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      電子發燒友網>制造/封裝>半導體技術>半導體新聞>日本設立共同研究室 加快新一代功率半導體氮化鎵功研發

      日本設立共同研究室 加快新一代功率半導體氮化鎵功研發

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      納微半導體發布全新GaNSense? Control合封氮化鎵芯片，引領氮化鎵邁入集成新高度

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      2023-03-28 13:54:321257

      8英寸！第四代半導體再突破，我國氧化鎵研究取得系列進展，產業化再進一步

      氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
      2023-03-15 11:09:59

      氮化鎵一瓦已經不足一元，并且順豐包郵？聯想發動氮化鎵價格戰伊始。

      度大、擊穿電場高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、介電常數小等獨特的性能，被譽為第三代半導體材料。氮化鎵在光電器件、功率器件、射頻微波器件、激光器和探測器件等方面展現出巨大的潛力，甚至為該行業帶來跨越式
      2022-06-14 11:11:16

      氮化鎵功率半導體技術解析

      氮化鎵功率半導體技術解析基于GaN的高級模塊
      2021-03-09 06:33:26

      氮化鎵功率芯片的優勢

      更小：GaNFast? 功率芯片，可實現比傳統硅器件芯片 3 倍的充電速度，其尺寸和重量只有前者的一半，并且在能量節約方面，它最高能節約 40% 的能量。 更快：氮化鎵電源 IC 的集成設計使其非常
      2023-06-15 15:32:41

      氮化鎵GaN 來到我們身邊竟如此的快

      被譽為第三代半導體材料的氮化鎵GaN。早期的氮化鎵材料被運用到通信、軍工領域，隨著技術的進步以及人們的需求，氮化鎵產品已經走進了我們生活中，尤其在充電器中的應用逐步布局開來，以下是采用了氮化鎵的快
      2020-03-18 22:34:23

      氮化鎵充電器

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      2021-09-14 08:35:58

      氮化鎵發展評估

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      2017-08-15 17:47:34

      氮化鎵技術在半導體行業中處于什么位置？

      從將PC適配器的尺寸減半，到為并網應用創建高效、緊湊的10 kW轉換，德州儀器為您的設計提供了氮化鎵解決方案。LMG3410和LMG3411系列產品的額定電壓為600 V，提供從低功率適配器到超過2 kW設計的各類解決方案。
      2019-08-01 07:38:40

      氮化鎵的卓越表現：推動主流射頻應用實現規模化、供應安全和快速應對能力

      應對能力以及供應鏈的靈活性和固有可靠性。作為新一代無線基礎設施獨一無二的出色半導體技術，硅基氮化鎵有望以LDMOS成本結構實現優異的氮化鎵性能，并且具備支持大規模需求的商業制造擴展能力。 MACOM
      2018-08-17 09:49:42

      氮化鎵芯片未來會取代硅芯片嗎？

      氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
      2023-08-21 17:06:18

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      2019-06-25 07:41:00

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      2017-09-04 15:02:41

      MACOM：適用于5G的半導體材料硅基氮化鎵（GaN）

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      2017-07-18 16:38:20

      《炬豐科技-半導體工藝》氮化鎵發展技術

      書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：氮化鎵發展技術編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
      2021-07-06 09:38:20

      為什么氮化鎵(GaN)很重要？

      的設計和集成度，已經被證明可以成為充當下一代功率半導體，其碳足跡比傳統的硅基器件要低10倍。據估計，如果全球采用硅芯片器件的數據中心，都升級為使用氮化鎵功率芯片器件，那全球的數據中心將減少30-40
      2023-06-15 15:47:44

      為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應用呢？

      推廣應用和推廣碳中和”的政策。日本大坂大學的森勇介教授，一直在從事高品質的半導體研究，這一次，我們就氮化鎵的研發情況、研究成果對未來的應用前景產生的影響，森教授進行了訪談。目前，功率半導體的應用廣泛，其
      2023-02-23 15:46:22

      什么是氮化鎵功率芯片？

      行業標準，成為落地量產設計的催化劑 氮化鎵芯片是提高整個系統性能的關鍵，是創造出接近“理想開關”的電路構件，即一個能將最小能量的數字信號，轉化為無損功率傳輸的電路構件。 納微半導體利用橫向650V
      2023-06-15 14:17:56

      什么是氮化鎵功率芯片？

      通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
      2023-06-15 16:03:16

      什么是氮化鎵（GaN）？

      氮化鎵南征北戰縱橫半導體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學穩定性等優越性質，確立了其在制備寬波譜
      2019-07-31 06:53:03

