- 鰭式FET的來龍去脈詳解

不過賽靈思可以使用戶不受生產(chǎn)細(xì)節(jié)的影響。客戶可從更高的單位功耗性能以及賽靈思領(lǐng)先競爭對(duì)手整整一代水平的設(shè)計(jì)流程中受益匪淺，從而可將采用最新UltraScale架構(gòu)的創(chuàng)新產(chǎn)品更快推向市場。

賽靈思通訊49期：謝謝HOERNI先生，不過FIN時(shí)代已經(jīng)來了,晶體管技術(shù)新時(shí)代的到來讓賽…

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芯片(461678) 芯片(461678)
FET(66230) FET(66230)

評(píng)論

詳解先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝之FinFET

FinFET稱為鰭式場效晶體管（FinField-EffectTransistor;FinFET）是一種新的互補(bǔ)式金氧半導(dǎo)體（CMOS）晶體管。

2017-02-04 10:30:22

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淺談RISC-V指令集架構(gòu)的來龍去脈

最近和幾個(gè)行業(yè)內(nèi)的朋友聊天，聊到了近兩年比較火的AI人工智能，并向我推薦了一款目前在小范圍內(nèi)比較火的國產(chǎn)處理器，我查了一下該處理器是采用的開源RISC-V指令集架構(gòu)。曾有人將RISC-V比作“半導(dǎo)體行業(yè)的Linux”，今天就和大家聊聊RISC-V架構(gòu)的來龍去脈。

2020-01-24 17:42:00

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Intersil推出集成式FET同步降壓穩(wěn)壓器--ISL95210

Intersil公司(納斯達(dá)克全球交易代碼：ISIL)宣布，今天推出具有優(yōu)異效率和功率密度的最新10A集成式FET同步降壓穩(wěn)壓器---ISL95210。

2011-12-02 09:11:24

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Xilinx UltraScale：為您未來架構(gòu)而打造的新一代架構(gòu)

UltraScale架構(gòu)是業(yè)界首次在All Programmable架構(gòu)中應(yīng)用最先進(jìn)的ASIC架構(gòu)優(yōu)化。該架構(gòu)能從20nm平面FET結(jié)構(gòu)擴(kuò)展至16nm鰭式FET晶體管技術(shù)甚至更高的技術(shù)，同時(shí)還能從單芯片擴(kuò)展到3D IC。

2013-07-15 15:43:38

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2013年新推出的UltraScale架構(gòu)是業(yè)界首次在All Programmable架構(gòu)中應(yīng)用最先進(jìn)的ASIC架構(gòu)優(yōu)化。該架構(gòu)能從20nm平面FET結(jié)構(gòu)擴(kuò)展至16nm鰭式FET晶體管技術(shù)甚至更高的技術(shù)，同時(shí)還能從單芯片擴(kuò)展到3D IC。

2014-01-16 09:37:17

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研華雙鰭片全方位對(duì)流散熱器，創(chuàng)新散熱技術(shù)，釋放卓越計(jì)算性能！

研華整合了4種散熱技術(shù)，為嵌入式市場帶來理想的散熱解決方案——雙鰭片全方位對(duì)流散熱器（Quadro Flow Cooling System），簡稱QFCS。

2020-10-10 14:28:44

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FET 應(yīng)用電路

FET 應(yīng)用電路9.1 開關(guān)電路       FET的應(yīng)用 &

2009-08-20 19:05:39

FET和MOS求助

看了許多資料，感覺MOS管就是常說的場效應(yīng)管，而FET也是場效應(yīng)管，這兩者有什么區(qū)別么？還有什么MOS電路是什么意思？

2013-12-31 22:37:29

FET的特性及應(yīng)用電路

FET的特性及應(yīng)用電路電界效應(yīng)半導(dǎo)體(FET: Field Effect Transistor，以下簡稱為FET)與電晶體同樣擁有古老的歷史，兩者最大差異是FET 的消費(fèi)電力比一般電晶體更低，目前

2009-09-24 15:40:29

FET知識(shí)：采用結(jié)型FET實(shí)現(xiàn)的放大電路！

稱為源極接地電路。該電路對(duì)交流信號(hào)的電壓放大倍數(shù)A為A=gm*RD式中，RD(Ω)為漏極電阻。由于結(jié)型FET的gm很小（在1~10mS之間），很難實(shí)現(xiàn)電壓放大倍數(shù)很大的單級(jí)放大電路。漏極接地電路的偏置

