LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍(lán)寶石、硅（Si）、碳化硅（SiC）襯底材料以外，氧化鋅（ZnO）和氮化鎵（GaN）等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點(diǎn)。
2014-05-13 17:40:07
5181 正是由于“中國芯”硅襯底LED的諸多優(yōu)勢，目前三星等國際大公司以及LED行業(yè)幾大巨頭如飛利浦、歐司朗、CREE等都加大了對硅襯底LED技術(shù)的研發(fā)力度。面對國際企業(yè)的競爭壓力，朱立秋建議，要保持先發(fā)優(yōu)勢，避免“起個(gè)大早趕個(gè)晚集”，提升中國原創(chuàng)技術(shù)自主品牌的國際競爭力，已經(jīng)成為迫在眉睫的重要課題。
2016-03-08 10:52:294571 硅片的成分是硅，硅由石英砂精制而成。硅片經(jīng)硅元素（99．999％）提純后制成硅棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體材料。芯片是芯片制造所需的特定晶片。晶圓越薄，生產(chǎn)成本就越低，但對工藝的要求就越高。
2020-02-05 17:31:5020257 TFFC: 一般指經(jīng)過襯底剝離的薄膜LED芯片，做成倒裝結(jié)構(gòu)，稱為thin film flip chip，薄膜倒裝LED芯片或者去襯底倒裝LED芯片，簡稱TFFC。
2021-08-10 10:16:4712921 
外延工藝是指在襯底上生長完全排列有序的單晶體層的工藝。一般來講，外延工藝是在單晶襯底上生長一層與原襯底相同晶格取向的晶體層。外延工藝廣泛用于半導(dǎo)體制造，如集成電路工業(yè)的外延硅片。MOS 晶體管
2023-02-13 14:35:4717659 硅通孔（TSV） 是當(dāng)前技術(shù)先進(jìn)性最高的封裝互連技術(shù)之一。基于 TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點(diǎn)加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
2023-05-08 10:35:245731 
氧化鋁晶體導(dǎo)報(bào) 工藝情報(bào)交流記者李博民高工2011-10-20 長LED藍(lán)寶石的5N 氧化鋁 ，鐵必須小于5pp， 硅小于5pp， 鋯小于1pp ，鈦小于1pp，銅小于1ppm，鎳小于1pp，釔
2011-12-20 10:03:56
結(jié)構(gòu)﹐其耐高電流方面要稍差于TS單電極芯片。3.TS芯片定義和特點(diǎn)定義：TS 芯片：transparent structure(透明襯底)芯片，該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。特點(diǎn)﹕1.芯片工藝制作復(fù)雜
2016-11-04 14:50:17
的相應(yīng)位置點(diǎn)上銀膠或絕緣膠。（對于GaAs、SiC導(dǎo)電襯底，具有背面電極的紅光、黃光、黃綠芯片，采用銀膠。對于藍(lán)寶石絕緣襯底的藍(lán)光、綠光LED芯片，采用絕緣膠來固定芯片。） 工藝難點(diǎn)在于點(diǎn)膠量的控制，在
2020-12-11 15:21:42
硅-硅直接鍵合技術(shù)主要應(yīng)用于SOI、MEMS和大功率器件，按照結(jié)構(gòu)又可以分為兩大類：一類是鍵合襯底材料，包括用于高頻、抗輻射和VSIL的SOI襯底和用于大功率高壓器件的類外延的疏水鍵合N+-N-或
2018-11-23 11:05:56
想象中的那樣嗎？筆者從硅光芯片的優(yōu)勢、市場定位及行業(yè)痛點(diǎn)，帶大家深度了解真正的產(chǎn)業(yè)狀況。 硅光芯片的優(yōu)勢 硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調(diào)制器、有源芯片等組成
