NAND Flash三步走：存儲卡-移動終端-SSD

閃存的增長來自于移動終端、消費級SSD（筆記本電腦）和企業級SSD。其他如存儲卡等也保持著一定的份額。長江存儲已經演示了32層3D閃存，紫光集團早期收購的展銳擁有移動處理器、基帶和射頻，2016年入主新華三提供云服務，之后頻頻收購下游芯片封裝和SSD制造企業，垂直一體化指向非常明顯。日前紫光存儲發布了一系列的產品，目前使用的應該是大廠的顆粒，一旦長江存儲開始出貨相信會迅速導入。NAND Flash不同于DRAM，DRAM只要有一個點失效（出廠前尚可小規模修補），一顆芯片乃至一個模組就不能正常工作了；而NAND Flash由主控芯片規劃數據存儲區域，當閃存芯片出現失效單元后主控可以把這部分隔離，整體依然可用。紫光存儲的發布中出現了自研的SSD主控芯片。

從產品規劃的時序來看，U盤存儲卡市場門檻低，業者眾多，客戶容忍度高，非常適合量產初期。工藝成熟后兼顧移動終端和消費級SSD，最終目標利潤豐厚的企業級應用。

封裝

封測在存儲器成本占比約20%，高端應用涉及扇出、TSV 3D堆疊等技術，成本比重更高。商業模式方面Memory封測大多是IDM直接運作，外包部分大多交給交叉持股的關聯企業以共同抵御價格波動等風險。中國的封測行業在技術和規模方面和國際先進差距不大，而且在大基金的影響下容易形成一個虛擬IDM，做Memory封裝應該是水到渠成的；追求最先進的3D TSV似乎不太必要，畢竟新進廠商短期內進入高端服務器市場可能性不大。

PC DDR4：Flipchip倒裝封裝

綁線工藝在DDR3時代是絕對主流，目前三星DDR4基本轉入Flip-Chip。封裝方面限制DRAM性能發揮的主要因素是信號傳輸途徑中的整體延時和不同通道之間時差，而Flipchip封裝無疑可以減小這種影響。目前Flipchip工藝成熟，與綁線的成本差距已經很小了。

存儲卡/SSD：多層堆疊綁線封裝

對于講究大容量的SSD和存儲卡市場來說，多層堆疊綁線封裝成本密度高。其中的挑戰在于把芯片打磨到十幾mil甚至幾mil薄（晶圓在這個尺度上像紙一樣軟），切割后8層甚至16層交叉堆疊，極具匠心。

手機：扇出型晶圓級封裝

就移動市場使用的存儲器而言，eMMC（NAND+主控）和 eMCP(NAND+DRAM+主控)依然是主流。兆易購買NAND晶圓封裝出貨已經是駕輕就熟了；另一個重要應用方向是基帶、處理器和存儲器混合封裝，紫光在這方面擁有整合優勢。MCP是把基帶芯片Flipchip倒扣在下，Memory綁線在上，然后塑封起來；PoP則是把DRAM和NAND Flash用綁線封裝組合，然后駝在基帶背上。高通一款LTE調制解調器內置的Memory被磨到0.072毫米也就是不到3mil，3芯片堆疊的MCP總厚度只有0.71毫米；蘋果A10采用底部為扇出型晶圓級封裝代替倒裝的PoP，使得整體厚度減低了20%，這應當是業界主流。追求極小、薄、極低電耗則需要使用3D TSV，成本和散熱等挑戰都很大，可以暫時忽略。

國內長電、通富、華天等三大封裝廠都表達了進軍存儲器產業的興趣，對于時機的選擇，合作伙伴的選擇和技術路線的選擇尚不清晰。臺企如力成、華東也是躍躍欲試，經驗和技術成熟是一個主要優勢。國內也有幾家較小規模的封裝廠如太極（原TI旗下DRAM封裝）面臨發展機遇。

發展思路

應用端的支撐對于中國存儲器產業的發展的制勝因素。存儲器產業寡頭化的趨勢無論是對像蘋果、華為、聯想、亞馬遜和阿里這樣的集團采購者，對深圳浩如煙海的中小型電子制造者乃至你我這樣的消費者都很不利：技術發展緩慢，新技術被遏制；價格高昂，影響下游產業利潤率；服務不能滿足需求。甚至對產業巨頭自身，由于缺乏有效的外部競爭刺激，不免逐步走向遲緩。新晉的業者一定要和華為、聯想、阿里加強溝通（雖然早期他們也許不會大量采購），更要想方設法去滿足深圳的中小電子制造商的需求，市場如此廣闊，機會到處都是。

中國半導體存儲產業應當加大參與SEMI和JEDEC等國際組織的活動力度，在標準和國際化等方面謀求話語權。SEMI是一個國際性的半導體產業協會，四十多年來致力于貿易促進，消除壁壘，傳播中立而客觀的資訊，促進半導體乃至電子產業上下游和國內外的交流、合作和創新，其標準平臺在3D封裝等方面有巨大的國際影響力；JEDEC是存儲器產品標準制定的平臺和發布者，有獨特的一套運作邏輯，要在JEDEC擁有發言權不但需要技術實力也需要學會合縱連橫。了解現有標準，熟悉游戲規則，逐步介入到標準制定中去，長期而言對中國產業的發展是一件不可或缺的事情。