2017-04-19 15:53:29

ARM 應(yīng)用系統(tǒng)開發(fā)詳解──基于S3C4510B 的系統(tǒng)設(shè)計(jì)--ARM嵌入式

2019-04-28 11:16:55

ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解

本帖最后由 richthoffen 于 2019-7-20 11:18 編輯 ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解

2016-05-20 07:38:30

ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解

2020-05-08 08:25:14

ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解

2020-05-19 10:20:52

ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解

了Linux技術(shù)的*發(fā)展，全部采用當(dāng)前最流行和穩(wěn)定的Linux發(fā)行版或者相關(guān)工具，是Linux愛好者學(xué)習(xí)Linux的好幫手。《Linux典藏大系：ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解（第2版）》是獲得了

2018-09-14 08:57:17

ARM嵌入式的GPIO位綁定的計(jì)算方式詳解

2021-12-14 06:38:39

CY7113如何控制輸出FET？

我正在使用帶有 USB PD Sink 示例的CY7113 #。如何控制輸出 FET？我發(fā)現(xiàn)必須設(shè)置 CY_APP_SINK_FET

2025-05-06 06:49:29

FinFET（鰭型MOSFET）簡介

源極的漏電流增加，導(dǎo)致器件的性能惡化，同時(shí)增加了靜態(tài)的功耗。增加G極面積的方法，就必須采用新的結(jié)構(gòu)，如三維結(jié)構(gòu)。三維的G極結(jié)構(gòu)有二種類型：一是雙柵極結(jié)構(gòu)，二是Fin型結(jié)構(gòu)，也就是非常有名的鰭型結(jié)構(gòu)

2017-01-06 14:46:20

MOS FET繼電器的幾大優(yōu)勢

MOS FET繼電器是輸出元件使用MOF FET的半導(dǎo)體繼電器（SSR=固態(tài)繼電器）。MOS FET繼電器具有低維護(hù)成本、高速、小體積等特點(diǎn)，正在逐步替代機(jī)械繼電器。歐姆龍不斷擴(kuò)充繼電器的產(chǎn)品

2018-09-14 16:32:02

MOSFET和鰭式場效應(yīng)晶體管的不同器件配置及其演變

三個(gè)增加到四個(gè)，從而提高了靜電完整性。　　　　圖5.π柵鰭式場效應(yīng)晶體管　　　　圖6.Ω柵鰭式場效應(yīng)晶體管　　短路柵極（SG）與獨(dú)立柵極（IG）　　短路柵FET（SG FinFET）的前后柵極

2023-02-24 15:20:59

USB-FET 接在PC 機(jī)上紅燈常亮的問題

為 MSP-FET430UIF 工具安裝硬件驅(qū)動(dòng)后USB-FET 接在PC 機(jī)上紅燈常亮是什么原因

2015-05-22 13:54:26

【資料分享】嵌入式WEB服務(wù)器及遠(yuǎn)程測控應(yīng)用詳解

嵌入式WEB服務(wù)器及遠(yuǎn)程測控應(yīng)用詳解

2014-03-24 23:34:58

什么是鰭式場效應(yīng)晶體管？鰭式場效應(yīng)晶體管有哪些優(yōu)缺點(diǎn)？

　　本文探討了鰭式場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)、它們?cè)诟鞣N應(yīng)用中的用途，以及它們相對(duì)于 MOSFET 的優(yōu)缺點(diǎn)。　　什么是鰭式場效應(yīng)晶體管？　　鰭式場效應(yīng)晶體管是一種晶體管。作為晶體管，它是一個(gè)放大器和一個(gè)

2023-02-24 15:25:29

使用FET的音頻AGC電路

使用FET的音頻AGC電路

2009-09-11 00:50:22

具有集成FET的15W同步降壓穩(wěn)壓器參考設(shè)計(jì)

描述PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調(diào)節(jié)器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設(shè)計(jì)可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V

2022-09-19 07:42:31

減小尺寸和功耗的隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器，不看肯定后悔

減小尺寸和功耗的隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器，不看肯定后悔

2021-04-22 06:39:21

回收LPC4357FET256 收購LPC4357FET256

LPC4357FET256大量回收！高價(jià)收購LPC4357FET256！！高價(jià)收購LPC4357FET256!!! 大量回收LPC4357FET256!專業(yè)回收LPC4357FET256!! 大量

