嵌入式閃存中，然而，嵌入式閃存的小型化已近乎突破極限，無法跟上CMOS邏輯的小型化。 據(jù)稱嵌入式閃存的小型化極限是在CMOS邏輯技術(shù)節(jié)點40nm至28nm上產(chǎn)生。嵌入式非易失性存儲器有望在28nm及更高版本的CMOS邏輯上扮演嵌入式閃存的角色。 嵌入式閃
2019-03-13 15:25:55
11452 Altera的28nm FPGA所具有的靈活性和性能指標(biāo)滿足了下一代基站各種LTE系統(tǒng)級特性的需求，而且沒有犧牲功效。近日Altera宣布NEC將使用其28nm FPGA，助力提高其LTE基站性能
2013-11-19 09:09:09962 如果說目前開一個28nm的芯片200-300萬美元對很多公司來說已是不堪重負，那么，未來，開一款16nm的芯片成本將在千萬美元左右，而開一款10nm的芯片，從現(xiàn)在各項投入來看，可能需要達到1.3億
2014-10-20 11:03:1019343 Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開發(fā)負責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問時表示，該公司的技術(shù)藍圖顯示，28納米FD-SOI嵌入式非揮發(fā)性記憶體將分兩階段發(fā)展，首先是在
2016-07-28 08:50:141435 在今年即將于美國加州舉行的國際電子組件會議（IEDM）上，來自三星（Samsung）、東芝（Toshiba）、海力士（SK Hynix）等公司的研究團隊預(yù)計將發(fā)表多項有關(guān)磁阻式隨機存取內(nèi)存（MRAM）的最新發(fā)展。
2016-11-29 10:32:211612 據(jù)臺灣經(jīng)濟日報最新消息，聯(lián)電（2303）與下一代ST-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移力矩磁阻RAM）領(lǐng)導(dǎo)者美商Avalanche共同宣布，合作技術(shù)開發(fā)MRAM及相關(guān)28納米產(chǎn)品；聯(lián)電即日起透過授權(quán)，提供客戶具有成本效益的28納米嵌入式非揮發(fā)性MRAM技術(shù)。
2018-08-09 10:38:124091 28nm制程在業(yè)內(nèi)使用已經(jīng)超過10年，近年臺積電、聯(lián)電、中芯國際、力積電等都在28nm節(jié)點擴充產(chǎn)能。圍繞28nm制程，為何受到青睞？今后擴充產(chǎn)能，能否解決缺芯的困境？未來擴充產(chǎn)能到位后，會否造成產(chǎn)能
2022-02-17 09:27:156140 低成本和中端應(yīng)用對于成本和功耗等因素的考量素來嚴(yán)謹(jǐn)，Altera新發(fā)布的28nm器件系列產(chǎn)品將為這類應(yīng)用提供理想選擇，最新的Cyclone V FPGA和Arria V FPGA系列將其28nm工藝推進到了中低端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2011-01-26 08:59:39989 周末傳聞美國將會重新選定限制中國半導(dǎo)體技術(shù)的瞄點，這次將會是28nm的成熟制程。
2021-06-21 09:57:327977 的可擦寫次數(shù)多，并且性能有所提高。如果這兩種存儲器的成本一樣，肯定會選擇MRAM。當(dāng)采用65nm工藝的自旋注入MRAM量產(chǎn)時,將有可能實現(xiàn)對車載MCU中嵌入式存儲器的取代。原作者：宇芯電子
2023-04-07 16:41:05
嵌入式MRAM關(guān)鍵應(yīng)用與制造商
2021-01-08 06:36:18
無法突破 90nm 以下節(jié)點，理由是存儲單元擴展面臨諸多困難和挑戰(zhàn)。可如今嵌入式閃存已發(fā)展到 28nm 級，因此證明上述看法是錯誤的。現(xiàn)在面臨的挑戰(zhàn)是將嵌入式閃存邁入 FinFet 工藝時代。不過
2020-08-14 09:31:37
Everspin Technologies總部位于亞利桑那州錢德勒，主要是設(shè)計和制造MRAM、STT-MRAM的全球領(lǐng)導(dǎo)者，Everspin所生產(chǎn)的MRAM產(chǎn)品包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)
2020-08-31 13:59:46
Z-turn Board 是深圳市米爾科技有限公司推出的一款以 Xilinx Zynq-7010（兼容 7020）作為主處理器的嵌入式開發(fā)板。Z-turn Board 采用 Xilinx
2015-03-27 17:05:05
1月22日，Altera 在北京展示了號稱業(yè)界最全面的28nm 最新技術(shù)及強大解決方案。Altera公司的多位工程師為在京的媒體人士進行了講解。
2019-08-21 07:37:32
最寬、集成度最高的28nm FPGA，非常靈活。 （2）新一類目標(biāo)應(yīng)用器件，集成了28Gbps和支持背板的12.5Gbps收發(fā)器，還集成了硬核知識產(chǎn)權(quán)（IP）模塊，包括嵌入式HardCopy模塊，以及
