納米制造DRAM已能創(chuàng)造充足的利潤，因此相較于應用處理器（AP）和快閃存儲器（NAND Flash），DRAM的微細制程技術(shù)發(fā)展較緩慢。
2014-04-04 09:08:42
1577 的應用。然而，隨著 8Gb DRAM 的推出，LRDIMM 已提供出色的備選解決方案，能同時滿足更深存儲器和更高數(shù)據(jù)帶寬需求。IDT詳細解讀了這兩種模塊優(yōu)劣式和實用案例。
2016-05-13 17:33:525173 
并入晶豪的宜揚等高層轉(zhuǎn)戰(zhàn)武漢新芯，并傳出華亞科前資深副總劉大維在合肥招兵買馬，開出3倍薪水挖角過去在臺有DRAM經(jīng)驗的人才。不過，業(yè)界認為大陸存儲器發(fā)展關(guān)鍵在于取得合法技術(shù)，至于生產(chǎn)制造及人才將是次要條件。
2016-11-22 16:06:151867 目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的技術(shù)和物理局限性使其很難再縮小技術(shù)節(jié)點。在這種環(huán)境下，業(yè)界試圖利用新材料和新概念發(fā)明一種更好
2017-12-18 10:02:216033 
靜態(tài)隨機存儲器(SRAM: Static Random Access Memory) 和動態(tài)隨機存儲器DRAM(Dynamic Random Access Memory)。
2023-06-25 14:30:185523 
DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）存儲器主要通過電容來存儲信息。這些電容用于存儲電荷，而電荷的多寡則代表了一個二進制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:365076 
隨著科技的飛速發(fā)展，時鐘緩沖器作為電子設(shè)備中的關(guān)鍵部件，其技術(shù)性能和市場需求也在不斷提高。本文將以國產(chǎn)時鐘緩沖器為切入點，深入探討其技術(shù)革新和市場競爭。一、國產(chǎn)時鐘緩沖器的技術(shù)革新1.高精度控制技術(shù)
2025-11-18 17:14:535941 
動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)第四季價格持續(xù)下跌，存儲器封測廠受到客戶要求降價，近期已同意本季調(diào)降調(diào)降封測售價5%到10%，將沖擊本季毛利表現(xiàn)。
2011-11-19 00:26:271445 
最多的DRAM有什么特點呢？它的工藝是什么情況？（通常所說的內(nèi)存就是DRAM）答：1）DRAM需要進行周期性的刷新操作，我們不應將SRAM與只讀存儲器（ROM）和Flash Memory相混淆，因為
2012-08-15 17:11:45
DRAM是一種半導體存儲器，主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制bit是1還是0。與SRAM相比的DRAM的優(yōu)勢在于結(jié)構(gòu)簡單，每一個bit的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處
2020-12-10 15:49:11
DRAM存儲器M12L1616lA資料分享
2021-05-12 08:06:46
才會停止DRAM的投資。從目前各新興存儲器的技術(shù)進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區(qū)，而且不需要更新電流(refresh current)，對功耗問題大有好處。況且這些技術(shù)也都可以3D堆疊
2018-10-12 14:46:09
一種特定的類型：DRAM。DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）是一種基于充電電容器的存儲技術(shù)，實現(xiàn)起來非常快且便宜。它還允許高密度。但是DRAM并非沒有缺陷。DRAM中的一位可以存儲為電容器上是否存在電荷
2020-09-25 08:01:20
以分成SRAM(Static RAM：靜態(tài)RAM)和DRAM(dynamic RAM：動態(tài)RAM)。ROM是Read Only Memory的縮寫，翻譯過來就是只讀存儲器。常見的ROM又可分為掩膜ROM
2012-01-06 22:58:43
技術(shù)的日趨成熟,存儲器價格會回穩(wěn).然而就DRAM市場來說,誰也不知道DRAM的供貨何時才會穩(wěn)定下來.再來看市場需求狀況,雖然有些存儲器市場分段的市場需求正在增長,但是這些分段的增長幅度并不高,可見主要的問題是來自于供給側(cè).