2021-11-08 11:52:00

基于FET的實(shí)用級(jí)聯(lián)放大電路

　　基于FET的實(shí)用級(jí)聯(lián)放大電路，電阻R4和R5構(gòu)成FET Q2的分壓器偏置網(wǎng)絡(luò)。R3是Q2的漏極電阻，用于限制漏極電流。R2是Q1的源極電阻，C1是其旁路電容。R1確保在零信號(hào)條件下Q1柵極的零電壓。

2023-08-01 16:49:20

基于Big.Little大小核架構(gòu)的FET3399-C核心板簡析

隨著嵌入式技術(shù)的發(fā)展和工業(yè)智能化的推進(jìn)，工控領(lǐng)域?qū)τ谇度?b class="flag-6" style="color: red">式技術(shù)的需要越來越多，更有一些涉及軍工、能源的智能終端應(yīng)用等迫切需要芯片國產(chǎn)化。飛凌嵌入式加大國產(chǎn)化嵌入式平臺(tái)研發(fā)力度，目前已陸續(xù)推出國產(chǎn)系列

2021-12-20 08:21:24

基于UCC28910集成 FET、初級(jí)側(cè)穩(wěn)壓、隔離式反激電源PMP8590包括BOM，原理圖和光繪文件

描述PMP8590 電源提供始于通用電源的 24V@250mA。UCC28910 是初級(jí)側(cè)調(diào)節(jié)的準(zhǔn)諧振控制器。它具有內(nèi)部 700V FET，為隔離型反激式轉(zhuǎn)換器實(shí)現(xiàn)更為簡單的解決方案。主要特色滿負(fù)載時(shí)效率高于 82%10% 負(fù)載時(shí)效率高于 70%內(nèi)部 700V FET設(shè)計(jì)簡單初級(jí)側(cè)調(diào)整（無光耦合器）

2018-08-08 06:14:35

如何完成FET器件建模？

比如我完成了如圖所示的等效電路的仿真，怎么才能把這個(gè)電路形成一個(gè)三端口的FET器件呢？

2018-01-26 10:42:02

嵌入式LCD的接口類型介紹

嵌入式LCD的接口類型詳解

2020-12-28 06:32:00

嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解

本帖最后由 cxw3506 于 2011-8-13 16:53 編輯華清遠(yuǎn)見—|“黑色經(jīng)典”系列之《嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解》！{:soso_e100:}

2011-08-13 16:52:32

嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解

只是推廣一下嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解

2012-12-20 14:17:34

嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解

2018-01-24 16:58:29

嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)詳解——基于ARM

嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)詳解——基于ARM，一共6個(gè)部分，給大家參考

2016-06-24 21:19:35

嵌入式WEB服務(wù)器及遠(yuǎn)程測控應(yīng)用詳解

2013-11-18 15:58:16

嵌入式linux設(shè)備驅(qū)動(dòng)開發(fā)詳解SD

嵌入式linux設(shè)備驅(qū)動(dòng)開發(fā)詳解SD，本資料大于20M，分2部分發(fā)

2016-11-05 17:21:19

嵌入式硬件系統(tǒng)設(shè)計(jì)與開發(fā)實(shí)例詳解 319頁 10.5M

2016-09-25 16:23:08

嵌入式系統(tǒng)設(shè)計(jì)與開發(fā)實(shí)例詳解隨書光盤源程序

2012-08-12 20:40:35

正確的同步降壓FET時(shí)序設(shè)計(jì)

一個(gè)開關(guān)過渡之前，該結(jié)點(diǎn)處的過剩載流全部耗散。但是，如果電流仍然長時(shí)間存在于主體二極管內(nèi)，則會(huì)有過高的傳導(dǎo)損耗。高壓側(cè) FET 開啟時(shí)序是最為重要的過渡。由于同低壓側(cè) FET 存在交叉導(dǎo)通，因此開啟過早

2018-11-28 11:01:36

求詳解MP1583DP

求詳解 MP1583DP 中文詳解

2013-05-24 16:18:50

用FET的AGC電路

用FET的AGC電路

2009-09-11 00:49:30

絕對(duì)經(jīng)典教材.基于ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)詳解

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:57 編輯絕對(duì)經(jīng)典教材.基于ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)技術(shù)詳解`