2012-09-21 13:49:05
本文主要介紹描述了圖1所示的具有28nm CMOS的1Gb 1.2V DDR4 STT-MRAM的產(chǎn)品化和優(yōu)異的性能，是產(chǎn)品其能夠在-35C至110C的工業(yè)溫度范圍內(nèi)使用。
2020-12-28 06:16:06
從工藝選擇到設(shè)計直至投產(chǎn)，設(shè)計人員關(guān)注的重點是以盡可能低的功耗獲得最佳性能。Altera在功耗和性能上的不斷創(chuàng)新，那其28nm高端FPGA如何實現(xiàn)功耗和性能的平衡？具體有何優(yōu)勢？
2019-09-17 08:18:19
使嵌入式 STT MRAM 磁隧道結(jié)陣列的加工成為可能
2021-02-01 06:55:12
新興存儲器MRAM與ReRAM嵌入式市場
2020-12-17 06:13:02
萌新求助，求一個基于嵌入式STT-MRAM的架構(gòu)方案
2021-10-25 07:33:36
之前只用過tsmc 65nm的，在設(shè)置電感時候是有indcutor finder的工具的，28nm下沒有了嗎？只能自己掃描參數(shù)一個一個試？28nm下是沒有MIM電容了嗎？相關(guān)的模擬射頻器件（比如
2021-06-24 06:18:43
請問工程師，C2000系列產(chǎn)品的制程是45nm還是28nm？同一款新片可能采用不同的制程生產(chǎn)嗎？
2020-06-17 14:41:57
像我們看到的Xilinx 28nm Virtex 7 28mm或者20nm 的UltraScale啊。nm在FPGA里面具體指什么呢
2018-10-08 17:18:18
的40nm器件中，作為PHY層單元，不再需要外部高性能串行I/O電路板元器件。在Altera 28nm器件中，嵌入式硬核IP模塊實現(xiàn)了ASIC的成本、性能和功耗特性，不會犧牲設(shè)計靈活性。例如，可以在
2015-02-09 15:02:06
本資料是關(guān)于如何采用低功耗28nm降低系統(tǒng)總成本
2012-07-31 21:25:06
Global Foundries公司展示28nm制程芯片硅圓樣品
GlobalFoundries公司日前公開展示了一片采用28nm制程技術(shù)制作的不知名芯片硅圓。這家公司的人員不愿意
2010-01-13 11:46:242313 Altera 發(fā)布28-nm FPGA技術(shù)創(chuàng)新
Altera公司宣布了在即將推出的28nm FPGA中采用的創(chuàng)新技術(shù)：嵌入式HardCopy®模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式28-Gbps收發(fā)器，這些技術(shù)將極
2010-02-02 09:52:091025 Altera發(fā)布28nm FPGA技術(shù)創(chuàng)新
基于技術(shù)上保持領(lǐng)先的歷史，Altera公司2月2日宣布了即將推出的28nm FPGA中采用的創(chuàng)新技術(shù)：嵌入式HardCopy模塊、部分重新配置新方法以及嵌入式
2010-02-04 08:37:57848 28nm器件三大創(chuàng)新，Altera期待超越摩爾定律
隨著TSMC 28nm全節(jié)點工藝即將量產(chǎn)，其合作伙伴Altera日前宣布了其產(chǎn)品線將轉(zhuǎn)向28nm節(jié)點的策略部署。據(jù)了解，TSMC 28nm全節(jié)點有
2010-02-05 08:53:361048 
臺積電年中將為Altera試產(chǎn)28nm制程FPGA芯片
據(jù)業(yè)者透露，臺積電公司將于今年中期開始為Altera公司生產(chǎn)28nm制程FPGA芯片產(chǎn)品。這種FPGA芯片將集成有28Gbps收發(fā)器，產(chǎn)品面
2010-02-05 10:21:26837 Altera推出業(yè)界帶寬最大的28nm Stratix V FPGA
Altera公司近日發(fā)布業(yè)界帶寬最大的FPGA——下一代28-nm Stratix V FPGA。Stratix V FPGA具有1.6 Tbps串行交換能力，采用各種創(chuàng)新技術(shù)和前沿28-n
2010-04-22 10:39:54913 28nm Stratix V FPGA突破帶寬瓶頸
Altera公司的最新28nm Stratix V FPGA正是為滿足高帶寬應(yīng)用設(shè)計要求而推出。 移動互聯(lián)網(wǎng)、高清視頻、軍事、醫(yī)療以及計算
2010-05-10 17:52:04943 AMD公司對于今年推出基于28nm工藝圖形處理器依然是相當(dāng)樂觀。該公司相信28nm節(jié)點不僅會為其提供機會推出先進的圖形處理芯片"shortly"，同時也將可以進一步降低其生產(chǎn)成本。
2011-07-27 09:19:14851 雖然TSMC對于旗下28nm工藝依然保持著較為保守的態(tài)度，但是根據(jù)近期非官方的報道，由于來自官戶的需求不斷提升，TSMC將會對28nm晶元進行提價。
