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2018年全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的設(shè)備總投資額為440億美元

MZjJ_DIGITIMES ? 來(lái)源:未知 ? 作者:李倩 ? 2018-05-18 11:31 ? 次閱讀
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前言

咬住青山不放松,任爾東南西北風(fēng):中國(guó)積極布局,韓國(guó)也沒(méi)閑著!

根據(jù)SEMI的估計(jì),不包括外商在內(nèi)的2018年中國(guó)半導(dǎo)體業(yè)設(shè)備總投資金額為108億美元,這已經(jīng)是非常樂(lè)觀的估計(jì)。但SEMI同時(shí)也估計(jì),2018年全球存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)的設(shè)備總投資額為440億美元,而韓國(guó)兩大廠貢獻(xiàn)了全球超過(guò)70%的市場(chǎng)份額,大約300億美元的韓國(guó)存儲(chǔ)器大廠投資,也不是中國(guó)短期間能望其項(xiàng)背。

未來(lái)兩、三年,在人工智慧、車聯(lián)網(wǎng)等商機(jī)的驅(qū)動(dòng)下,半導(dǎo)體的需求依舊看好。因此,韓國(guó)兩家半導(dǎo)體大廠依舊保持投資高點(diǎn),NAND Flash的投資雖比去年少一點(diǎn),但相較于以往的經(jīng)驗(yàn),仍是屬于投資高峰的狀態(tài)。短期間,存儲(chǔ)器仍是獲利的主流,但非存儲(chǔ)器商機(jī)卻是中長(zhǎng)期的重要期待。

DRAM制程轉(zhuǎn)換不易,伺服器等需求依然暢旺,Mobile DRAM的裝載量持續(xù)擴(kuò)大,都給DRAM的商機(jī)帶來(lái)足夠的保證。針對(duì)Flash的多層化,既是產(chǎn)業(yè)的進(jìn)入障礙,也是韓國(guó)掌握厚利商機(jī)的來(lái)源。非存儲(chǔ)器的商機(jī),占了半導(dǎo)體市場(chǎng)的70%。如果針對(duì)未來(lái)市場(chǎng),CIS、行動(dòng)通信AP與車聯(lián)網(wǎng)三大需求依舊令人期待。更重要的,三星與海力士都有分散業(yè)務(wù)過(guò)度集中于存儲(chǔ)器的需求,因此擴(kuò)大晶圓代工業(yè)務(wù)乃是既定政策,也不容質(zhì)疑。

2017年全球存儲(chǔ)器市場(chǎng)為1,303億美元,比2016年的713億美元暴增82.6%,估計(jì)2018年仍可維持26.3%的成長(zhǎng)率。在市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng)下,韓國(guó)兩大廠的資本支出仍會(huì)持續(xù)擴(kuò)大。

根據(jù)SEMI的資料,全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將從2017年的247億美元,增加到2018年的278億美元,成長(zhǎng)率12.7%,從前年開始的半導(dǎo)體高峰期,有長(zhǎng)期化的趨勢(shì),半導(dǎo)體業(yè)者也順勢(shì)推舟,在資本支出上更進(jìn)一步的提高。光是存儲(chǔ)器業(yè)者2016年的資本支出為243億美元,2017年達(dá)到401億美元,2018年預(yù)估為440億美元。

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原文標(biāo)題:【名家專欄】從韓國(guó)看中國(guó)(7-3): “咬住青山不放松,任爾東南西北風(fēng)”論中韓半導(dǎo)體關(guān)系

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