2020-11-04 07:49:15
?是提高性能和降低價(jià)值。硅襯底倒裝波LED芯片，效率會更高、工藝會更好。6英寸硅襯底上氮化鎵基大功率LED研發(fā)，有望降低成本50%以上。 目前已開發(fā)出6寸硅襯底氮化鎵基LED的外延及先進(jìn)工藝技術(shù)，光效
2014-01-24 16:08:55
芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實(shí)用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對工藝就要
2016-06-29 11:25:04
石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。晶圓越薄，成產(chǎn)的成本越低，但對工藝就要
2018-08-16 09:10:35
問:為什么現(xiàn)在的CMOS工藝一般都是用P襯底而不是N襯底？兩者有什么區(qū)別啊？答:為什么CMOS工藝采用P襯底，而不用N襯底？這主要從兩個(gè)方面來考慮：一個(gè)是材料和工藝問題；另一個(gè)是電氣性能問題。P型
2012-05-22 09:38:48
實(shí)現(xiàn)，必須采用微加工技術(shù)制造。微加工技術(shù)包括硅的體微加工技術(shù)、表面微加工技術(shù)和特殊微加工技術(shù)。體加工技術(shù)是指沿著硅襯底的厚度方向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">硅襯底進(jìn)行刻蝕的工藝，包括濕法刻蝕和干法刻蝕，是實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)的重要方法
2016-12-09 17:46:21
PCB制造工藝流程是怎樣的？
2021-11-04 06:44:39
XX nm制造工藝是什么概念？為什么說7nm是物理極限？
2021-10-20 07:15:43
，同時(shí)GaP的透明特性使得發(fā)光面積大增。然而，該工藝存在合格率低、使用設(shè)備復(fù)雜、制造成本高的缺點(diǎn)。近年來，***開始進(jìn)行了 倒裝襯底AlGaInP紅光芯片的制作研究，由于工藝適于批量化生產(chǎn)，且制造
2010-06-09 13:42:08
同一硅襯底上并排制造 nMOS 和 pMOS 晶體管。 制造方法概述 制作工藝順序硅制造（詳細(xì)內(nèi)容略）晶圓加工（詳細(xì)內(nèi)容略）光刻（詳細(xì)內(nèi)容略）氧化物生長和去除（詳細(xì)內(nèi)容略）擴(kuò)散和離子注入（詳細(xì)內(nèi)容略
2021-07-09 10:26:01
摘要：總結(jié)了制造模具的主要步驟。其中一些在過程的不同階段重復(fù)多次。此處給出的順序并不反映制造過程的真實(shí)順序。硅芯片形成非常薄（通常為 650 微米）的圓形硅片的一部分：原始晶片。晶圓直徑通常為
2021-07-01 09:34:50
工藝流程: 芯片設(shè)計(jì)，光掩模版制作，晶圓上電路制造，(薄膜氧化，平坦化，光刻膠涂布，光刻，刻蝕，離子注入擴(kuò)散，裸片檢測)
2025-03-27 16:38:20
蓋樓一樣，層層堆疊。
總結(jié)一下，芯片制造的主要過程包括晶圓加工、氧化、光刻、刻蝕、薄膜沉積、互連、測試和封裝。
晶圓，作為單晶柱體切割而成的圓薄片，其制作原料是硅或砷化鎵。高純度的硅材料提取自硅砂
2024-12-30 18:15:45
第二章對芯片制造過程有詳細(xì)介紹，通過這張能對芯片制造過程有個(gè)全面的了解
首先分為前道工序和后道工序
前道工序也稱擴(kuò)散工藝，占80%工作量，進(jìn)一步分為基板工藝和布線工藝。包括:沉積工藝
2024-12-16 23:35:46