2019-07-16 08:50:19
內(nèi)部程序，其特點是價格便宜。 2、可編程的只讀存儲器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only Time
2017-10-24 14:31:49
更改內(nèi)部程序，其特點是價格便宜。 2、可編程的只讀存儲器（PROM）： 它的內(nèi)容可由用戶根據(jù)自已所編程序一次性寫入，一旦寫入，只能讀出，而不能再進行更改，這類存儲器現(xiàn)在也稱為OTP（Only
2017-12-21 17:10:53
目錄【1】存儲器的層次結(jié)構(gòu)【2】存儲器的分類【3】SRAM基本原理：結(jié)構(gòu)：芯片參數(shù)與引腳解讀：CPU與SRAM的連接方式【4】DRAM基本原理：結(jié)構(gòu)芯片引腳解讀：【5】存儲器系統(tǒng)設(shè)計【6】存儲器擴展
2021-07-29 06:21:48
存儲器的理解存儲器是由簡單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進行組合形成邏輯上的與非或門，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲信息，例如R-S鎖存器和門控D鎖存器，進而進一步組合復雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
存儲器可劃分為哪幾類？存儲器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲器芯片與CPU芯片是怎樣進行連接的？
2021-09-16 07:12:10
EVERSPIN非易失性存儲器嵌入式技術(shù)
2020-12-21 07:04:49
各位大神好，我想用FPGA讀寫DRAM存儲器，求大神指點哪位大佬有代碼分析一份更是感激不盡，好人一生平安。
2018-01-14 15:31:32
Flash存儲器分為哪幾類？Flash存儲器有什么特點？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-11-03 06:22:12
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns~20ns之間。它不需要閃存所必需
2023-04-07 16:41:05
具有非易失性，即使切斷電源，信息也不會丟失，而且它和DRAM一樣可隨機存取。表1存儲器的技術(shù)規(guī)格比較在性能方面，自旋注入MRAM的讀取1擦寫時間都很短，均在2ns至20ns之間。它不需要閃存所必需
2022-02-11 07:23:03
先進的傳感器技術(shù)和軟件技術(shù)。TDK通過提供高性能的復合型傳感器和創(chuàng)新型軟件組成的傳感器融合等，強勢支援無人機的技術(shù)革新和市場發(fā)展。 無人機是一種電動型無人航空器（UAV），市面上的主流產(chǎn)品為超過4個
2020-07-09 11:37:02
存儲器是怎樣進行分類的？分為哪幾類？為什么要對DRAM進行刷新？如何進行刷新？
2021-09-28 08:50:24
在單板設(shè)計中，無論是涉及到一個簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復雜的單板設(shè)計，都離不開存儲器設(shè)計：
1、存儲器介紹
存儲器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導體存儲器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
據(jù)新華社7月2日報道，相變存儲器，具有功耗低、寫入速度快、斷電后保存數(shù)據(jù)不丟失等優(yōu)點，被業(yè)界稱為下一代存儲技術(shù)的最佳解決方案之一。記者近日從中科院上海微系統(tǒng)所獲悉，由該所研發(fā)的國際領(lǐng)先的嵌入式相變存儲器現(xiàn)已成功應用在打印機領(lǐng)域，并實現(xiàn)千萬量級市場化銷售，未來中國在該領(lǐng)域有望實現(xiàn)“彎道超車”。
2019-07-16 06:44:43
的測試系統(tǒng)應運而生。本文提出了一種多功能存儲器芯片的測試系統(tǒng)硬件設(shè)計與實現(xiàn)，對各種數(shù)據(jù)位寬的多種存儲器芯片（SRAM、MRAM、NOR FALSH、NAND FLASH、EEPROM等）進行了詳細的結(jié)口
2019-07-26 06:53:39
如何實現(xiàn)擴展存儲器的設(shè)計？