2011-09-16 09:30:031525 
據(jù)國外媒體消息，近日一家名為4gamer的日本網(wǎng)站透露了NVIDIA 28nm工藝桌面顯卡最新的路線圖。
2011-11-28 09:33:012152 
本白皮書介紹了有關(guān)賽靈思 28 nm 7 系列 FPGA 功耗的幾個方面，其中包括臺積電 28nm高介電層金屬閘 (HKMG) 高性能低功耗（28nm HPL 或 28 HPL）工藝的選擇。 本白皮書還介紹了 28 HPL 工藝提供
2012-03-07 14:43:44
41 Cyclone V FPGA簡介 Altera公司的28nm Cyclone V FPGA器件是目前市場上功耗最低、成本最低的28nm FPGA。該系列通過集成，前所未有的同時實現(xiàn)了高性能、低系統(tǒng)成本和低功耗，非常適合工業(yè)、無線
2012-09-04 13:44:543472 Cyclone V FPGA功耗優(yōu)勢：采用低功耗28nm FPGA活的最低系統(tǒng)功耗（英文資料）
2012-09-05 16:04:1140 專為嵌入式應(yīng)用開發(fā) MPPA 多核心處理器的無晶圓廠IC設(shè)計公司Kalray SA近日宣布，現(xiàn)可開始提供內(nèi)含256顆處理器核心的 28nm MPPA-256晶片樣品。 該處理器據(jù)稱能以較其它處理器更低的功耗提
2012-09-12 09:32:411454 介紹ENC28J60網(wǎng)絡(luò)接口體系，ENC28J60在嵌入式網(wǎng)絡(luò)接口的應(yīng)用
2016-03-01 17:48:156 已經(jīng)量產(chǎn)了28nm工藝，TSMC董事長張忠謀日前談到了大陸28nm工藝的競爭，他表示大陸公司的28nm產(chǎn)能增長很快，其中有部分原因是政府背后支持。
2016-10-27 14:15:522112 Xilinx 在28nm工藝節(jié)點實現(xiàn)重大里程碑，比此前任意工藝節(jié)點提前3個季度實現(xiàn)累計營收超10億美元 賽靈思公司（Xilinx, Inc. (NASDAQ:XLNX)）今天宣布其在28nm工藝節(jié)點
2017-02-09 04:26:40847 隨著越來越多具成本效益的應(yīng)用選擇磁阻隨機存取內(nèi)存(MRAM)，不僅為其帶來了成長動能，業(yè)界生態(tài)系統(tǒng)也開始支持這一新興內(nèi)存選擇。
2018-05-15 09:24:494615 超越--賽靈思7系列28nm FPGA產(chǎn)品發(fā)布會
2018-06-05 13:45:004654 Altera市場行銷部高級副總裁Danny Biran介紹了該公司28nm的DSP創(chuàng)新，擬2011年1季度面試，開發(fā)軟件DSPB-AB今年5月即可面試。這些Stratix V家族DSP鎖定三大海
2018-06-22 05:28:004944 上周，在第64屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
2018-12-14 09:18:063522 來源：全球SSD 上周，在第64屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體巨頭展示了嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。 首先，我們來了解一下 MRAM (Magnetic
2018-12-17 16:09:01429 在第 64 屆國際電子器件會議 (IEDM) 上，全球兩大半導(dǎo)體龍頭英特爾及三星展示嵌入式 MRAM 在邏輯芯片制造工藝中的新技術(shù)。
2018-12-21 11:17:393985 在商品化方面，目前MRAM已發(fā)展到第三代，具有非揮發(fā)性、讀寫速度快、能耗低、制程仍有持續(xù)微縮空間等優(yōu)點。就產(chǎn)品發(fā)展上，MRAM可分為獨立式(stand-alone)及嵌入式兩大類，目前獨立式占MRAM市場規(guī)模達95%以上。
2019-01-05 09:43:524007 
查看我們創(chuàng)新型高度集成式28nm CMOS RADAR雷達解決方案的系統(tǒng)級演示，該方案將角分辨率指數(shù)級升高，以支持面向OEM、一級廠商、創(chuàng)業(yè)公司和顛覆性初創(chuàng)公司的高度自動化的駕駛應(yīng)用。
2019-07-23 06:17:002135 繼于2015年2月28nm嵌入式閃存的工藝開發(fā)公布后，瑞薩電子于2016年9月宣布與臺積電合作生產(chǎn)28nm MCU。今日向市場推出全球第一款28nm嵌入式閃存MCU，將成為瑞薩電子的另一個重要里程碑。瑞薩電子已經(jīng)驗證了在16/14nm及下一代MCU產(chǎn)品上應(yīng)用鰭狀MONOS閃存技術(shù)。