芯片是未來眾多高技術(shù)產(chǎn)業(yè)的食糧，芯片設(shè)計(jì)制造技術(shù)成為世界主要大國競爭的最重要領(lǐng)域之一。而芯片生產(chǎn)設(shè)備又為芯片大規(guī)模制造提供制造基礎(chǔ)，因此更是整個(gè)半導(dǎo)體芯片產(chǎn)業(yè)金字塔頂端的尖尖。下面是小編帶領(lǐng)大家
2018-09-03 09:31:49
請大佬詳細(xì)介紹一下關(guān)于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)
2021-04-12 06:23:23
與封裝材料。大的耗散功率，大的發(fā)熱量，高的出光效率給LED封裝工藝，封裝設(shè)備和封裝材料提出了新的更高的要求。要想得到大功率LED器件就必須制備合適的大功率LED芯片，國際上通常的制造大功率LED芯片
2013-06-10 23:11:54
TS單電極芯片 三、TS芯片 定義：transparent structure(透明襯底)芯片、該芯片屬于HP 的專利產(chǎn)品。 特點(diǎn)： 1：芯片工藝制作復(fù)雜、遠(yuǎn)高于AS LED 2：信賴性
2018-01-31 15:21:20
SOI（Silicon-On-Insulator，絕緣襯底上的硅）技術(shù)是在頂層硅和背襯底之間引入了一層埋氧化層。通過在絕緣體上形成半導(dǎo)體薄膜，SOI材料具有了體硅所無法比擬的優(yōu)點(diǎn)：可以實(shí)現(xiàn)集成電路
2012-01-12 10:47:00
說說晶圓的主要原料。晶圓需要什么，需要硅。地球上第二豐富的元素是硅，而沙子、石頭里都含有硅（滿地都是硅，那為什么晶圓還缺呢！）。當(dāng)然這僅僅能說沙子可以造晶圓，造CPU，芯片。如果真用沙子來做晶圓，提煉
2019-09-17 09:05:06
資料介紹
此文檔是最詳盡最完整介紹半導(dǎo)體前端工藝和后端制程的書籍，作者是美國人Michael Quirk。看完相信你對整個(gè)芯片制造流程會非常清晰地了解。從硅片制造，到晶圓廠芯片工藝的四大基本類
2025-04-15 13:52:11
LED襯底目前主要是藍(lán)寶石、碳化硅、硅襯底三種。大多數(shù)都采用藍(lán)寶石襯底技術(shù)。碳化硅是科銳的專利，只有科銳一家使用，成本等核心數(shù)據(jù)不得而知。硅襯底成本低，但目前技術(shù)還不完善。 從LED成本上來看，用
2012-03-15 10:20:43
工藝，確立了硅表面MEMS加工工藝體系。表面硅MEMS加工技術(shù)的關(guān)鍵工藝有哪些？1、低應(yīng)力薄膜技術(shù)表面硅MEMS加工工藝主要是以不同方法在襯底表面加工不同的薄膜，并根據(jù)需要事先在薄膜下面已確定的區(qū)域
2018-11-05 15:42:42
的InGaN芯片制造方法在藍(lán)寶石襯底上生長出PN結(jié)后將藍(lán)寶石襯底切除再連接上傳統(tǒng)的四元材料，制造出上下電極結(jié)構(gòu)的大尺寸藍(lán)光LED驅(qū)動芯片。 5AlGaInN/碳化硅(SiC)背面出光法： 美國
2018-08-31 20:15:12
霍爾IC芯片的制造工藝霍爾IC傳感器是一種磁性傳感器，通過感應(yīng)磁場的變化，輸出不同種類的電信號。霍爾IC芯片主要有三種制造工藝，分別為 Bipolar、CMOS 和 BiCMOS 工藝，不同工藝的產(chǎn)品具有不同的電參數(shù)與磁參數(shù)特性。霍爾微電子柯芳（***）現(xiàn)為您分別介紹三種不同工藝產(chǎn)品的特點(diǎn)。
2016-10-26 16:48:22
LED芯片制造流程 隨著技術(shù)的發(fā)展，LED的效率有了非常大的進(jìn)步。在不久的未來LED會代替現(xiàn)有的照明燈泡。近幾年人們制造LED芯片過程中首先在襯底上制作氮
2009-11-13 09:33:154615 led芯片基礎(chǔ)知識
led芯片led芯片的主要材料是單晶硅.