2011-03-22 10:50:40

聊聊使用功率FET應(yīng)該注意的問題有哪些

穩(wěn)壓電源，幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過這東西，或用來逆變；或用來整流；或就當(dāng)個(gè)開關(guān)。由于用處不同；每個(gè)廠家都對(duì)不同用處FET做了專門優(yōu)化。以致同樣耐壓/電流的FET；有多個(gè)

2021-11-12 07:10:09

集成FET升壓轉(zhuǎn)換器參考設(shè)計(jì)

描述此集成 FET 升壓轉(zhuǎn)換器通過 6V - 8.4V 輸入（2S 鋰離子電池）提供 11V 輸出 (1.2A)。此轉(zhuǎn)換器經(jīng)過優(yōu)化，可以緊湊的尺寸為便攜式收音機(jī)等應(yīng)用提供高效率和低成本。特性成本低

2022-09-19 07:44:38

集成FET的15W單相同步降壓變換器含相關(guān)設(shè)計(jì)文件

描述 PMP10534 是一種單相同步降壓變換器，采用 LM53603 調(diào)節(jié)器 IC，該 IC 包含頂部集成式 FET 和底部集成式 FET。該設(shè)計(jì)可接受 7V 到 36V 的輸入電壓，提供 5V

2018-11-07 16:46:31

集成型FET的優(yōu)勢

像看上去那么糟糕，封裝與 IC 技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)創(chuàng)建了有助于解決這些問題的全新產(chǎn)品類型。具有集成型電源開關(guān) (FET) 的電源控制 IC 正在快速占據(jù)負(fù)載點(diǎn)市場。DC 至 DC 負(fù)載點(diǎn)轉(zhuǎn)換器通常用于從中

2022-11-23 06:34:38

集成型FET的大量優(yōu)勢

電路板布局，那將后患無窮！事情并不像看上去那么糟糕，封裝與 IC 技術(shù)的進(jìn)步已經(jīng)創(chuàng)建了有助于解決這些問題的全新產(chǎn)品類型。具有集成型電源開關(guān) (FET) 的電源控制 IC 正在快速占據(jù)負(fù)載點(diǎn)市場。DC

2018-09-18 11:43:42

高壓反激式開關(guān)集成FET降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)包括BOM及層圖

描述This reference design utilizes a high-voltage flyback switcher, with its integrated 700-V FET

2018-10-23 15:05:30

PLC在減搖鰭數(shù)字化改造中的應(yīng)用

介紹了PLC 應(yīng)用于某艦艇減搖鰭系統(tǒng)數(shù)字化改造。建立了以PLC 為核心的數(shù)字控制系統(tǒng)，在不增加任何輸入信號(hào)的情況下，實(shí)現(xiàn)原有控制系統(tǒng)的各項(xiàng)功能。此數(shù)字控制系統(tǒng)與以數(shù)字

2009-06-09 09:46:58

嵌入式liunx開發(fā)技術(shù)詳解

嵌入式liunx開發(fā)技術(shù)詳解主要內(nèi)容本書以嵌入式Linux 系統(tǒng)開發(fā)流程為主線，剖析了嵌入式Linux 系統(tǒng)構(gòu)建的各個(gè)環(huán)節(jié)。從嵌入式系統(tǒng)基礎(chǔ)知識(shí)和Linux 編程技術(shù)講

2010-03-04 16:58:01

FET應(yīng)用電路 PPT資料

FET應(yīng)用電路 PPT資料本章重點(diǎn)一覽9.1 開關(guān)電路 FET的應(yīng)用 9.2 FET放大器 CS

2010-04-13 08:52:14

嵌入式系統(tǒng)的知識(shí)平臺(tái)與平臺(tái)模式詳解

嵌入式系統(tǒng)的知識(shí)平臺(tái)與平臺(tái)模式詳解知識(shí)經(jīng)濟(jì)的時(shí)代是一個(gè)以知識(shí)平臺(tái)為中心的市場經(jīng)濟(jì)時(shí)代。嵌入式系統(tǒng)領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)、科技，已從資本經(jīng)濟(jì)時(shí)代封閉

2009-03-29 15:09:14

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降壓式變換電路（Buck電路）詳解

降壓式變換電路（Buck電路）詳解BUCK電路基本結(jié)構(gòu)，本站還有更多Buck電路的知識(shí)，歡迎閱覽！

2009-04-14 22:50:08

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常見的PIN-FET電路

常見的PIN-FET電路與輸入級(jí)不采用FET時(shí)，相應(yīng)的組件就稱為PIN-TIA。

2009-09-23 17:26:07

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用于手提式步話機(jī)的2M FET功率放大器

用于手提式步話機(jī)的2M FET功率放大器該

2009-10-06 15:21:48

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喇叭狀鰭片設(shè)計(jì)可提高針鰭散熱片散熱效率

