當我們購買內存條的時候，會看到內存條有如下規格11-11-11-28，它代表什么意思呢?

它是一種內存時序，指的是內存在處理各種任務時，遇到的固有延遲的一種數值描述。

簡單講，就是CPU在向內存索要數據，或者在向內存寫入數據的時候，內存要經歷一系列的操作，才能把CPU想要的數據給出來或寫進去，這一系列的操作所需要花費的時間周期就是內存時序。

這四個數值分別表示CL，tRCD，tRP，tRAS，單位ns。這個數值越短，表示延遲越低，內存的性能越好。

其實時序還有很多，只不過這四個參數相對來說比較重要。

在講解之前，我們了解一下內存是怎么存取數據的。首先要知道SDRAM(內存顆粒)，DDR就是將這些顆粒集成在一起，然后再加一個控制器。

內存在存取數據時，是以行列的方式進行，跟excel表格類似，通過行列方式定位數據，這個表格我們稱為邏輯BANK(L-BANK)。

SDRAM內部L-BANK示意圖 8X8陣列

B：L-BANK(邏輯logic bank)地址編號

C：column列支持編號

R：row行地址編號

如果我們要找到BANK中的黃色位置，先指定L-BANK地址B1，然后指定行地址R6，再指定列地址C4，最終就能找到尋址單元。

談到BANK，我們順便了解一下RANK這個概念(經常容易搞混，分不清楚)

DDR數據存儲時，以64bit數據線為例，CPU每次從內存里面讀取數據都是一次64bits，而內存顆粒一般沒有64bit，大多為4bits，8bits，16bits。為了湊夠CPU訪問所需的64bits，假設每個顆粒是8bits，就需要8個顆粒并在一起，并在一起的8個顆粒就叫Rank。

假設內存芯片基本上是8個L-BANK地址，也就是8個這樣的表格。

在了解數據如何存取后，下面具體看一下這四個參數：

1、tRCD

內存行地址傳輸到列地址的延遲時間為tRCD(RAS to CAS delay)，因為在行激活命令發出之后，芯片存儲陣列電子元件響應需要一定的時間。

簡單說，在內存控制器接收到行的指令后，需要等待一定的時間才能訪問這一行，這個等待時間就是tRCD。

tRCD以時鐘周期為單位，例：tRCD=2，代表延遲兩個時鐘周期。

這個參數對系統影響不大，因為程序存儲數據到內存中是一個持續過程。同一個程序中一般都會在同一行中尋址。

2、CL

內存先確定了行，要想找出數據，還需要確定列，這時我們就能準確的找到目標數據。

內存確定了行數之后，還需要等待一定的時間才能訪問具體列數，這個等待的時間就是CL，CL就是列地址訪問的延遲時間，是時序中最重要的參數。

關于CL這里必須強調幾點：

CL(CAS Latency，CAS潛伏期)，在頻率相同的情況下，CL值越小，內存速度越快。由于CL只在讀取時出現，所以CL又被稱為讀取潛伏期。

CL的值隨著內存頻率的增加而增大。

CL數值也以時鐘周期數表示，因此必須知道內存的頻率才可以知道CL延遲的具體時間，比較才會更有意義，例：

DDR-400內存，CL=2.5，時鐘頻率為200MHz，實際CL=12.5ns。

DDR2-800內存，CL=5，時鐘頻率為400MHz，實際也是CL=12.5ns。

二者一樣。

選擇購買內存時，最好選擇同樣CL值的內存，不同速度的內存混插在系統內，會以較慢的那塊內存來運行，從而造成資源的浪費。

3、tRP

tRP(RAS Precharge Time )行預充電時間。假如當前尋址的存儲單元是B1、R5、C2。如果接下來的尋址命令是B1、R6、C2，由于是同一L-Bank的不同行，那么就必須要先把R5關閉，才能對R6進行尋址。

從開始關閉現有的工作行，到可以打開新的工作行之間的間隔就是tRP，單位也是時鐘周期數。

4、tRAS

tRAS，表示內存行有效至預充電的最短周期 ，可以簡單理解成內存寫入或讀取數據的一個時間，一般接近前三個參數的總和。

調整這個參數須要結合具體狀況而定，通常咱們最好設在5-10之間。這個參數要根據實際狀況而定，并非說越大或越小就越好。

若tRAS的周期太長，會影響系統的性能。

若tRAS的周期太短，則可能因缺少足夠的時間而沒法完成數據傳輸，容易引起數據丟失或損壞。該值通常設定為CAS latency + tRCD + 2個時鐘周期。

最后簡單概況一下：

　　審核編輯：湯梓紅