2020年內(nèi)存價(jià)格總體還是在下跌，DDR4內(nèi)存也到了尾聲階段，2021年服務(wù)器市場(chǎng)就會(huì)率先引入DDR5內(nèi)存，新時(shí)代要開(kāi)始了。然而2021年的價(jià)格走勢(shì)不一樣了，內(nèi)存廠商現(xiàn)在篤定2021年價(jià)格反彈，甚至大漲30%。

對(duì)于2021年的內(nèi)存市場(chǎng)，此前三星等大廠給出的預(yù)期是明年Q1季度繼續(xù)跌，Q2季度持平，下半年才會(huì)開(kāi)始反彈。 不過(guò)這段時(shí)間內(nèi)存市場(chǎng)變數(shù)頗多，三星、SK海力士、美光三大廠商繼續(xù)削減2021年的內(nèi)存投資，供應(yīng)量會(huì)比預(yù)期減少，再加上DDR3等低端內(nèi)存產(chǎn)能逐漸退出，還有美光工廠本月初意外的跳電，內(nèi)存漲價(jià)的走勢(shì)提前了。

除了美光這樣的內(nèi)存芯片巨頭之外，華邦電、威剛等內(nèi)存行業(yè)的廠商也對(duì)2021年的走勢(shì)表示了樂(lè)觀看法，認(rèn)為2021年Q1季度提前見(jiàn)底。至于價(jià)格漲幅，內(nèi)存行業(yè)廠商預(yù)計(jì)2021年至少上漲25%-30%，相比2020年要大幅反彈了。

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原文標(biāo)題：DDR內(nèi)存2021年反彈，價(jià)格有望上漲30%

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