在整個今年的DRAM供求中，由于內存價格漲勢，三星、SK海力士、美光都大豐收了一次，內存業(yè)務屢創(chuàng)新高，大面積的供不應求，致使三星等內存廠商將擴大生產，以求供應2018年的需求。

　　根據(jù)集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）調查顯示，在北美數(shù)據(jù)中心的需求持續(xù)強勁，以及DRAM供給端產能與制程受限制下，并不能滿足整體服務器內存市場需求，Server DRAM供不應求的情形在第三季度更為顯著。受到平均零售價（Average Selling Price）墊高帶動，三大DRAM原廠第三季營收成長約25.2%。

　　DRAMeXchange分析師劉家豪指出，進入第四季，在服務器出貨動能不減的情況下，整體Server DRAM供不應求的狀況將更為明顯，Server DRAM第四季合約價將持續(xù)上漲6%至10%，可望帶動廠商營收與利潤率表現(xiàn)再創(chuàng)新高。

　　三星（Samsung）

　　以目前市場規(guī)模來看，三星受惠于整體DRAM市場占有率與制程技術領先，在市場上Server DRAM表現(xiàn)格外亮眼。值得一提的是，三星在高容量模組與布局也相對積極，第三季度整體Server DRAM營收來到25.49億美元，季增28.4%，占整體市場約45.9%。

　　展望第四季度，來自于服務器的需求將達到今年的頂峰，高容量的模組需求也隨著新平臺導入進而攀升至年度高點，Server DRAM仍然供不應求。然而，三星現(xiàn)階段仍然會持續(xù)針對各家OEM/ODM調整供貨達標率，以達成滿足主要客戶需求與提高獲利水位的目標。

　　制程方面，三星今年Server DRAM仍以20nm產出為主，18nm比重在第四季度將會提升至40%，預期至2018年第一季底將逾五成，逐漸成為主流產品。在高容量芯片的規(guī)劃上，三星將會在其18nm導入16Gb mono die的設計，目前已送樣品至英特爾測試，預計在2018度第二季度導入生產線，預期將大幅改善Server DRAM的成本結構，并有利于高容量模組布局。

　　SK海力士（SK Hynix）

　　受惠于北美數(shù)據(jù)中心備貨需求帶動，SK海力士第三季營收較第二季大幅成長30.1%至17.92億美元，營業(yè)利益率也較第二季改善許多。若從制程進展來看，SK海力士Server DRAM仍以21nm為主，而18nm Server DRAM將會在2018年第一季底小量生產，預計在第二季度后產能逐步釋放，且隨著ODM認證進度與良率改善下，18nm產量比重將會進一步提高。

　　從產能規(guī)劃來看，SK海力士將會逐漸提高M14 Phase 1的產能以及無錫廠18nm制程轉換，其中Server DRAM將占其DRAM產品比重逾三成，部分產能將會隨著市場需求而略為調整，以維持獲利水平。面對服務器訂單的熱絡，除了產品線調整外，SK海力士也會提高高容量模組如32G與64G的出貨占比，預期明年高容量模組的出貨將會提升至六成水位。

　　美光（Micron）

　　受到價格持續(xù)上漲以及制程微縮所帶來的成本效益，美光第三季度Server DRAM位出貨量較前一季度成長，平均銷售單價也有局部的躍升，激勵Server DRAM產品營收成長達13%來到12.07億美元。

　　從產品面來分析，美光在Server DRAM的比重仍然維持在近三成水位，現(xiàn)階段獲利的持續(xù)增長完全有賴于內存平均銷售單價的提升。展望明年，美光將會隨著其17nm進展與改善而進行增產;截至目前，其良率已有進一步提升且已送樣，但在Server DRAM產品線的規(guī)劃上，仍將會視明年第二季后，良率是否能達到經濟規(guī)模下才會增加投片，現(xiàn)階段仍然以既有的20nm為主要產品。