FRAM（鐵電隨機存取存儲器Ferroelectric RAM），也稱為FeRAM。這種存儲器采用鐵電質膜用作電容器來存儲數據。FRAM具有ROM（只讀存儲器）和RAM（隨機存取器）的特點，在高速讀寫入、高讀寫耐久性、低功耗和防竄改方面具有優勢。

FRAM與工業標準EEPROM完全兼容；性能比EEPROM更加突出；讀寫次數超過1萬億次（5V）、無限次（3.3V），寫速度快，沒有寫等待，按字節操作；操作更省電，寫入功耗僅為EEPROM的1/20。

鐵電存儲器和flash的區別

鐵電存儲器（FeRAM）和閃存（Flash）是兩種常見的非易失性存儲器類型，它們之間的區別如下：

1. 工作原理：鐵電存儲器使用鐵電材料，在電場的作用下，能夠在存儲器單元中建立和改變穩定的電荷狀態，從而實現數據的存儲和讀取。而閃存利用電荷累積和擦除來存儲數據，通過改變介質中的電荷狀態來實現數據的存儲和讀取。

2. 存取速度：鐵電存儲器通常具有更快的隨機存取時間（Access Time），能夠更快地執行讀取和寫入操作。而閃存的存取速度較慢，通常與鐵電存儲器相比較為遲鈍。

3. 耐久性：閃存在擦寫操作上有一定的次數限制，每個存儲單元的擦寫壽命有限，常見的閃存擦寫次數約為10萬到數百萬次。而鐵電存儲器的擦寫壽命通常比閃存更長，可以達到億級的擦寫次數。

4. 功耗：鐵電存儲器在讀取和寫入操作時，功耗較低，能夠實現低功耗工作。而閃存在擦寫和編程操作時，需要較高的電壓和較大的功耗。

5. 密度和成本：閃存常見于大容量存儲器中，能夠提供更高的存儲密度，并以較低的成本實現。相比之下，鐵電存儲器的存儲密度相對較低，并且成本較高。

FeRAM使用了一層有鐵電性的材料，取代原有的介電質，使得它也擁有非揮發性內存的功能。它以鐵電物質為原材料，將微小的鐵電晶體集成進電容內，通過施加電場，鐵電晶體的電極在兩個穩定的狀態之間轉換，實現數據的寫入與讀取。

下面的圖表解釋了PZT晶體結構，這種結構通常用作典型的鐵電質材料。在點陣中具有鋯和鈦，作為兩個穩定點。它們可以根據外部電場在兩個點之間移動。一旦位置設定，即使在出現電場，它也將不會再有任何移動。頂部和底部的電極安排了一個電容器。那么，電容器劃分了底部電極電壓和極化，超越了磁滯回線。數據以“1”或“0”的形式存儲。

PZT晶體結構和FRAM工作原理

當加置電場時就會產生極化。（鋯/鈦離子在晶體中向上或向下移動）

即使在不加置電場的情況下，也能保持電極。

兩個穩定的狀態以“0”或“1”的形式存儲。

鐵電存儲器（FRAM）和其它存儲器相比鐵電存儲器有什么不同嗎？

答：如果要回答這個問題的話，簡單了解一下存儲器技術的背景資料很有必要。存儲器的生產技術可以分為兩類：易失性和非易失性。易失性存儲器在斷電后存儲的數據會丟失，而非易失性存儲器則不然。傳統的易失性存儲器包括SRAM（靜態隨機存儲器）和DRAM（動態隨機存儲器）。他們都源自RAM技術-隨機存取存儲器技術。

RAM 的主要優點是容易使用且讀寫操作類似。但是傳統RAM的主要缺點是其只能被用來做暫時性的存儲。傳統的非易性存儲器技術均源自ROM技術，即只讀存儲器技術。經過各種技術的改進，工程師們創造出Flash和EEPROM存儲器，這些改進的存儲器開始能夠進行寫入操作了。但是這種基于ROM技術生產的存儲器都有不易寫入、寫入需要特大功耗等缺點。

所以傳統的基于ROM技術制造的存儲器是不適應需要多次寫入操作的應用領域的。而鐵電存儲器（FRAM）則是第一個非易失性的RAM存儲器。它結合了SRAM和DRAM易寫入的特性，又具有Flash和EEPROM得非易失性的特點。

審核編輯：黃飛