2021-10-28 08:08:51
TPMS技術(shù)及輪胎定位原理是什么？如何解決TPMS輪胎換位和調(diào)換輪胎時的重新定位問題？怎么實現(xiàn)外置編碼存儲器輪胎定位技術(shù)？
2021-05-14 06:13:50
?過去存儲器與晶圓代工業(yè)大致上可以說是「楚河漢界，井水不犯河水」。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器
2018-12-24 14:28:00
數(shù)據(jù)存儲器 FLASH程序存儲器 FLASH數(shù)據(jù)存儲器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲器各有什么區(qū)別？特點？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶數(shù)據(jù)存儲器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
目前高級應用要求新的存儲器技術(shù)能力出現(xiàn)。隨著電子系統(tǒng)需要更多的代碼和數(shù)據(jù)，所導致的結(jié)果就是對存儲器的需求永不停歇。相變存儲器(PCM)以創(chuàng)新的關(guān)鍵技術(shù)特色滿足了目前電子系統(tǒng)的需要。針對電子系統(tǒng)的重點
2018-05-17 09:45:35
研發(fā)，致力于實現(xiàn)更高效、更安全、更環(huán)保的蓄電池放電技術(shù)。
智能化放電管理系統(tǒng)是當前蓄電池放電技術(shù)革新的一個重要方向。通過集成先進的傳感器、微處理器和控制算法，這些系統(tǒng)能夠?qū)崟r監(jiān)測電池狀態(tài)，精確控制放電
2025-02-08 12:59:30
隨著微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，SRAM存儲器逐漸呈現(xiàn)出高集成度、快速及低功耗的發(fā)展趨勢。在半導體存儲器的發(fā)展中，靜態(tài)存儲器(SRAM)由于其廣泛的應用成為其中不可或缺的重要一員。下面詳細介紹關(guān)于SRAM
2022-11-17 16:58:07
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-19 11:53:09
。正如你所猜想的一樣，被稱為只讀存儲器的東西肯定不容易進行寫入操作，而事實上是根本不能寫入。所有由ROM技術(shù)研發(fā)出的存儲器則都具有寫入信息困難的特點。這些技術(shù)包括有EPROM(幾乎已經(jīng)廢止
2011-11-21 10:49:57
存儲器技術(shù).doc
計算機的主存儲器（Main Memory），又稱為內(nèi)部存儲器，簡稱為內(nèi)存。內(nèi)存實質(zhì)上是一組或多組具備數(shù)據(jù)輸
2007-06-05 16:33:48
40
存儲器的分類及原理,動態(tài)隨機存儲器,靜態(tài)隨機存儲器,只讀存儲器,其他存儲器和技術(shù).
2008-08-17 22:29:4320 面向納電子時代的非易失性存儲器
摘要
目前主流的基于浮柵閃存技術(shù)的非易失性存儲器（NVM）技術(shù)有望成為未來幾年的參考技術(shù)。但是，閃存本身固有的
2009-12-25 09:37:28840 相變存儲器：能實現(xiàn)全新存儲器使用模型的新型存儲器
從下面的幾個重要特性看，相變存儲器（PCM）技術(shù)均符合當前電子系統(tǒng)對存儲器子系統(tǒng)的需求：
容量
2009-12-31 10:09:301360 基于當代DRAM結(jié)構(gòu)的存儲器控制器設(shè)計
1、引言
當代計算機系統(tǒng)越來越受存儲性能的限制。處理器性能每年以60％的速率增長，存儲器芯片每年僅僅增加10％的
2009-12-31 10:57:031028 
相變存儲器(PCM)是新一代非揮發(fā)性存儲器技術(shù)。透過比較PCM與現(xiàn)有的SLC和
2010-11-11 18:09:422586 日本半導體巨頭爾必達及其子公司秋田爾必達22日宣布，已開發(fā)出全球最薄的動態(tài)隨機存儲器(DRAM)，4塊疊加厚度僅為0.8毫米
2011-06-23 08:43:361316 日前，存儲器芯片主要供應商之一美光公司（Micron）在香港舉行了 2014 夏季分析師大會，會上美光的高層管理人員就 DRAM、NAND 和新型存儲器的市場趨勢、技術(shù)發(fā)展以及 Micron 的公司
