晶體硅太陽能電池制造工藝詳解

晶體硅太陽能電池的制造工藝流程說明如下：

（1） 切片：采用多線切割，將硅棒切割成正方形的硅片。
（2） 清洗：用常規的硅片清洗方法清洗，然后用酸（或堿）溶液將硅片表面切割損傷層除去30－50um。
（3） 制備絨面：用堿溶液對硅片進行各向異性腐蝕在硅片表面制備絨面。
（4） 磷擴散：采用涂布源（或液態源，或固態氮化磷片狀源）進行擴散，制成PN＋結，結深一般為0.3－0.5um。
（5） 周邊刻蝕：擴散時在硅片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。
（6） 去除背面PN＋結。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN＋結。
（7） 制作上下電極：用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先制作下電極，然后制作上電極。鋁漿印刷是大量采用的工藝方法。
（8） 制作減反射膜：為了減少入反射損失，要在硅片表面上覆蓋一層減反射膜。制作減反射膜的材料有MgF2 ，SiO2 ，Al2O3 ，SiO ，Si3N4 ，TiO2 ，Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴涂法等。
（9） 燒結：將電池芯片燒結于鎳或銅的底板上。
（10）測試分檔：按規定參數規范，測試分類。

提高太陽能電池的轉換效率和降低成本是太陽能電池技術發展的主流。 http://www.3532n.com/article/89/169/2010/20100414215818.html

　　由此可見，太陽能電池芯片的制造采用的工藝方法與半導體器件基本相同，生產的工藝設備也基本相同，但工藝加工精度遠低于集成電路芯片的制造要求，這為太陽能電池的規模生產提供了有利條件。