編者按：本文為作者整理材料編輯而成，緊扣當下中國半導體的熱點話題，原文中半導體產業觀察的資料和圖片版權歸對方所有，謝謝！

中國擁有世界上最龐大的本土市場。中國是全球電子產品制造的主要基地，存儲芯片需求量巨大。長江存儲董事長趙偉國找坦言，競爭的核心，還是把產品性能、價格做得足夠好。另一方面，紫光集團旗下的展訊、新華三等企業，形成了相關產業鏈條，本身也有能力消化一些市場，可以幫助長江存儲的早期產品進入市場演練。

長江存儲準備進軍存儲芯片的起點不低，投產后將直接生產3D NAND閃存。目前，三星的V-NAND閃存，堆棧層數從之前的24層提高到了48層。中國由于龐大的市場需求，芯片進口額連年攀升。

長江存儲真的能實現彎道超車嗎？用趙偉國的話是：前路是光明的，道路是曲折的。筆者看到半導體產業觀察最新翻譯的一篇國外對中國半導體的產業分析，和大家一起分享一下。

在最新發布的《The McClean Report》上，對中國IC產業的發展做了三個階段的分析。從對階段三的分析，我們可以看到中國自2014年推行半導體建設以來面對的一些成功和挫折。

根據中國政府的設想，他們不但想在IC器件上實現自給自足，其更長遠的而目標是到了2025年，其IC的自給率會提升到40%，而到了2025年，這個數字會上升到70%。但我們認為這種想法過于天真。由于缺乏相關的技術、材料，中國的IC建設將會困難重重。

舉個例子，在20世紀80年代，美國政府嘗試去確保軍事用途IC生產過程涉及的晶圓制造、封裝材料和半導體設備中的每一項都應該有美國本土的供應商。這是30多年前的事情，當時的IC制造比現在簡單得多，但最終因為很難覆蓋生產的方方面面，因此整個計劃最后告終了。

我們也明白到，中國制造2025成功的關鍵在于資金和技術。但我們認為在這些領域，中國很難獲得他們所預想的成功。詳細分析，資金不會是問題，因為中國政府推行了一個200億美元的基金去推動IC產業的建設，另外還有近千億美元的地方和私募基金的支持。這些錢足以支持中國建設至少十家高容量的300mm IC制造fab。另外我們也應該看到，由于中國的長期半導體建設計劃，相關的設備公司在未來的數年將會從中收益。

ICinsights認為阻礙中國制造2025成功的最大障礙應該就是收購Fab所需的先進技術。

從2014年開始，中國為了發展半導體產業，在全球掀起了收購熱潮，在早期的時候，在收購ISSI和豪威的時候取得了不錯的成果，但現在美國等政府意識到了中國半導體的野心，因此提高了警惕和審核，中國未來的收購將會變得越來越艱難。換句話說，中國想通過收購先進技術和公司發展自身半導體產業的窗口已經關閉。

中國現在的IC FAB建設熱潮不減，但是應用在其中的技術相較于市場的領先者，落后至少兩個世代。類似長江存儲、福建晉華集成電路和HLMC等廠，就是其中的代表。

雖然這些公司獲得了充分的資金支持，并建設起了其廠房，但是他們都沒有相關的技術去與業界先進競爭。

從早前的報道我們可以看到，中國建設了新的FAB之后，向三星、SK海力士和Intel的中國工廠招攬人才，這是中國發展本土半導體產業的方法。按照他們的寄望，這些先進公司的員工將會帶來先進的IC制程知識和經驗。但IC insights的觀點認為，從發展制程技術的角度看，這是一種冒險。

回到2003年，中國純晶圓廠SMIC投產第二年，TSMC提起訴訟，控訴SMIC雇傭了TSMC超過100名員工，并要求他們提供臺積電的相關商業機密。同時TSMC還控告SMIC侵犯了臺積電的五項專利（之后增長到八項）。而到了2005年，TSMC和SMIC就訴訟達成了和解，SMIC支付臺積電1.75億美元。

回到存儲方面，中國方面希望借助這些來自三星、SK海力士、美光、英特爾、東芝和西部數據的員工提高其產品水平，技術水平，并投入“結構”最新的DRAM和3D NAND 產品和技術，幫助中國建設并繞過其專利。IC Insights認為，存儲產業經歷了那么多年的發展，根本不可能開發出一個新技術，能夠繞過這些專利的。

2016年，中國IC（包括國外半導體公司在國內的產能）產量占有全球1120億美元中的11.6%，而這個數字在2011年只是9.8%。而在2016到2021年間，中國IC產能的年復合增長率將會高達18%。但考慮到中國IC的產能在2016年只有120億美元。這個增長會從一個比較小的基數開始。