2017-10-20 16:08:2649 FPGA中的存儲塊DRAM 某些FPGA終端，包含板載的、可以動態(tài)隨機訪問的存儲塊（DRAM），這些存儲塊可以在FPGA VI中直接訪問，速率非常高。 DRAM可以用來緩存大批量的數(shù)據(jù)，而且速度可以
2017-11-15 15:13:063688 
中國半導體發(fā)展風起云涌，購并、建廠消息不斷，在市場、國安等考量下，存儲器更是中國重點發(fā)展項目，成為多方人馬競逐的主戰(zhàn)場。中國存儲器后進廠商 2018 年開始產(chǎn)能逐步開出，目前狀況到底如何？有相關(guān)研究機構(gòu)做了圖表簡單解析。
2017-11-16 10:49:581054 中國存儲器產(chǎn)業(yè)如何發(fā)展？本文從純市場的角度，就DRAM、NAND Flash、封測技術(shù)和發(fā)展思路等方面提出幾點思考。
2018-03-07 17:46:006778 
存儲器芯片領(lǐng)域，主要分為兩類：易失性和非易失性。易失性：斷電以后，存儲器內(nèi)的信息就流失了，例如 DRAM，主要用來做PC機內(nèi)存(如DDR)和手機內(nèi)存(如LPDDR)，兩者各占三成。非易失性：斷電以后
2018-04-09 15:45:33113864 和美光均采用IDM模式繼續(xù)保持壟斷地位，合計市占率超過95%，國產(chǎn)廠商開始積極布局，2018年將實現(xiàn)量產(chǎn)，有望逐步改變當前產(chǎn)業(yè)格局。DRAM消費產(chǎn)品中，移動終端、服務(wù)器和PC依舊占據(jù)頭三名，合計占比86%，未來將繼續(xù)拉動DRAM消費增長。
2018-05-17 10:12:003740 DRAM技術(shù)上取得的進步伴隨著多內(nèi)核處理器的出現(xiàn)、新的操作系統(tǒng)，以及跨多種不同運算平臺和應用的越來越多的不同要求，包括服務(wù)器、工作站、海量存儲系統(tǒng)、超級計算機、臺式電腦和筆記本電腦和外設(shè)。存儲器技術(shù)
2020-05-21 07:52:007926 
半導體存儲器可以簡單分成易失性存儲器和非易失性存儲器，易失存儲器在過去的幾十年里沒有特別大的變化，依然是以靜態(tài)隨機存取存儲器（SRAM）、動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）為主，非易失存儲器反而不斷有
2019-01-01 08:55:0013980 
盡管ㄧ些新存儲器技術(shù)已經(jīng)研發(fā)出來，但在這競爭激烈的市場，只有極少數(shù)能夠成功。 圖1是ㄧ些新存儲器技術(shù)的列表。然而，無論哪一個技術(shù)勝出，這些新型非易失性技術(shù)系統(tǒng)的功耗肯定會低于現(xiàn)有的嵌入式 NOR 閃存和 SRAM，或是，離散 的 DRAM 和 NAND 閃存的系統(tǒng)。
2018-12-24 11:04:3411902 
過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2018-12-25 14:39:563714 隨機存取存儲器（RAM）特點：包括DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）和SRAM（靜態(tài)隨機存取存儲器），當關(guān)機或斷電時，其中的 信息都會隨之丟失。 DRAM主要用于主存（內(nèi)存的主體部分），SRAM主要用于高速緩存存儲器。
2019-01-07 16:46:4916885 過去存儲器與晶圓代工可以說是“楚河漢界，井水不犯河水”。但在即將來臨的時代，存儲器業(yè)者覬覦占了全球65%的非存儲器市場，而存儲器技術(shù)從過去的DRAM、3D NAND，正逐漸走向磁阻式存儲器(MRAM)等完全不同模式的新技術(shù)。
2019-09-10 15:24:411115 業(yè)內(nèi)研究人員表示，中國目前有三家廠商正在建設(shè)的閃存與存儲器工廠，旨在確保自身能夠在NAND與DRAM方面實現(xiàn)自給自足。
2019-09-20 16:53:012152 據(jù)近日報道，面對存儲器半導體產(chǎn)業(yè)市場低迷，三星電子，SK海力士，鎂光企圖通過新舊世代的產(chǎn)品交替，克服危機。
2019-10-25 10:22:531096 據(jù)臺媒報道，由于第一季度表現(xiàn)良好，加上存儲器產(chǎn)業(yè)下半年需求有望升溫，臺灣存儲器模組廠宇瞻股價一路高漲15.9%。