喇叭狀鰭片設(shè)計(jì)可提高針鰭散熱片散熱效率　近年來，尖端FPGA的功能快速發(fā)展到了前所未有的高度。但不幸的是，功能方面的快速發(fā)展也隨之加大了對(duì)散熱的需求。因

2010-03-03 11:26:13

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隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì)

隔離式FET脈沖驅(qū)動(dòng)器原理及設(shè)計(jì) 三相控制整流器和變換器、矩陣循環(huán)換流器以及級(jí)聯(lián)功率級(jí)一般都含有大量功率晶體管，每支晶體管都有自己的驅(qū)

2010-03-12 14:46:51

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鴻海入主夏普的來龍去脈帶你認(rèn)識(shí)前因后果

　　近期，鴻海入主夏普的投資震撼了整個(gè)平板顯示產(chǎn)業(yè)。在余波未消，大浪將掀之時(shí)，NPD DisplaySearch對(duì)此的來龍去脈進(jìn)行了進(jìn)一步的分析。

2012-08-30 10:02:38

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ARM Cortex-M3嵌入式開發(fā)實(shí)例詳解基于NXP LPC1

《ARM Cortex-M3嵌入式開發(fā)實(shí)例詳解基于NXP LPC1768》源程序

2015-11-17 17:15:47

嵌入式Linux內(nèi)核移植詳解(頂嵌)

嵌入式內(nèi)核移植步驟詳解含配置含義及內(nèi)容等方面

2015-11-20 16:00:36

ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解

ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解，供大家參考。

2016-03-17 14:18:23

MOS FET 應(yīng)用說明

MOS FET 應(yīng)用說明 MOS FET 的分類及應(yīng)用特性說明

2016-05-10 16:31:07

反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)詳解(上)

反激式開關(guān)電源設(shè)計(jì)詳解(上)，新手需要可以看看。

2016-07-12 15:29:43

FET-Pro430-ReadMeFirst

資料包含：FET-Pro430-ReadMeFirst.pdf、Manual-FET-Pro430.pdf、FET-Pro430-Setup.msi、InstMsiA.Exe。

2016-07-26 10:26:39

基于嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解

2017-10-25 14:17:31

詳解嵌入式linux 啟動(dòng)信息

2017-10-30 10:28:02

淺談鰭式場效晶體管（ finFET）寄生提取的復(fù)雜性和不確定性

鰭式場效晶體管（簡稱 finFET）的推出標(biāo)志著 CMOS 晶體管首次被看作是真正的三維器件。由于源漏區(qū)以及與其周圍連接的三維結(jié)構(gòu)方式（包括本地互連和接觸通孔），導(dǎo)致了復(fù)雜性和不確定性。

2018-01-28 14:28:01

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MSP-FET430閃存仿真工具（FET）

本手冊(cè)是德克薩斯儀器MSP-FET430閃存仿真工具（FET）的文檔。FET是MSP430超低功耗微控制器的開發(fā)工具。本文描述了可用接口、并行端口接口和USB接口。

2018-04-23 08:40:20

鰭式場效晶體管集成電路設(shè)計(jì)與測試

鰭式場效晶體管集成電路設(shè)計(jì)與測試鰭式場效晶體管的出現(xiàn)對(duì) 集成電路物理設(shè)計(jì)及可測性設(shè)計(jì)流程具有重大影響。鰭式場效晶體管的引進(jìn)意味著在集成電路設(shè)計(jì)制程中互補(bǔ)金屬氧化物( CMOS )晶體管必須被建模成三維（3D）的器件，這就包含了各種復(fù)雜性和不確定性。

2018-05-25 09:26:00

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賽靈思參加了美國光纖通信展覽會(huì)及研討會(huì)

UltraScale架構(gòu)是業(yè)界首款采用最先進(jìn)的ASIC架構(gòu)優(yōu)化的All Programmable架構(gòu)。該架構(gòu)能從20nm平面FET結(jié)構(gòu)擴(kuò)展至16nm鰭式FET晶體管技術(shù)甚至更高的技術(shù)，同時(shí)還能從單芯片擴(kuò)展到3D IC。

