儲設備中,SRAM(靜態隨機存儲器)因其高速、低功耗和高可靠性,被廣泛應用于高性能計算、通信和嵌入式系統中。其中,雙口SRAM靜態隨機存儲器憑借其獨特的雙端口設計,在高帶寬和多任務場景中表現尤為出色,成為提升系統效率的重
    的頭像 發表于 11-25 14:28 ?548次閱讀

    芯源的片上存儲器介紹

    片上FLASH 閃存由兩部分物理區域組成:主FLASH 存儲器和啟動程序存儲器。 ●● 主 FLASH 存儲器,共 64KB,地址空間為 0x0000 0000 - 0x0000 FFFF。該區
    發表于 11-12 07:34

    Everspin存儲器8位并行總線MRAM概述

    在需要高速數據寫入與極致可靠性的工業與數據中心應用中,Everspin推出的8位位并行接口MRAM樹立了性能與耐用性的新標桿。這款Everspin存儲器MRAM與SRAM引腳兼容的存儲器,以高達35
    的頭像 發表于 10-24 16:36 ?652次閱讀

    spi psram偽靜態存儲器特點是什么

    PSRAM之所以被稱為"偽靜態"存儲器,主要是因為其采用類SRAM的接口協議:只需要提供地址和讀寫命令就可以實現數據存取,無需像傳統DRAM一樣需要內存控制定期刷新數據單元。
    的頭像 發表于 10-23 14:29 ?410次閱讀

    I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)-P24C512H

    ? ? I2C兼容串行電可擦可編程只讀存儲器(E2PROM)-P24C512H ? 產品介紹 ? ?產品概述: ? P24C512H是I2C兼容的串行E2PROM(電可擦除可編程存儲器)設備。它包含
    的頭像 發表于 08-07 10:06 ?1124次閱讀
    I2C兼容串行電可擦可編程<b class='flag-5'>只讀存儲器</b>(E2PROM)-P24C512H

    簡單認識高帶寬存儲器

    HBM(High Bandwidth Memory)即高帶寬存儲器,是一種基于 3D 堆疊技術的高性能 DRAM(動態隨機存取存儲器)。其核心設計是通過硅通孔(TSV)和微凸塊(Microbump
    的頭像 發表于 07-18 14:30 ?4298次閱讀

    半導體存儲芯片核心解析

    Flash、ROM (只讀存儲器)、新興存儲器 (如 MRAM, PCM, ReRAM/FeRAM)。 3. 主流存儲芯片技術詳解 3.1 DRAM - 電腦/手機的內存條/運行內存 原理:利用
    發表于 06-24 09:09

    半導體存儲器測試圖形技術解析

    半導體存儲器測試中,測試圖形(Test Pattern)是檢測故障、驗證可靠性的核心工具。根據測試序列長度與存儲單元數N的關系,測試圖形可分為N型、N2型和N3/?型三大類。
    的頭像 發表于 05-07 09:33 ?1592次閱讀
    <b class='flag-5'>半導體</b><b class='flag-5'>存儲器</b>測試圖形技術解析

    瑞薩RA系列MCU FSP庫開發實戰指南(09)存儲器映射

    3.3 存儲器映射 前文所述,寄存與RAM、FLASH一樣都是芯片內部的一種存儲設備。那么,當我們需要訪問它們的時候,我們需要知道它們的存儲
    的頭像 發表于 04-16 15:52 ?1594次閱讀
    瑞薩RA系列MCU FSP庫開發實戰指南(09)<b class='flag-5'>存儲器</b>映射

    非易失性存儲器芯片的可靠性測試要求

    非易失性存儲器(NVM)芯片廣泛應用于各種設備中,從智能手機、個人電腦到服務和工業控制系統,都是不可或缺的關鍵組件,它們不僅提高了數據的安全性和可靠性,還極大地增強了系統的整體性能。此外,為了滿足
    的頭像 發表于 04-10 14:02 ?1690次閱讀