2020-03-08 18:32:312419 電子DRAM芯片產(chǎn)品與技術(shù)執(zhí)行副總裁指出，隨著以EUV技術(shù)所生產(chǎn)出的新型DRAM芯片量產(chǎn)，展示著三星對提供革命性的DRAM芯片解決方案以支援全球IT客戶需求的承諾。這項重大進展也說明了三星將如何透過即時開發(fā)高端制程技術(shù)來生產(chǎn)高端存儲器芯片市場的下一代產(chǎn)品，繼續(xù)
2020-04-03 15:47:511320 關(guān)于SRAM隨機存儲器的特點及結(jié)構(gòu)。 SRAM隨機存儲器的特點 隨機存儲器最大的特點就是可以隨時對它進行讀寫操作，但當電源斷開時，存儲信息便會消失。隨機存儲器依照數(shù)據(jù)存儲方式的不同，主要可以分為動態(tài)隨機存儲器（DRAM）與靜態(tài)隨機存儲器
2020-04-30 15:48:133900 
最近30年，隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，半導體存儲器也正朝著顯著的方向發(fā)展，由于DRAM具有高密度和每位低價格的優(yōu)點，已成為了生產(chǎn)最多的用于計算機主體的易失性存儲器（也稱為揮發(fā)性存儲器）。SRAM
2020-05-19 09:27:543009 良好的設(shè)計是成功制造非易失性存儲器產(chǎn)品的重要關(guān)鍵，包括測試和驗證設(shè)備性能以及在制造后一次在晶圓和設(shè)備級別進行質(zhì)量控制測試。新興的非易失性存儲器技術(shù)的制造和測試，這些技術(shù)將支持物聯(lián)網(wǎng)，人工智能以及先進
2020-06-09 13:46:161487 
靜態(tài)數(shù)據(jù)隨機存儲器存儲器（SRAM）是隨機存儲器存儲器的一種。說白了的靜態(tài)數(shù)據(jù)，就是指這類存儲器要是維持接電源，里邊存儲的數(shù)據(jù)信息就可以恒常維持。相對性下，動態(tài)性隨機存儲器存儲器（DRAM）里邊所存儲
2020-08-10 16:43:2416581 獨立存儲器市場和相關(guān)技術(shù)的摘要，包括NAND，DRAM，持久性存儲器，NOR，（NV）SRAM，新興的NVM等。
2020-10-20 10:41:444749 
。 過去的DRAM不再用于較小的系統(tǒng)，因為它們需要DRAM控制器。SRAM進入了內(nèi)存需求小的系統(tǒng)。DRAM進入更大的存儲器，并伴隨著用于更大存儲器的控制器。 傳統(tǒng)存儲器供應商提供可預測的價格和長期客戶支持很重要，因為新設(shè)計仍然使用較舊的
2020-11-24 16:29:11939 鐵電存儲器（FRAM，ferroelectric RAM）是一種隨機存取存儲器，它將動態(tài)隨機存取存儲器（DRAM）的快速讀取和寫入訪問——它是個人電腦存儲中最常用的類型——與在電源關(guān)掉后保留數(shù)據(jù)能力（就像其他穩(wěn)定的存儲設(shè)備一樣，如只讀存儲器和閃存）結(jié)合起來。
2020-12-03 11:53:168369 最近Techinsights舉辦了一場關(guān)于存儲技術(shù)的網(wǎng)絡(luò)研討會，Jeongdong Choe博士介紹了他對最新的DRAM，NAND，新興和嵌入式存儲器技術(shù)的觀察與分析。以下概述了討論的相關(guān)主題。DRA
2020-12-24 13:13:461607 伴隨著物聯(lián)網(wǎng)、人工智能等應用的興起，存儲器也面臨著革新。傳統(tǒng)的DRAM受限于EUV的發(fā)展，平面NAND也面臨著微縮的限制，而最終采取垂直方向上朝著3D方向發(fā)展。在傳統(tǒng)存儲技術(shù)接受挑戰(zhàn)的過程中，類似于MRAM等新型存儲技術(shù)也開始逐漸在市場上展露頭角。
2021-01-18 11:16:153659 
隨機存儲存儲器，可讀可寫，分為SRAM和DRAM，即靜態(tài)隨機存儲器和動態(tài)隨機存儲器，理解上靜動態(tài)主要體現(xiàn)是否需要刷新，通常DRAM需要刷新，否則數(shù)據(jù)將丟失;SRAM的效率較好，而成本較高，通常將SRAM作為cache使用。
2021-03-18 15:14:065292 SRAM(StaticRandom-AccessMemory）：靜態(tài)隨機存儲器，所謂的“靜態(tài)”，是指這種存儲器只要保持通電，里面儲存的數(shù)據(jù)就可以恒常保持。DRAM（Dynamic Random