      什么是氮化鎵（GaN）？

      氮化鎵，由鎵（原子序數 31）和氮（原子序數 7）結合而來的化合物。它是擁有穩定六邊形晶體結構的寬禁帶半導體材料。禁帶，是指電子從原子核軌道上脫離所需要的能量，氮化鎵的禁帶寬度為 3.4eV，是硅
      2023-06-15 15:41:16

      什么阻礙氮化鎵器件的發展

      氮化鎵也處于這一階段，成本將會隨著市場需求量加速、大規模生產、工藝制程革新等，而走向平民化，而最終的市場也將會取代傳統的硅基功率器件。8英寸硅基氮化鎵的商用化量產，可以大幅降低成本。第三代半導體的普及
      2019-07-08 04:20:32

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      從清華大學到鎵未來科技，張大江先生在半導體功率器件十八年的堅守！近年來，珠海市鎵未來科技有限公司（以下簡稱“鎵未來”）在第三代半導體行業異軍突起，憑借領先的氮化鎵（GaN）技術儲備和不斷推出的新產品
      2025-05-19 10:16:02

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      傳統的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導體電力電子器件的誕生，以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
      2021-09-23 15:02:11

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      2019-07-09 06:15:48

      有關氮化鎵半導體的常見錯誤觀念

      ，以及分享GaN FET和集成電路目前在功率轉換領域替代硅器件的步伐。 誤解1：氮化鎵技術很新且還沒有經過驗證 氮化鎵器件是一種非常堅硬、具高機械穩定性的寬帶隙半導體，于1990年代初首次用于生產高
      2023-06-25 14:17:47

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      2019-09-02 07:16:34

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      氮化鎵(GaN)功率半導體技術和模塊式設計的進步，使得微波頻率的高功率連續波(CW)和脈沖放大器成為可能。
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      2023-02-14 17:35:509676

      氮化鎵(GaN)功率半導體之預測

      氮化鎵（GaN）是一種非常堅硬且在機械方面非常穩定的寬帶隙半導體材料。由于具有更高的擊穿強度、更快的開關速度，更高的熱導率和更低的導通電 阻，氮化鎵基功率器件明顯比硅基器件更優越。 氮化鎵晶體
      2023-02-15 16:19:060

      半導體“黑科技”：氮化鎵

      魚得水，從2018年開始，業界對氮化鎵關注度不斷升溫，甚至將7月31日定為世界氮化鎵日。 接下來，就讓我們一起來探究氮化鎵材質的特性如何？氮化鎵市場的發展方向？以及氮化鎵的封裝技術需求？ △圖1：第三代半導體發展及特性對比。 氮化鎵
      2023-02-17 18:13:204101

      半導體材料：GaN(氮化鎵)的詳細介紹

      三代半導體即寬禁帶半導體，以碳化硅和氮化鎵為代表，具備高頻、高效、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射能力強等優越性能，切合節能減排、智能制造、信息安全等國家重大戰略需求，是支撐新一代移動通信、新能源汽車
      2023-02-21 15:02:5712

      雙碳時代的芯片可以在氮化鎵上造

      步，推出采用GaNSense?技術的新一代智能GaNFast?氮化鎵功率芯片，為氮化鎵技術的探索翻開了新的一頁。? 氮化鎵VS傳統的硅，節能又減排 眾所周知，硅作為晶體管的首選材料，一直是半導體科技的基
      2023-02-21 14:57:110

      氮化鎵材料研究

      氮化鎵(GaN)是一種寬禁帶隙的半導體材料，在半導體行業是繼硅之后最受歡迎的材料。這背后的原動力趨勢是led，微波，以 及最近的電力電子。新的研究領域還包括自旋電子學和納米帶晶體管，利用了氮化鎵
      2023-02-21 14:57:374

      納微半導體推出智能GaNFast氮化鎵功率芯片

      領導者納微半導體（Navitas Semiconductor）（納斯達克股票代碼：NVTS）宣 布推出新一代采用GaNSense技術的智能GaNFast氮化鎵功率芯片。GaNSense技術集成了關鍵、實時、智能的傳感和保護電路， 進一步提高了納微半導體在功率半導體行業領先的可靠性和穩健性，同時增加了
      2023-02-22 13:48:053