led芯片作用？
芯片主要是把電轉(zhuǎn)化光的核心的東西,本公
2009-11-13 09:59:483027 藍(lán)寶石（Al2O3）,硅 (Si),碳化硅（SiC）LED襯底材料的選用比較
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用
2009-11-17 09:39:205804 硅襯底平面光波導(dǎo)開關(guān)原理圖
2010-03-20 11:36:271478 晶體硅太陽能電池制造工藝詳解
晶體硅太陽能電池的制造工藝流程說明如下：
（1） 切
2010-04-20 08:43:005125 目前日本日亞公司壟斷了藍(lán)寶石襯底上GaN基LED專利技術(shù)，美國CREE公司壟斷了SiC襯底上GaN基LED專利技術(shù)。因此，研發(fā)其他襯底上的GaN基LED生產(chǎn)技術(shù)成為國際上的一個(gè)熱點(diǎn)。南昌大學(xué)
2010-06-07 11:27:281907 
LED襯底材料有哪些種類
對于制作LED芯片來說，襯底材料的選用是首要考慮的問題。應(yīng)該采用哪種合適的襯底，需要
2011-01-05 09:10:255117 LED 芯片只是一塊很小的固體，它的兩個(gè)電極要在顯微鏡下才能看見， 加入電流后它才會發(fā)光，在制作工藝上除了要對LED 芯片的兩個(gè)電極進(jìn)行焊接。 從而引出正負(fù)電極之外。同時(shí)還要對
2011-05-09 17:00:03
0 LED 芯片的制造過程可概分為晶圓處理工序（Wafer Fabrication）、晶圓針測工序（Wafer Probe）、構(gòu)裝工序（Packaging）、測試工序（Initial Test andFinal Test）等幾個(gè)步驟。其中晶圓處理工序和晶圓
2011-09-13 17:50:02115 本文對高亮度LED制造工藝及其特點(diǎn)做了比較詳細(xì)的介紹，介紹了智能設(shè)計(jì)技術(shù)在LED制造工藝上的應(yīng)用，對其工藝的智能設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)方法進(jìn)行探討。通過結(jié)合高亮度LED制造工藝的特點(diǎn)，選定
2011-12-27 17:10:2955 目前市場上LED用到的襯底材料有藍(lán)寶石、碳化硅SiC、硅Si、氧化鋅 ZnO、 以及氮化鎵GaN，中國市場上99%的襯底材料是藍(lán)寶石，而就全球範(fàn)圍來看，藍(lán)寶石襯底的LED市場份額也占到95%以上
2012-11-28 09:22:543321 LED外延片的生產(chǎn)制作過程是非常復(fù)雜，本文詳細(xì)介紹了LED外延片的相關(guān)內(nèi)容，包括產(chǎn)品介紹、襯底材料。
2012-12-05 10:37:148709 南昌大學(xué)江風(fēng)益團(tuán)隊(duì)成功研發(fā)硅襯底LED技術(shù)，使中國成為世界上繼日美之后第三個(gè)掌握藍(lán)光LED自主知識產(chǎn)權(quán)技術(shù)的國家。這項(xiàng)高新技術(shù)和成功產(chǎn)業(yè)化，獲得了2015年度國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)，硅襯底時(shí)代隨即到來。
2016-05-11 16:38:437402 LED 芯片的制造工藝流程：外延片→清洗→鍍透明電極層→透明電極圖形光刻→腐蝕→去膠→平臺圖形光刻→干法刻蝕→去膠→退火→SiO2 沉積→窗口圖形光刻→SiO2 腐蝕→去膠→N極圖形光刻→預(yù)清洗→鍍膜→剝離→退火→P 極圖形光刻→鍍膜→剝離→研磨→切割→芯片→成品測試。