2019-08-02 10:25:033501 全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)在上周舉辦的第64屆國際電子組件會議(IEDM)上，發(fā)表嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)。
2019-07-03 16:58:55670 隨著制造成本下降以及其他存儲器技術(shù)面臨可擴展性挑戰(zhàn)，嵌入式MRAM正在獲得更多考慮。
2019-09-16 16:25:421159 全球兩大半導(dǎo)體巨擘——英特爾(Intel)、三星(Samsung)在第64屆國際電子組件會議(IEDM)上，發(fā)表嵌入式MRAM在邏輯芯片制造工藝的新技術(shù)。
2019-10-02 12:45:00997 瑞薩電子與臺積電共同宣布，雙方合作開發(fā)28納米嵌入式閃存(eFlash)制程技術(shù)，以生產(chǎn)支持新一代環(huán)保汽車與自動駕駛汽車的微控制器(MCU)。
2019-11-29 11:13:162684 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP(12nm FinFET)工藝來制造新一代STT-MRAM(自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存)，包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-15 23:52:532742 GlobalFoundries、Everspin聯(lián)合宣布，雙方已經(jīng)達成新的合作，將利用GF 12LP（12nm FinFET）工藝來制造新一代STT-MRAM（自旋轉(zhuǎn)移矩磁阻內(nèi)存），包括獨立的MRAM芯片和嵌入式的eMRAM。
2020-03-20 16:59:563103 據(jù)國外媒體報道，由于需求下滑，芯片代工商臺積電28nm、40/45nm的產(chǎn)能利用率有下滑。
2020-04-15 14:44:584092 的易失性存儲器，新的SoC級存儲器測試和修復(fù)挑戰(zhàn)不斷涌現(xiàn)。通過將自旋轉(zhuǎn)移扭矩MRAM（STT-MRAM）作為嵌入式MRAM技術(shù)的領(lǐng)先趨勢來增強動力，同時考慮了汽車應(yīng)用的需求。要為嵌入式MRAM選擇合適的內(nèi)存測試和修復(fù)解決方案，設(shè)計人員需
2020-10-14 15:52:191027 
雖然高端市場會被 7nm、10nm以及14nm/16nm工藝占據(jù)，但40nm、28nm等并不會退出。如28nm和16nm工藝現(xiàn)在仍然是臺積電的營收主力，中芯國際則在持續(xù)提高28nm良率。
2020-10-15 11:18:026371 據(jù)外媒最新報道，近日美國政府允許了臺積電向華為供貨芯片，但只是允許向華為供應(yīng)一部分成熟工藝的產(chǎn)品，即：28nm工藝或以上的產(chǎn)品！ 臺積電從美國商務(wù)部獲得許可證，能夠繼續(xù)向華為供應(yīng)一部分成熟工藝產(chǎn)品
2020-10-23 10:54:443445 市場研究與咨詢機構(gòu)Strategy Analytics發(fā)布的研究報告《重要的28nm CMOS節(jié)點上中國自給自足：計劃能夠成功》指出，中國“國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金二期”的成立，可能會推動中國在兩年內(nèi)在至關(guān)重要的28nm特征尺寸的集成電路生產(chǎn)方面幾乎實現(xiàn)自給自足。
2020-11-04 16:11:575880 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu)，將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中，與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較，能夠降低芯片漏電流，減少芯片靜態(tài)功耗，延長手持設(shè)備的在線工作
2020-11-20 15:20:241099 
28nm目前國內(nèi)主要的芯片產(chǎn)品以及未來5年可能會導(dǎo)入的新的芯片產(chǎn)品
2020-12-02 10:31:094927 12 月 3 日消息 據(jù) Omdia 研究報告，28nm 將在未來 5 年成為半導(dǎo)體應(yīng)用的長節(jié)點制程工藝。 在摩爾定律的指引下，集成電路的線寬不斷縮小，基本上是按每兩年縮小至原尺寸的 70% 的步伐
2020-12-03 17:02:253321 據(jù)國外媒體報道，雖然目前最先進的芯片制程工藝已經(jīng)達到5nm，但成熟的28nm工藝，目前仍還有大量的需求，28nm工藝目前就還仍是臺積電的第4大收入來源，貢獻了去年四季度臺積電營收的11%，是4項營收占比超過10%的工藝之一。
2021-01-19 15:07:482577 日前有消息稱中芯國際已經(jīng)獲得了美國部分許可，14、28nm工藝的設(shè)備允許進口。
2021-03-03 09:39:362886 日前有消息稱中芯國際已經(jīng)獲得了美國部分許可，14、28nm工藝的設(shè)備允許進口。
