隨著數據大集中、數據挖掘、商業智能、協同作業等技術的成熟，數據價值呈指數上升。在此背景下，無論是國家經濟運轉還是百姓日常生活，都和數據息息相關，必然導致存儲（包括數據存儲、數據保護和容災等領域） 需求的持續快速增長，使得存儲行業成為信息產業中最具持續成長性的領域之一。

存儲器需求迎來“超級周期” 國產化進程加快

2017年Q4全球存儲市場增長13.7%

根據IDC全球企業存儲系統季度追蹤報告顯示，2017年第四季度全球企業存儲系統工廠收入同比增長13.7%，達到136億美元，總出貨量達到了89.2EB，同比增長39.3%。ODM營收繼續增長，同比增長34.3%，達到28億美元。該季度基于服務器的存儲銷售額增長23.8%，收入達到42億美元。外部存儲系統仍是最大的細分市場，銷售額達到66億美元，同比增長1.8%。

IHS：2017全球監控存儲系統市場將達17億美元

據IHS Markit預測，2018年全球視頻監控攝像機出貨量將達1.3億臺，相比2006年的1000萬臺，增長量顯著。隨著攝像機需求的增長，用戶對于其相關的存儲需求亦在同步上升。據估計，用于視頻監控存儲的外部系統（SAN/NAS/DAS）的市場估計在2017年達17億美元。

研究機構預測2018年服務器存儲市場增長36%

據中國證券網報道，半導體領域權威研究機構集邦咨詢在慕尼黑上海電子展會期間提出，2018年伴隨著多個新建晶圓廠實現量產，中國半導體產業將強勢崛起，各個領域商機將顯現。集邦咨詢記憶存儲事業部研究副總郭祚榮表示，2018年繼續看好服務器存儲市場。“服務器存儲市場沒有天花板。”他預測，2018年服務器內存市場增幅有望達到36%，遠高于2017年23%的增速。

存儲器需求迎來“超級周期”

在新的全球信息化浪潮背景下，全球范圍出現半導體存儲器短缺。有觀點認為，半導體行業進入了需求呈跨越式增長的“超級周期”階段。而在供應短缺以及高增長的背后，壟斷之勢也越發明顯。據數據調查顯示，僅三星電子、SK海力士、英特爾、美光科技以及東芝半導體等五家美日韓半導體企業，幾乎壟斷了全球95%左右的存儲器市場。而作為全球最大的電子產品的生產地、消費市場，讓中國成為這一波漲價最大的承壓市場。

存儲價格飆升加速國產存儲器產業布局

從2016年開始，一路飆升的存儲價格正在侵蝕整機廠商的銷售利潤。不管是DRAM還是NAND FLASH，一年多的是時間里，幾乎每個季度價格都在創新高。此次內存漲價，不斷極大的蠶食了電子整機企業的利潤，而且對產業的發展也帶來影響。存儲器對中國信息產業發展至關重要。中國科學院微電子研究所所長葉甜春在國際集成電路產業發展高峰論壇上呼吁：“未來30年，如果我們不解決存儲芯片自己制造的問題，所謂的信息化時代會失去一個非常重要的依托和基礎。”

發展國產存儲器不僅可以滿足國內巨大需求市場，帶動整個集成電路產業鏈的良性發展，還可以徹底改變存儲器受制于人的不利局面，也是在半導體產業發展方面趕超發達國家的有效途徑。目前，各地方政府通過設立大規模的投資基金，支持存儲產業。截至2017年上半年，地方政府設立的集成電路投資基金規模已超過3000億元。2016-2017年之間，全球確定新建的19座晶圓廠有10家位于中國大陸。今年10月，國家發展改革委、工信部聯合下達2017年集成電路重大專項投資計劃，福建晉華DRAM存儲器項目獲批2億元，廈門三安通訊微電子器件項目獲批0.5億元。總規模300億元的安徽省集成電路產業投資基金于18日正式設立。安徽省計劃到2020年，建設3條12英寸晶圓生產線和3條以上8英寸特色晶圓生產線，綜合產能超20萬片/月，產值達到500億元。

中國存儲芯片行業崛起

半導體市場調查公司IC Insights近日發表預測，國際存儲芯片市場的超級景氣將于今年內結束，主要原因是中國業者將于今年底實現存儲芯片量產。

我國存儲芯片行業的動向不只影響著整個國際半導體市場，也成為三星電子、SK海力士等存儲芯片壟斷企業營業利潤和股價的最大變數，一直以來在這一領域保持領先的韓國企業感受到了真切的威脅。近日韓國媒體《韓國經濟新聞》以“快馬加鞭的中國半導體崛起”報道了中國存儲芯片產業的快速發展。報道認為，在中國政府的政策和資金支持下，中國存儲芯片企業用了不到3年時間，已經成長到跟生產了20年半導體的***企業不相上下的水平，韓國企業應提防中國向當年三星超越日本企業一樣，被長江存儲、合肥長鑫等企業超越。

存儲器國產化要邁三道坎

中囯已有三家企業向存儲器芯片制造發起沖鋒，分別是武漢長江存儲的32層3D NAND閃存、福建晉華的32納米DRAM利基型產品，以及合肥長鑫（睿力）的19納米DRAM。而且三家都聲稱2018年年底前將實現試產，開通生產線。如果再計及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地，總計已有5處。對于中國上馬存儲器制造，可能會面臨三個主要難關：技術、成本與價格、專利。

從態勢分析，對于第一個難關，突破技術難點，成功試產，對于中國存儲器廠商可能都不是問題，顯然2018年相比2017年的投資壓力會增大。

預計最困難的是第二個難關，產能爬坡，進入拼產品成本與價格的階段。這兩者聯在一起、相輔相成，當成本增大時，產能爬坡的速率一定會放緩，很難馬上擴充至5萬到10萬片。因為與對手相比，在通線時我們的產能僅為5000至1萬片，對手已超過10萬片，且其成品率近90%，而我們的成品率約為70%~80%……所以不容置疑，成本差異非常明顯，因此，要看我們的企業從資金方面能夠忍受多長時間的虧損。從這點看，中國存儲器業最艱難的時刻應該在2019年或者之后。

第三個難關是專利糾紛，中國做DRAM怎么能不踩專利的“紅線”，而且不可預測對手會如何出招，這是中國半導體業成長必須付出的代價。因此從現在開始就要準備專利方面的律師及材料，迎接戰斗。中國半導體業一定要重視知識產權保護，這是邁向全球化的必由之路。

結語

國產存儲器想要真正逆襲，依然面臨諸多挑戰，一個是技術差距，另一個是制作水平的薄弱。2019將成為中國存儲器發展的關鍵年，希望在強有力的政策支持下，加上國內廠商的不懈努力，中國存儲器能在不久的將來真正引領世界。