2016-08-05 17:45:2122141 
芯片是五面發(fā)光的，通常需要將將芯片置于支架內(nèi)，反光杯的開口面積遠(yuǎn)大于芯片發(fā)光面積，導(dǎo)致單位面積光通量低，芯片表面顏色均勻性非常差，芯片正上方偏藍(lán)，而外圈偏黃。 基于氮化鎵的藍(lán)/白光LED的芯片結(jié)構(gòu)強(qiáng)烈依賴于所用的襯底材料。目前大部分廠商采用藍(lán)寶石作為襯底材料
2016-11-05 08:19:158606 江西省綠野汽車照明公司董事長許波介紹，他們公司采用晶能光電獲得國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)的硅襯底LED作為前大燈的光源，在工藝上充分利用硅襯底LED功率大、光效高、散熱好、光方向易管控等優(yōu)勢，設(shè)計(jì)制造出先進(jìn)的LED汽車照明產(chǎn)品。
2016-11-17 23:07:55892 當(dāng)代LED大部分是由一個(gè)組合的氮化銦鎵（InGaN）和藍(lán)寶石襯底。建筑作品，使得LED制造商提供150 lm/W，然而過量的參展功效產(chǎn)品，建筑也有一些缺點(diǎn)，鼓勵(lì)芯片制造商尋求其他選擇。
2017-06-01 10:49:394 非晶硅薄膜太陽能電池及制造工藝 內(nèi)容提綱 一、非晶硅薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)、制造技術(shù)簡介 二、非晶硅太陽能電池制造工藝 三、非晶硅電池封裝工藝 一、 非晶硅薄膜太陽能電池結(jié)構(gòu)、制造技術(shù)簡介 1、電池結(jié)構(gòu)
2017-09-27 17:37:2228 芯片制造主要有五大步驟：硅片制備、芯片制造、芯片測試與挑選、裝配與封裝、終測。集成電路將多個(gè)元件結(jié)合在了一塊芯片上，提高了芯片性能、降低了成本。隨著硅材料的引入，芯片工藝逐步演化為器件在硅片上層以及電路層的襯底上淀積。
2018-01-30 11:03:3985475 
從結(jié)構(gòu)圖中看出，si襯底芯片為倒裝薄膜結(jié)構(gòu)，從下至上依次為背面Au電極、si基板、粘接金屬、金屬反射鏡（P歐姆電極）、GaN外延層、粗化表面和Au電極。這種結(jié)構(gòu)芯片電流垂直分布，襯底熱導(dǎo)率高，可靠性高；發(fā)光層背面為金屬反射鏡，表面有粗化結(jié)構(gòu)，取光效率高。
2018-08-17 15:11:394640 顯示技術(shù)。作為全球硅襯底GaN基LED技術(shù)的領(lǐng)跑者，晶能光電最近也將目光投向了Micro LED。
2018-08-27 17:37:127860 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是集成電路工藝技術(shù)教程之半導(dǎo)體襯底的詳細(xì)資料說明主要內(nèi)容包括了：1、集成電路發(fā)展歷程回顧 2、描述天然硅原料如何加工提煉成半導(dǎo)體級硅
2018-11-19 08:00:0024 從電路設(shè)計(jì)到芯片完成離不開集成電路的制備工藝，本章主要介紹硅襯底上的CMOS集成電路制造的工藝過程。有些CMOS集成電路涉及到高壓MOS器件（例如平板顯示驅(qū)動芯片、智能功率CMOS集成電路等），因此高低壓電路的兼容性就顯得十分重要，在本章最后將重點(diǎn)說明高低壓兼容的CMOS工藝流程。
2019-07-02 15:37:43122 、Si，因此形成了三條不同的技術(shù)路線。從當(dāng)前LED用襯底行業(yè)發(fā)展來看，藍(lán)寶石襯底仍為LED襯底主流，硅襯底綜合性價(jià)比高，有望引領(lǐng)市場，同時(shí)，在LED下游應(yīng)用領(lǐng)域市場平穩(wěn)增長的拉動下，上游LED襯底材料需求將持續(xù)增長。
