如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟，功率半導體 就是電機的心臟，它可以實現對電能的高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制。我國發布《中國制造2025》，勾勒出未來十年產業轉型升級的整體方向與發展規劃，在此過程中，功率半導體發揮的作用不可替代。

然而，與集成電路產業相似，我國功率半導體產業的發展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較，其實如果按比例計算，我國功率半導體的進口替代能力可能更弱。隨著“節能減排”、“開發綠色新能源”成為我國長期發展的基本國策，通過“互聯網+”推進信息化與工業化深度融合成為既定任務，加快發展功率半導體產業已經成為當務之急。

針對我國當前功率半導體產業發展狀況以及2016年~2020年以功率半導體為核心的電力電子產業發展重點，中國寬禁帶功率半導體及應用產業聯盟、中國IGBT技術創新與產業聯盟、中國電器工業協會電力電子分會、北京電力電子學會共同發布《電力電子器件產業發展藍皮書》(以下簡稱《藍皮書》)。《藍皮書》指出，電力電子器件產業主要是核心的電力電子芯片和封裝的生產，但也離不開半導體和電子材料、關鍵零部件、制造設備、檢測設備等產業的支撐，其發展既需要上游基礎的材料產業的支持，又需要下游裝置產業的拉動。

做強功率半導體，推進《中國制造2025》

作為半導體產業的一大分支，與集成電路相仿，功率半導體的作用同樣巨大。《藍皮書》指出，電力電子器件是采用半導體材料制造、用于實現電能高效轉換的開關控制電子器件，包括功率半導體分立器件、模塊和組件等。它們是實現對電能高效產生、傳輸、轉換、存儲和控制，提高能源利用效率、開發可再生能源，推動國民經濟可持續發展的基礎。

近年來，“節能減排”、“開發綠色新能源”已成為我國長期發展的基本國策。在我國綠色能源產業發展的推動下，功率半導體已經成為建設節約型社會、促進國民經濟發展、踐行創新驅動發展戰略的重要支撐。此外，功率半導體不僅涉及電力電子器件、電力電子裝置、系統控制及其在各個行業的應用，還涉及相關的半導體材料、電工材料、關鍵結構件、散熱裝置、生產設備、檢測設備等產業，產業鏈長、產業帶動作用巨大，在推進實施《中國制造2025》規劃中具有重大意義，對深入推進制造業結構調整和企業技術改造，實施中國制造強國建設“三步走”的發展戰略提供強大的支撐。

正是由于電力電子器件的巨大作用，已經形成一個龐大的市場需求和產業規模。《藍皮書》數據顯示，2013年國際電力電子器件市場容量已接近1千億美元，而且市場年平均增長速度在15%左右。“十二五”以來，我國電力電子器件市場在全球市場中所占份額就越來越大，已成為全球最大的大功率電力電子器件需求市場。我國市場的增長速度高于全球水平，年增長率近20%。

國際大廠主導產業，中國功率半導體亟需做強

《藍皮書》同時指出，雖然功率半導體產業極具重要性，且規模龐大，但是主要供應商集中在美國、日本和歐洲。美國是電力電子器件的發源地，在全球電力電子器件市場中占有重要地位，主要器件企業有通用電氣(GE)、ON Semi等。從上世紀90年代開始，日本成為國際上電力電子器件產業的發達地區，主要器件企業有東芝、富士和三菱等。歐洲也是全球電力電子器件產業的發達地區，主要企業有英飛凌、ABB、Semikron等。國際上SiC電力電子器件的主要供應商有Wolfspeed、英飛凌、羅姆、東芝、富士和三菱等公司;國際上GaN電力電子器件的主要企業有英飛凌、松下、富士通、三星、Transphom、GaN System、EPC、Avogy等。

從技術角度看，在超大功率(電壓3.3kV以上、容量1～45MW)領域。目前，國際上6英寸8.5kV/5kA晶閘管已商品化。瑞士ABB等公司開發了非對稱型、逆導型和逆阻型IGCT的產品，研發水平已達到9kV/6kA，商業化產品有4.5kV和6kV兩種系列，其中6.5kV/6kA的IGCT產品已經開始供應市場。

在中大功率領域(電壓1200V～6.5kV)，IGBT是市場上的主流產品。IGBT器件(包括大功率模塊、智能功率模塊)已經涵蓋了300V～6.5kV的電壓和2A～3600A的電流。近年來，以德國英飛凌，瑞士ABB，日本三菱、東芝和富士等為代表的電力電子器件企業開發了先進的IGBT技術和產品，占全球每年約50億美元的市場，帶動了高達幾百億美元的電力電子設備市場。