2021-03-03 11:22:222352 最近，關(guān)于28nm工藝的新聞頻頻見于報端。 一方面，臺積電日前宣布，將斥資約800億元新臺幣，把在南京廠建置28納米制程，目標(biāo)在2023年中前達到4萬片月產(chǎn)能。除此之外，市場中也有消息傳出晶圓代工
2021-05-06 17:32:323906 Lattice基于三星28nm FD-SOI平臺推出了一系列FPGA產(chǎn)品，包括在嵌入式視頻方面應(yīng)用比較多的CrossLink-NX，重新定義的Certus-NX，去年Q4問世的基于安全的FPGA Mach-NX，以及最新推出的CertusPro-NX，另外明年還會推出基于FD-SOI平臺的兩款新品。
2021-08-14 10:07:446557 本文由everspin代理宇芯電子介紹關(guān)于新型的芯片架構(gòu),將嵌入式磁存儲芯片STT-MRAM應(yīng)用于芯片架構(gòu)設(shè)計中,與傳統(tǒng)芯片架構(gòu)相比較,能夠降低芯...
2022-01-25 20:15:003 據(jù)芯片行業(yè)來看，目前22nm和28nm的芯片工藝技術(shù)已經(jīng)相當(dāng)成熟了，很多廠商也使用22nm、28nm的芯片居多，主要原因就是價格便宜，那么這兩個芯片之間有什么性能差異呢？
2022-06-29 09:47:4611987 在平面內(nèi)和垂直磁隧道結(jié)（MTJ）STT-MRAM位單元的開發(fā)方面處于市場領(lǐng)先地位。包括40nm，28nm及更高工藝在內(nèi)的先進技術(shù)節(jié)點上進行了全包交鑰匙的300mm大批量平面內(nèi)和垂直MTJ ST-MRAM生產(chǎn)。
2022-11-17 14:32:391050 
IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:110 IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-03-14 19:20:431 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-03-14 19:21:550 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:25:461 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:26:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-03-16 19:31:220 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-03-16 19:31:530 IP_數(shù)據(jù)表(I-26):USB2.0 Transceiver for Samsung 28nm
2023-07-05 19:45:461 IP_數(shù)據(jù)表(I-28):MIPI D-PHY Tx/Rx for Samsung 28nm
2023-07-05 19:46:141 IP 數(shù)據(jù)表: 1.8V Standard Cell for TSMC 28nm HPC+
2023-07-05 19:47:133 IP_數(shù)據(jù)表(I-5):SerDes PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:11:570 IP_數(shù)據(jù)表(I-2):Combo PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:12:261 IP_數(shù)據(jù)表(I-1):Combo Serdes PHY for TSMC 28nm HPM
2023-07-06 20:17:411 IP_數(shù)據(jù)表(I-6):SATA PHY for TSMC 28nm HPC+
2023-07-06 20:18:070 這座晶圓廠于2022年4月開始新建，大樓主結(jié)構(gòu)已完工，且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級工藝芯片，這是日本目前最先進的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會在這里生產(chǎn)，但注意它不是22nm，而是28nm的一個變種，專用于超低功耗設(shè)備。
2024-01-03 15:53:271889 、BBSRAM、NVSRAM及NOR存儲器件，專為應(yīng)對工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、嵌入式系統(tǒng)及高性能存儲應(yīng)用的嚴(yán)苛需求而設(shè)計。旨在通過其高性能、高可靠性及廣泛的適用性，為下一代存儲架構(gòu)提供支撐。
2025-11-05 15:31:48286
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