2019-07-30 15:14:034226 針對射頻應(yīng)用，華虹宏力可提供硅襯底全系列工藝解決方案，包括 RF SOI、與邏輯工藝兼容的RF CMOS、SiGe BiCMOS以及IPD等技術(shù)。多家芯片廠商已在華虹宏力的RF SOI平臺量產(chǎn)。其中，0.2微米射頻SOI工藝設(shè)計(jì)套件（PDK）專為無線射頻前端優(yōu)化，頗受市場好評。
2019-10-18 08:45:365746 目前LED產(chǎn)業(yè)大多以2英寸或4英寸的藍(lán)寶石基板為主，如能采用硅基氮化鎵技術(shù)，至少可節(jié)省75%的原料成本。據(jù)日本三墾電氣公司估計(jì)，使用硅襯底制作大尺寸藍(lán)光氮化鎵LED的制造成本將比藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底低90%。
2019-09-12 16:03:314714 11月22日，2019年新當(dāng)選科學(xué)院院士名單正式公布。硅襯底LED技術(shù)發(fā)明人、晶能光電創(chuàng)始人、南昌大學(xué)副校長江風(fēng)益教授赫列其中，這是國家對其科學(xué)成就的最高榮譽(yù)，也是繼硅襯底LED技術(shù)獲得2015年國家技術(shù)發(fā)明獎(jiǎng)一等獎(jiǎng)以來，我國LED照明領(lǐng)域的又一件大喜事。
2019-11-23 10:57:433419 硅光芯片是將硅光材料和器件通過特殊工藝制造的集成電路，主要由光源、調(diào)制器、探測器、無源波導(dǎo)器件等組成，將多種光器件集成在同一硅基襯底上。硅光芯片的具有集成度高、成本低、傳輸帶寬更高等特點(diǎn)，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">硅光
2020-06-11 09:02:1918989 在這項(xiàng)新開發(fā)的工藝中，密封結(jié)構(gòu)不在多晶硅膜片區(qū)域，而是在多晶硅膜片周圍的單晶硅島和單晶硅框架上。所以，多晶硅膜片能夠保持平坦和光滑，從而提高了傳感器芯片性能和制造成品率。更重要的是，薄膜片梁島結(jié)構(gòu)
2020-06-29 10:00:363373 本章將介紹基本芯片生產(chǎn)工藝的概況，主要闡述4中最基本的平面制造工藝，分別是：薄膜制備工藝摻雜工藝光刻工藝熱處理工藝薄膜制備是在晶體表面形成薄膜的加工工藝。
2021-04-08 15:51:30160 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:205390 
芯片的原料晶圓，晶圓的成分是硅，硅是由石英沙所精練出來的，晶圓便是硅元素加以純化（99.999%），接著是將些純硅制成硅晶棒，成為制造集成電路的石英半導(dǎo)體的材料，將其切片就是芯片制作具體需要的晶圓。
2021-12-08 11:41:5921417 芯片的主要成分是硅。
2021-12-25 17:21:1010580 Micro LED被譽(yù)為新時(shí)代顯示技術(shù)，但目前仍面臨關(guān)鍵技術(shù)、良率、和成本的挑戰(zhàn)。 微米級的Micro LED已經(jīng)脫離了常規(guī)LED工藝，邁入類IC制程。相對其它競爭方案，大尺寸硅襯底氮化鎵（GaN
2022-08-17 12:25:421759 常規(guī)的絕緣層上硅 (Silicon on Insulator, SOI）是通過注氧隔離 (Separation by Implanted Oxygen, SIMOX)、智能切割 （Smart Cut） 等方法在體硅襯底中引入絕緣層，從而達(dá)到表層硅與襯底硅電學(xué)隔離的目的的。