      什么是氮化鎵半導體？GaN如何改造5G網絡？

      氮化鎵 (GaN) 是一種半導體材料，因其卓越的性能而越來越受歡迎。與傳統的硅基半導體不同，GaN 具有更寬的帶隙，這使其成為高頻和大功率應用的理想選擇。
      2023-03-03 10:14:391395

      納微新一代GaNSense? Control合封芯片詳解：更高效穩定、成本更優的氮化鎵功率芯片

      在電源領域掀起了翻天覆地的變革。 為簡化電路設計，加強器件可靠性，降低系統成本，納微半導體基于成功的GaNFast?氮化鎵功率芯片及先進的GaNSense?技術，推出新一代GaNSense? Control合封氮化鎵功率芯片，進一步加速氮化鎵市場普及
      2023-03-28 13:58:021876

      發貨量超75,000,000顆！納微半導體創氮化鎵功率器件出貨“芯”高峰

      全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者 — 納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布 已出貨超7500萬顆高壓氮化鎵功率器件。 氮化鎵是是較高壓傳統硅功率半導體有著重大升級的下一代半導體技術，它減少了提供高壓性
      2023-03-28 14:19:531041

      茂睿芯推出全新一代氮化鎵技術LD-GaN

      氮化鎵（GaN）作為第三代半導體器件，憑借其優異的性能，在PD快充領域被廣泛使用。
      2023-06-02 16:41:13893

      金沙江第三代半導體氮化鎵芯片應用項目簽約鶴壁

      　徐州金沙江半導體有限公司（以下簡稱金沙江半導體）據官方消息，公司在2021年被設立，項目發起人氮化鎵（的）領域的領導者，氮化鎵功率器件及其新應用為主力產品，正在構建新型的idm平臺。
      2023-06-30 10:31:022683

      什么是氮化鎵半導體器件？氮化鎵半導體器件特點是什么？

      氮化鎵是一種無機物質，化學式為GaN，是氮和鎵的化合物，是一種具有直接帶隙的半導體。自1990年起常用于發光二極管。這種化合物的結構與纖鋅礦相似，硬度非常高。氮化鎵具有3.4電子伏特的寬能隙，可用
      2023-09-13 16:41:453097

      氮化鎵功率芯片功率曲線分析 氮化鎵功率器件的優缺點

      不，氮化鎵功率器（GaN Power Device）與電容是不同的組件。氮化鎵功率器是一種用于電力轉換和功率放大的半導體器件，它利用氮化鎵材料的特性來實現高效率和高功率密度的電力應用。
      2023-10-16 14:52:442506

      氮化鎵功率芯片：革命性的半導體技術

      隨著科技的不斷發展，無線通信、射頻設備和微波應用等領域對高性能功率放大器的需求不斷增加。為滿足這些需求，半導體行業一直在不斷尋求創新和進步。其中，氮化鎵功率芯片已經成為一項引領潮流的技術，為高頻、高功率應用提供了全新的解決方案。
      2023-10-18 09:13:142239

      半導體“黑科技”：氮化鎵（GaN）是何物？

      氮化鎵（GaN）被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導體材料、第二代 GaAs、InP 化合物半導體材料之后的第三代半導體材料，今天金譽半導體帶大家來簡單了解一下，這個材料有什么厲害的地方。
      2023-11-03 10:59:123281

      車規氮化鎵功率模塊

      建立合作關系，攜手研發車規氮化鎵（GaN）功率模塊。雙方長期保持著緊密的聯系，此次進一步合作的目標是共同開發GaN功率器件在電動汽車(EV)上的應用。
      2023-11-28 08:31:54659

      意法半導體推出下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片

      2023年12月15日，中國-意法半導體的MasterGaN1L和MasterGaN4L氮化鎵系列產品推出了下一代集成化氮化鎵(GaN)電橋芯片，利用寬禁帶半導體技術簡化電源設計，實現最新的生態設計目標。
      2023-12-15 16:44:111621

      氮化鎵半導體和碳化硅半導體的區別

      氮化鎵半導體和碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料，在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性： 氮化
      2023-12-27 14:54:184062

      氮化鎵半導體芯片和芯片區別

      材料不同。傳統的硅半導體芯片是以硅為基材，采用不同的工藝在硅上加工制造，而氮化鎵半導體芯片則是以氮化鎵為基材，通過化學氣相沉積、分子束外延等工藝制備。氮化鎵是一種全化合物半導體材料，具有較寬的能隙，電子遷移率高以及較高的飽
      2023-12-27 14:58:242956