2019-07-31 16:06:27

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使用MATLAB和C++及Vega實(shí)現(xiàn)減搖鰭控制系統(tǒng)視覺的仿真說明

針對(duì)船舶減搖鰭系統(tǒng)，運(yùn)用PID 控制理論設(shè)計(jì)了控制器，利用MATI AB的強(qiáng)大數(shù)學(xué)運(yùn)算能力模擬隨機(jī)海浪對(duì)船舶在海浪及鰭的作用下的影響，將C++作為中間環(huán)節(jié)，實(shí)現(xiàn)MATLAB與Vega之間的數(shù)據(jù)傳輸，從而實(shí)現(xiàn)減搖仿真的視覺效果。該仿真系統(tǒng)令人滿意。

2019-09-29 17:27:08

嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解的源代碼合集免費(fèi)下載

本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是嵌入式Linux應(yīng)用程序開發(fā)詳解的源代碼合集免費(fèi)下載。

2020-03-21 08:00:00

MOS管表面貼裝式封裝方式詳解

2021-07-07 09:14:48

嵌入式詳解

嵌入式詳解(stm32嵌入式開發(fā)實(shí)例)-嵌入式詳解,有需要的可以參考！

2021-07-30 16:07:18

(網(wǎng)盤)ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解

(網(wǎng)盤)ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解(python嵌入式開發(fā) - csdn博客)-(網(wǎng)盤)ARM嵌入式Linux系統(tǒng)開發(fā)詳解，分享給大家，希望對(duì)大家有所幫助！

2021-08-04 12:35:47

ACIS內(nèi)核和parasolid內(nèi)核的來龍去脈與比較

ACIS內(nèi)核和parasolid內(nèi)核的來龍去脈與比較(深圳市普德新星電源技術(shù)有限公司)-ACIS內(nèi)核和parasolid內(nèi)核的來龍去脈與比較 ? ? ? ? ? ? ??

2021-08-31 16:52:18

剖析晶體管結(jié)構(gòu)新變革以及GAA機(jī)遇與挑戰(zhàn)

隨著GAA FET（全環(huán)繞柵極晶體管）逐漸取代3nm及以下的finFET（鰭式場效應(yīng)晶體管），芯片行業(yè)已經(jīng)準(zhǔn)備好迎接晶體管結(jié)構(gòu)的另一次變革，這給設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)帶來了一系列需要充分理解和解決的新挑戰(zhàn)

2021-09-23 15:58:59

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鰭式場效應(yīng)晶體管FinFET提高芯片的驅(qū)動(dòng)能力

鰭式場效應(yīng)晶體管（FinFET）是立體多柵器件的一種，其主要特征是由魚鰭形（Fin）的薄層硅構(gòu)成折疊的導(dǎo)電通道，并由雙面或三面折疊包圍的柵極控制。

2022-09-09 09:29:17

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具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

具有集成式驅(qū)動(dòng)器和自我保護(hù)功能的GaN FET如何實(shí)現(xiàn)下一代工業(yè)電源設(shè)計(jì)

2022-10-28 12:00:20

橋式整流電路詳解

2022-11-14 11:34:11

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鰭式場效應(yīng)晶體管工藝流程（FinFET）

首先沉積鰭軸( Mandrel)和硬掩模層，掩模圖形化鰭軸并刻蝕，形成第一側(cè)墻；

2023-01-31 13:57:30

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MOS?FET繼電器(無機(jī)械觸點(diǎn)繼電器)設(shè)計(jì)輸入側(cè)電源時(shí)的電流值概念

機(jī)械式繼電器、MOS FET繼電器分別具有不同的特長。基于對(duì)MOS FET繼電器所具小型及長壽命、靜音動(dòng)作等優(yōu)勢的需求，目前已經(jīng)出現(xiàn)了所用機(jī)械式繼電器向MOS FET繼電器轉(zhuǎn)化的趨勢。

2023-03-07 17:37:38

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全新二維半導(dǎo)體垂直鰭片/高介電自氧化物外延集成架構(gòu)

工藝技術(shù)節(jié)點(diǎn)進(jìn)入亞3 nm以后，垂直鰭片溝道架構(gòu)的新器件開發(fā)仍備受關(guān)注，人們正在考慮制造基于垂直鰭式結(jié)構(gòu)開發(fā)垂直圍柵器件（VGAA）或垂直傳輸場效應(yīng)晶體管（VTFET），以滿足“后摩爾時(shí)代”芯片的更高集成度、高性能和低功耗發(fā)展要求，世界著名集成電路制造龍頭公司IBM和三星已進(jìn)行相關(guān)研發(fā)。