2022-10-12 09:09:263458 硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-06 15:47:337273 
硅基氮化鎵技術(shù)是一種將氮化鎵器件直接生長在傳統(tǒng)硅基襯底上的制造工藝。在這個(gè)過程中，由于氮化鎵薄膜直接生長在硅襯底上，可以利用現(xiàn)有硅基半導(dǎo)體制造基礎(chǔ)設(shè)施實(shí)現(xiàn)低成本、大批量的氮化鎵器件產(chǎn)品的生產(chǎn)。
2023-02-10 10:43:342743 
硅基氮化鎵襯底是一種新型的襯底，它可以提高襯底的熱穩(wěn)定性和抗拉強(qiáng)度，從而提高襯底的性能。它主要用于電子、光學(xué)、電力、航空航天等領(lǐng)域。
2023-02-14 14:36:082354 砷化鎵芯片和硅基芯片的最大區(qū)別是：硅基芯片是進(jìn)行物理刻蝕線路工藝（凹刻），可以5-100納米工藝，而砷化鎵芯片采取的工藝是多層化學(xué)堆砌線路（凸堆），線路線寬40-100納米。所以，能做硅基芯片的公司是做不了砷化鎵芯片的。
2023-02-20 16:53:1010760 FinFET三維器件也可以用體硅襯底制作，這需要更好地控制單晶硅刻蝕工藝，如CD、深度和輪廓。
2023-03-30 09:39:185704 鎵和鍺是構(gòu)成半導(dǎo)體的重要材料，也是芯片制造的關(guān)鍵元素。其中氮化鎵（GaN）化合物可用于手機(jī)、電腦的LED顯示屏，也廣泛用于照明、電源、通信等領(lǐng)域。而鍺主要用于光纖通信、夜視鏡和衛(wèi)星上的太陽能電池。此外硅鍺（SiGe）是一種重要的半導(dǎo)體應(yīng)變材料，可大大提高晶體管的速度，在高速芯片中有著廣泛應(yīng)用。
2023-07-06 10:19:082493 GaN半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)為：襯底→GaN材料外延→器件設(shè)計(jì)→器件制造。其中，襯底是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的基礎(chǔ)。 作為襯底，GaN自然是最適合用來作為GaN外延膜生長的襯底材料。
2023-08-10 10:53:312650 
近日，晶能光電發(fā)布12英寸硅襯底InGaN基紅、綠、藍(lán)全系列三基色Micro LED外延技術(shù)成果。
2023-09-01 14:07:442195 2023年9月，第三屆紫外LED國際會議暨長治LED發(fā)展推進(jìn)大會在長治隆重召開，國內(nèi)外專家云集，深入交流紫外LED最新技術(shù)進(jìn)展與發(fā)展趨勢。晶能光電外延工藝高級經(jīng)理周名兵受邀作《硅襯底GaN基近紫外
2023-09-19 11:11:288676 SOI是Silicon-On-Insulator的縮寫。直譯為在絕緣層上的硅。實(shí)際的結(jié)構(gòu)是，硅片上有一層超薄的絕緣層，如SiO2。在絕緣層上又有一層薄薄的硅層，這種結(jié)構(gòu)將有源硅層與襯底的硅層分開。而在傳統(tǒng)的硅制程中，芯片直接在硅襯底上形成，沒有使用絕緣體層。
2023-10-10 18:14:036763 
硅襯底GaN材料在中低功率的高頻HEMT和LED專業(yè)照明領(lǐng)域已經(jīng)實(shí)現(xiàn)規(guī)模商用。基于硅襯底GaN材料的Micro LED微顯技術(shù)和低功率PA正在進(jìn)行工程化開發(fā)。DUV LED、GaN LD以及GaN/CMOS集成架構(gòu)尚處于早期研究階段。
