電子發燒友早八點訊：存儲器要做出來并不難，美、日、韓、***地區都可以，中國大陸也不可能例外。阻礙主要來自于如何覆蓋成本，工藝制程和良率的差距導致成本競爭力不如對手，另外設備折舊更是占據生產成本的40％－50％。

可以想見，如果中國大陸存儲產業崛起速度過快，三星、SK海力士、美光，東芝等國際大廠必然會以價格戰來壓制。

本文將從產業發展規律、技術趨勢、產業政策等多方面分析我國***地區發展存儲器的經過和最終退出的原因。

事實上，***地區在取得全球晶圓代工第一、封裝第一及IC設計第二的成績之后定下更加宏大的半導體產業目標：1、總產值要超過韓國，成為繼美國、日本之后的全球第三位；2、在未來三至五年中，存儲器產業要超過韓國，成為全球第一。

為什么以存儲器為突破口？

這是一個值得思考的好問題。回顧80年代日本追趕美國，以及90年代韓國追趕日本，都是以存儲器作為突破口。原因是存儲器市場巨大、設計技術相對簡單且易于擴大市場份額。

韓國就是在6英寸晶圓廠過渡到8英寸晶圓廠的世代交替時，以9座8英寸晶圓廠的產能優勢，一舉取代日本廠商躍居全球DRAM產業第一的的寶座。

***地區試圖以同樣的方法，希望在8英寸過渡到12英寸晶圓廠的世代交替時，以擁有全球最多的12英寸晶圓廠來取勝。結果***并未成功，三星及SK海力士仍雄居全球存儲器市場第一和第二的位置。

重投資策略未能奏效

半導體業內有個“潛規則”，只要舍得投資就有可能成功。例如***地區半導體業在90年初代工模式剛興起時，年投資金額與年銷售額之比達60％以上。

根據此經驗，***地區從2004年開始加速存儲器方面的投資。從2004至2008年，***地區在存儲器方面的總投資達300億美元以上，擁有近20條12英寸晶圓生產線，位列全球第一，大大超出同期三星的投資。

但是最終并未因12英寸晶圓生產線多而取得勝利，隨后***地區放棄存儲器追趕策略，轉向固守陣地。

***DRAM與三星在投資方面的比較：

原因初探

***地區在存儲器方面重投資而未能奏效，原因是多方面的，也可以認為***地區在半導體策略上的一次重大失誤。據筆者觀察有以下三個主要原因：

首先，***地區在發展存儲器產業中主要采用代工模式，而代工模式在DRAM中以失敗告終。

眾所周知，在DRAM產業中有兩個趨勢已成為共識，一個是工藝制程轉變快，緊跟摩爾定律。另一個是月產能達15萬片的超級大廠盛行，投資高達50－80億美元。主要原因是出于運營成本的考慮，運行3個5萬片晶圓廠的成本肯定高過一個15萬片晶圓廠。

按此理分析，代工廠的產能小，無法與IDM廠競爭。當產能足夠大時，一來代工廠擔心未來訂單不足而猶豫擴充產能，同時那些IDM廠又擔心代工廠會與自己爭奪客戶。

另外，從根本上那些IDM廠也不可能把最先進制程的產品交給代工廠。因此，代工模式在DRAM業中受到質疑，中芯國際于2007年退出存儲器代工可能也是基于此理。

其次，***地區存儲器產業中缺乏自有技術，過多的依賴于技術轉移。例如，此前力晶與爾必達，茂德與SK海力士及華亞科與奇夢達（現在的美光）。***地區廠商基本都沒自主技術，等于缺乏脊梁。

這也是***地區存儲器追趕韓國失敗的主要原因。

最后，是全球存儲器的市場未能達到預期。當時，幾乎2／3的新建或擴充產能集中在存儲器產業中，但需求端并沒有快速成長，造成供過于求的局面，最終導致DRAM和NAND閃存價格的持續下跌完全超出市場預期。

***地區存儲器產業經過近5年努力，花費300億美元以上的投資，結果未能超過韓國。一方面表明韓國在存儲器方面的實力之強大；另一方面也證明光靠花錢并不能解決問題。

隨著華亞科在2016年正式被美光收購，也標志著***地區自主存儲器產業沒落，雖然還有相關產業存在，但已不是***地區公司和資本主導。

任何策略都不可能簡單地復制，任何成功都是由多個因素共同促成的。***地區在半導體業總體上是成功的，但是此次存儲器之夢未能實現。

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