中芯國際近日新增多條專利信息，其中一條名稱為“鰭式場效應晶體管的形成方法”，公開號為CN111477548B，法律狀態顯示該專利已獲授權。

根據專利，本發明提供半導體基板，半導體基板上形成鰭部分，鰭部分形成一層或多層的犧牲層，鰭末端形成類似網格結構。形成覆蓋鰭部側面的第一側壁和覆蓋傀儡柵欄結構側面的第二側壁。對假柵欄結構兩側的鰭部分進行蝕刻，形成露出犧牲層和第一側壁的圓/漏槽。蝕刻部分暴露在犧牲層中，在內部形成凹槽。還有內部凹主場和源/泄漏主場方面的墻上形成隔離層，再醬/泄漏主場方面從墻上分離，消除隔離層內部已經形成了保存在主場，在多次反復，再隔離層形成過程的程序，以及消除隔離層內部凹進形成隔離層直到保留。多次工藝形成了內部隔離結構，有效地避免了源/漏槽的密封，容易形成源/漏，提高了晶體管的性能。

中芯國際表示，隨著半導體元件的大小持續減少，半導體元件正在從現有的cmos元件向finfet效果晶體管（finfet）領域發展。隨著物理大小越來越小，finfet就不能再使用了。gaa （gate-all-around）納米鋼絲晶體管目前正受到研究者的關注。這種環臼結構可以進一步增加通道載流子的移動速度，同時也可以進一步減少結構的體積。在形成環狀結構時，納米線先用犧牲層代替，最后去除犧牲層，再形成金屬環狀結構。在形成圓/漏槽后，為了形成內部槽，將部分犧牲層蝕刻，在內部凹槽中形成內部隔離結構。目前，一旦形成內部隔離結構，源/漏水槽就容易堵塞，影響最終晶體管的性能。迫切需要形成不阻擋源頭/漏水槽的鰭式場效應晶體管，并為此提出了專利。