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電子發燒友網>存儲技術>美光第二代高帶寬存儲器即將出貨,傳輸速度達2GT/s

美光第二代高帶寬存儲器即將出貨,傳輸速度達2GT/s

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2024-01-05 15:13:251219

第二代驍龍XR2+平臺支持4.3K單眼分辨率

通技術公司近日宣布推出全新第二代驍龍?XR2+平臺,這一創新平臺旨在為MR和VR設備帶來更出色的性能和體驗。第二代驍龍XR2+平臺具備強大的硬件配置,支持高達4.3K的單眼分辨率和12路及以上的并行攝像頭,從而為用戶帶來更加清晰、沉浸的MR和VR體驗。
2024-01-08 15:22:271606

科技啟動帶寬存儲芯片生產 為英偉最新AI芯片提供支持

英偉下一H200圖形處理將采用HBM3E芯片,預計于今年第2季交付,有望超越現有的H100芯片,為科技貢獻更高業績。此外,龍頭廠商SK海力士等供應的AI HBM(寬帶存儲器)芯片市場需求持續升溫
2024-02-27 09:33:291543

Bose推出全新Ultra開放式耳機,搭載第二代S5音頻平臺

全球知名音頻品牌Bose近日宣布推出其全新音頻可穿戴設備——Bose Ultra開放式耳機。這款耳機采用第二代通?S5音頻平臺,并支持Snapdragon Sound驍龍暢聽技術,旨在為用戶帶來無與倫比的高清音頻體驗、快速穩健的連接性能以及更持久的續航時間。
2024-03-11 10:30:281966

漫步者正式推出基于第二代S5音頻平臺打造的頭戴式平板藍牙耳機

3月27日,漫步者(EDIFIER)正式推出基于第二代通?S5音頻平臺打造的STAX SPIRIT S5頭戴式平板藍牙耳機。
2024-03-27 14:03:282622

第二代SiC碳化硅MOSFET關斷損耗Eoff

第二代SiC碳化硅MOSFET關斷損耗Eoff
2024-06-20 09:53:401447

通推出第二代驍龍4s移動平臺

通技術公司今日宣布推出第二代驍龍4s移動平臺,旨在讓5G更普及、更可靠。這一全新平臺再次展示了通致力于用工程技術創新推動進步的承諾,引領全球從4G向5G演進,賦能各個社區和千行百業。第二代驍龍
2024-08-01 10:12:351744

新品 | 采用第二代1200V CoolSiC? MOSFET的集成伺服電機的驅動

新品采用第二代1200VCoolSiCMOSFET的集成伺服電機的驅動REF-DR3KIMBGSIC2MA是為集成伺服電機的驅動應用而開發的升級版逆變器和柵極驅動板。設計用于評估采用
2024-09-05 08:03:27987

AMD推出第二代Versal Premium系列

近日,AMD(超威,納斯達克股票代碼:AMD )今日宣布推出第二代 AMD Versal Premium 系列,這款自適應 SoC 平臺旨在面向各種工作負載提供最高水平系統加速。第二代 Versal
2024-11-13 09:27:161423

簡單認識第二代通Oryon CPU

在不久前的2024驍龍峰會上,備受矚目的新一驍龍旗艦移動平臺——驍龍8至尊版正式發布。這款以“至尊版”命名的全新平臺也是首個采用第二代通Oryon CPU的移動平臺。憑借領先的CPU、GPU
2024-11-13 09:43:291904

簡單認識第二代驍龍XR2+平臺

在全新的數字浪潮中,虛擬現實(VR)和混合現實(MR)技術不斷刷新著人們的感官體驗。作為這些技術的核心驅動力,平臺的性能升級也變得尤為重要。通打造的第二代驍龍XR2+平臺,能夠帶來更加清晰沉浸的MR和VR體驗,為開啟沉浸式未來提供更多可能。
2025-01-07 10:28:341866

第二代AMD Versal Premium系列產品亮點

第二代 AMD Versal Premium 系列提供了全新水平的存儲器和數據帶寬,具備 CXL 3.1、PCIe Gen6 和 DDR5/LPDDR5X 接口功能,可滿足當今和未來數據中心、通信
2025-01-08 11:50:231297

第二代AMD Versal Premium系列器件的主要應用

隨著數據中心工作負載持續呈指數級增長,存儲層也需要同等的性能提升才能跟上步伐。第二代 AMD Versal Premium 系列器件為各種存儲應用提供了巨大優勢,包括企業級 SSD、加密/壓縮加速
2025-01-15 14:03:461089

簡單認識第二代通3D Sonic傳感

目前,已有多款搭載驍龍8至尊版移動平臺的新機陸續發布,其中不少機型采用第二代通3D Sonic超聲波指紋解鎖,為用戶帶來了更為便捷、高效的解鎖體驗。作為通新一超聲波指紋解鎖解決方案,第二代
2025-01-21 10:05:301522

新品 | 第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC爬電距離

新品第二代CoolSiCMOSFETG2分立器件1200VTO-247-4HC爬電距離采用TO-247-4HC爬電距離封裝的第二代CoolSiCMOSFETG21200V12mΩ至78mΩ系列以
2025-02-08 08:34:44973

英飛凌第二代 CoolSiC? MOSFET G2分立器件 1200 V TO-247-4HC爬電距離

英飛凌第二代CoolSiC MOSFET G2分立器件1200V TO-247-4HC爬電距離 采用TO-247-4HC爬電距離封裝的第二代CoolSiC MOSFET G2 1200V 12m
2025-03-15 18:56:321137

新品 | 采用.XT擴散焊和第二代1200V SiC MOSFET的Easy C系列

新品采用.XT擴散焊和第二代1200VSiCMOSFET的EasyC系列EasyPACK2C1200V8mΩ三電平模塊、EasyPACK2C1200V8mΩ四單元模塊以及
2025-11-24 17:05:151203

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