2021-10-28 09:51:2011 Memory4、EPROM——(UV)Erazible Programmable ROM5、EEPROM/E2PROM——Electrical ErasableProgrammable ROM6、靜態(tài)存儲器 SRAM——Static RAM(動態(tài)存儲器 DRAM——Dynamic RAM)7、按字節(jié)尋
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2023-02-08 10:14:5712490 在當前計算密集的高性能系統(tǒng)中，動態(tài)隨機存儲器（DRAM）和嵌入式動態(tài)隨機存取存儲器（embedded-DRAM，eDRAM)是主要的動態(tài)快速讀/寫存儲器。
2023-02-08 10:14:391354 
SRAM也是易失性存儲器，但是，與DRAM相比，只要設(shè)備連接到電源，信息就被存儲，一旦設(shè)備斷開電源，就會失去信息。
這個設(shè)備比DRAM要復雜得多，它一般由6個晶體管組成，因此被稱為6T存儲器(如圖1)。
2023-03-21 14:27:0111790 
DRAM（Dynamic Random Access Memory）存儲器是一種易失性存儲器，意味著當斷電時，存儲在其中的信息會丟失。這是因為DRAM使用電容來存儲數(shù)據(jù)，電容需要持續(xù)地充電來保持數(shù)據(jù)的有效性。一旦斷電，電容會迅速失去電荷，導致存儲的數(shù)據(jù)丟失。
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2023-08-21 14:30:023358 近日，三星宣布正在研發(fā)一種新型的LLW DRAM存儲器，這一創(chuàng)新技術(shù)具有高帶寬和低功耗的特性，有望引領(lǐng)未來內(nèi)存技術(shù)的發(fā)展。
2024-01-12 14:42:031225 ROM、RAM、DRAM和SRAM都是計算機存儲技術(shù)的術(shù)語，它們代表了不同類型的存儲器，各自有不同的特性和用途
2024-04-15 10:54:272183 三星在DRAM芯片工藝方面也取得了令人矚目的突破。他們的DRAM芯片工藝已達到1b nm級別，并計劃在今年內(nèi)啟動1c nm DRAM的量產(chǎn)工作。
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2024-05-31 10:02:021439 在科技日新月異的今天，DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）作為計算機系統(tǒng)中的關(guān)鍵組件，其技術(shù)革新一直備受矚目。近日，據(jù)業(yè)界權(quán)威消息源透露，韓國兩大DRAM芯片巨頭——三星和SK海力士，都將在新一代高帶寬
2024-06-25 10:01:361486 SK海力士即將在8月6日至8日于美國圣克拉拉舉辦的全球半導體存儲器峰會FMS 2024上大放異彩，向全球業(yè)界展示其在存儲器技術(shù)領(lǐng)域的最新進展與對人工智能（AI）未來的深邃洞察。此次參展，SK海力士不僅將全面呈現(xiàn)其存儲器產(chǎn)品的技術(shù)革新，更將焦點對準了下一代AI存儲器技術(shù)的璀璨前景。
2024-08-05 09:26:391110 非易失性存儲器，主要用于存儲固件、操作系統(tǒng)和其他重要數(shù)據(jù)。 存儲方式： RAM存儲器使用動態(tài)存儲器（DRAM）或靜態(tài)存儲器（SRAM）來存儲數(shù)據(jù)。 ROM存儲器使用各種類型的非易失性存儲技術(shù)，如PROM
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2024-09-10 14:42:493256 DRAM（Dynamic Random Access Memory）即動態(tài)隨機存儲器，是一種半導體存儲器，用于計算機系統(tǒng)中的隨機存取存儲。它由許多存儲單元組成，每個存儲單元可以存儲一位或多位數(shù)據(jù)。DRAM的主要特點是集成度高、成本低，但讀寫速度相對較慢，并且需要定期刷新以保持數(shù)據(jù)。
2024-10-12 17:06:114113 HBM（High Bandwidth Memory）即高帶寬存儲器，是一種基于 3D 堆疊技術(shù)的高性能 DRAM（動態(tài)隨機存取存儲器）。其核心設(shè)計是通過硅通孔（TSV）和微凸塊（Microbump
2025-07-18 14:30:122961
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