2023-03-27 11:25:40

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基于優(yōu)先級(jí)調(diào)度的嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)內(nèi)核詳解(下)

2023-09-06 12:46:16

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中芯國際“鰭式場效應(yīng)晶體管的形成方法”專利已獲授權(quán)

根據(jù)專利，本發(fā)明提供半導(dǎo)體基板，半導(dǎo)體基板上形成鰭部分，鰭部分形成一層或多層的犧牲層，鰭末端形成類似網(wǎng)格結(jié)構(gòu)。形成覆蓋鰭部側(cè)面的第一側(cè)壁和覆蓋傀儡柵欄結(jié)構(gòu)側(cè)面的第二側(cè)壁。對(duì)假柵欄結(jié)構(gòu)兩側(cè)的鰭部分進(jìn)行蝕刻，形成露出犧牲層和第一側(cè)壁的圓/漏槽。

2023-09-26 10:12:28

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ADSP-BF592 黑鰭嵌入式處理器數(shù)據(jù)表 ADI

電子發(fā)燒友網(wǎng)為你提供ADI(ADI)ADSP-BF592 黑鰭嵌入式處理器數(shù)據(jù)表相關(guān)產(chǎn)品參數(shù)、數(shù)據(jù)手冊(cè)，更有ADSP-BF592 黑鰭嵌入式處理器數(shù)據(jù)表的引腳圖、接線圖、封裝手冊(cè)、中文資料、英文資料

2023-10-09 19:24:54

為什么飛凌嵌入式的FET527N-C核心板更值得期待？

飛凌嵌入式最新發(fā)布的FET527N-C核心板是一款值得特別關(guān)注的產(chǎn)品，具有許多令人矚目的優(yōu)勢。下面小編將從四個(gè)角度為您剖析為什么FET527N-C核心板更值得期待。

2024-02-02 15:10:01

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具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《具有集成式驅(qū)動(dòng)器和保護(hù)功能GaN FET LMG3522R030數(shù)據(jù)表.pdf》資料免費(fèi)下載

2024-03-28 11:02:33

飛凌嵌入式FET3568/3568J-C核心板現(xiàn)已適配OpenHarmony4.1

近日，飛凌嵌入式為FET3568/3568J-C核心板適配了OpenHarmony4.1系統(tǒng)，新系統(tǒng)的加持使核心板在兼容性、穩(wěn)定性與安全性等方面都得到進(jìn)一步提升，不僅為FET3568/3568J-C

2024-05-31 14:17:12

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飛凌嵌入式FET3576-C核心板四大優(yōu)勢詳解

為了充分滿足AIoT市場對(duì)高性能、高算力和低功耗主控日益增長的需求，飛凌嵌入式近期推出了基于Rockchip RK3576處理器開發(fā)設(shè)計(jì)的FET3576-C核心板，具有出色的圖像和視頻處理能力

2024-06-28 09:17:28

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T536行業(yè)首發(fā)！飛凌嵌入式FET536-C/FET536-S核心板驚艷亮相

1.6GHz+600MHz，并搭載2TOPS算力NPU，這款強(qiáng)悍的重磅新品吸引了現(xiàn)場大量觀眾的關(guān)注。與此同時(shí)，飛凌嵌入式基于T536處理器設(shè)計(jì)開發(fā)的FET536-C/FET536-S核心板及配套開發(fā)板作為行業(yè)首發(fā)

2024-09-30 09:34:14

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如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓

上一期，我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時(shí)緩沖輸出整流器的電壓。現(xiàn)在，我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。

2024-11-04 09:48:04

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鰭式場效應(yīng)晶體管制造工藝流程

FinFET(鰭式場效應(yīng)晶體管)從平面晶體管到FinFET的演變是一種先進(jìn)的晶體管架構(gòu)，旨在提高集成電路的性能和效率。它通過將傳統(tǒng)的平面晶體管轉(zhuǎn)換為三維結(jié)構(gòu)來減少短溝道效應(yīng)，從而允許更小、更快且功耗更低的晶體管。本文將從硅底材開始介紹FinFET制造工藝流程，直到鰭片(Fin)的制作完成。

2025-02-17 14:15:02

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- 鰭式FET的來龍去脈詳解

評(píng)論