2023-10-13 16:02:311828 
根據(jù)專利摘要，芯片及其芯片制造方法。芯片包括芯片本體（10）。芯片本體（10）包括：襯底（101）、器件層（102）和多孔硅結(jié)構(gòu)，器件層（102）位于襯底（101）；多孔硅結(jié)構(gòu)設(shè)置于襯底（101）上，多孔硅結(jié)構(gòu)用于與化學(xué)開蓋溶液反應(yīng)以破壞芯片本體（10）。
2023-10-20 10:19:311383 
襯底（substrate）是由半導(dǎo)體單晶材料制造而成的晶圓片，襯底可以直接進(jìn)入晶圓制造環(huán)節(jié)生產(chǎn)半導(dǎo)體器件，也可以進(jìn)行外延工藝加工生產(chǎn)外延片。
2024-05-23 11:49:255995 有源區(qū)工藝是指通過刻蝕去掉非有源區(qū)的區(qū)域的硅襯底，而保留器件的有源區(qū)。
2024-10-31 16:55:381950 
Salicide 工藝是指在沒有氧化物覆蓋的襯底硅和多晶硅上形成金屬硅化物，從而得到低阻的有源區(qū)和多晶硅。
2024-11-11 09:20:343334 
，在前面的文章我們簡要的介紹了各個(gè)工藝流程的細(xì)節(jié)，這篇文章大致講解這些工藝流程是如何按順序整合在一起并且制造出一個(gè)MOSFET的。 1. 我們首先擁有一個(gè)硅純度高達(dá)99.9999999%的襯底。 硅襯底 ? 2. 在硅晶襯底上生長一層氧化薄膜。 生長氧化薄膜 3. 均勻
2024-11-24 09:13:546177 
復(fù)合材料，因其獨(dú)特的物理和電學(xué)特性，在半導(dǎo)體芯片制造中得到了廣泛應(yīng)用。 ? ? ? ? SiGe外延工藝的重要性 1.1 外延工藝簡介?? ?????????? 外延(Epitaxy, 簡稱Epi)是指在單晶襯底上生長一層與襯底具有相同晶格排列的單晶材料。外延層可以是
2024-12-20 14:17:496643 
? 本文詳細(xì)介紹了硅作為半導(dǎo)體材料具有多方面的優(yōu)勢，包括良好的半導(dǎo)體特性、高質(zhì)量的晶體結(jié)構(gòu)、低廉的成本、成熟的加工工藝和優(yōu)異的熱穩(wěn)定性。這些因素使得硅成為制造芯片的首選材料。 我們今天看到80%以上
2025-01-06 10:40:402396 
本文簡單介紹了芯片制造的7個(gè)前道工藝。 ? 在探索現(xiàn)代科技的微觀奇跡中，芯片制造無疑扮演著核心角色，它不僅是信息技術(shù)飛速發(fā)展的基石，也是連接數(shù)字世界與現(xiàn)實(shí)生活的橋梁。本文將帶您深入芯片制造的前道工藝
2025-01-08 11:48:344058 
光耦的制造工藝 1. 材料選擇 光耦的制造首先需要選擇合適的半導(dǎo)體材料，如硅、鍺等。這些材料需要具有優(yōu)良的光電特性，以確保光耦的高性能。 2. 芯片制備 光耦的芯片制備包括發(fā)光二極管和光敏元件的制造
2025-01-14 16:55:081781 多晶硅（Polycrystalline Silicon，簡稱Poly）是由無數(shù)微小硅晶粒組成的非單晶硅材料。與單晶硅（如硅襯底）不同，多晶硅的晶粒尺寸通常在幾十到幾百納米之間，晶粒間存在晶界。
2025-04-08 15:53:453617 
從早期的平面 CMOS 工藝到先進(jìn)的 FinFET，p 型襯底在集成電路設(shè)計(jì)中持續(xù)被廣泛采用。為什么集成電路的制造更偏向于P型硅？
2025-05-16 14:58:301012 
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