      氮化鎵半導體屬于金屬材料嗎

      氮化鎵半導體并不屬于金屬材料，它屬于半導體材料。為了滿足你的要求，我將詳細介紹氮化鎵半導體的性質、制備方法、應用領域以及未來發展方向等方面的內容。 氮化鎵半導體的性質 氮化鎵（GaN）是一種寬禁帶
      2024-01-10 09:27:324486

      氮化鎵芯片研發過程

      氮化鎵芯片（GaN芯片）是一種新型的半導體材料，在目前的電子設備中逐漸得到應用。它以其優異的性能和特點備受研究人員的關注和追捧。在現代科技的進步中，氮化鎵芯片的研發過程至關重要。下面將詳細介紹氮化鎵
      2024-01-10 10:11:392150

      日本NTT和英特爾將共同開發下一代半導體

      日本NTT公司和英特爾公司近日宣布，將與多家半導體廠商合作，共同開展新一代“光電融合”半導體的技術合作和批量生產。據悉，日本政府將為這一項目提供450億日元（約合人民幣22億元）的支援。
      2024-01-30 10:17:331192

      納微半導體下一代GaNFast?氮化鎵技術為三星打造超快“加速充電”

      加利福尼亞州托倫斯2024年2月21日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）宣布其GaNFast?氮化鎵功率芯片為三星全新發布的“AI機皇”—— Galaxy S24智能手機打造25W超快“加速充電”。
      2024-02-22 11:42:041476

      鎵未來TOLL&TOLT封裝氮化鎵功率器件助力超高效率鈦金能效技術平臺

      珠海鎵未來科技有限公司是行業領先的高壓氮化鎵功率器件高新技術企業，致力于第三代半導體硅基氮化鎵 (GaN-on-Si) 研發與產業化。
      2024-04-10 18:08:092856

      納微半導體下一代GaNFast氮化鎵功率芯片助力聯想打造全新氮化鎵快充

      加利福尼亞州托倫斯2024年6月20日訊 — 唯一全面專注的下一代功率半導體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業領導者——納微半導體（納斯達克股票代碼：NVTS）近日宣布其GaNFast氮化鎵功率芯片獲
      2024-06-21 14:45:442670

      納微半導體發布GaNSli氮化鎵功率芯片

      近日，納微半導體推出了全新一代高度集成的氮化鎵功率芯片——GaNSlim?。這款芯片憑借卓越的集成度和出色的散熱性能，在手機和筆記本電腦充電器、電視電源以及固態照明電源等多個領域展現出了巨大潛力。
      2024-10-17 16:02:311138

      日本企業加速氮化鎵半導體生產,力推電動汽車續航升級

      日本公司正積極投入大規模生產氮化鎵（GaN）功率半導體器件，旨在提升電動汽車的行駛里程。盡管氮化鎵與碳化硅（SiC）在電動汽車功率半導體器件的應用上競爭激烈，但氮化鎵因其極低的功率損耗而備受矚目。
      2024-10-22 15:10:021757

      德州儀器日本會津工廠啟動氮化鎵功率半導體生產

      德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵（GaN）功率半導體的生產。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達拉斯已有的GaN制造業務，將使TI的GaN功率半導體自有產能增加至原先的四倍。
      2024-10-26 15:21:091580

      日本羅姆半導體加強與臺積電氮化鎵合作,代工趨勢顯現

      近日，日本功率器件大廠羅姆半導體（ROHM）宣布，將在氮化鎵功率半導體領域深化與臺積電的合作，其氮化鎵產品將全面交由臺積電代工生產。這一舉措標志著氮化鎵市場的代工趨勢正在加速發展。
      2024-10-29 11:03:391595

      遠山半導體氮化鎵功率器件的耐高壓測試

      氮化鎵（GaN），作為一種具有獨特物理和化學性質的半導體材料，近年來在電子領域大放異彩，其制成的氮化鎵功率芯片在功率轉換效率、開關速度及耐高溫等方面優勢盡顯，在5G通信、新能源汽車、數據中心、消費電子等熱門領域，發揮重要的作用。
      2024-10-29 16:23:151570

      德州儀器氮化鎵功率半導體產能大幅提升

      近日，美國芯片大廠德州儀器（TI）宣布了一項重要進展。其位于日本會津的工廠已經正式投產基于氮化鎵（GaN）的功率半導體。這一舉措標志著德州儀器在氮化鎵功率半導體領域邁出了堅實的一步。
      2024-10-29 16:57:591238

      德州儀器擴大氮化鎵半導體制造規模

      近日，德州儀器（TI）宣布了一個重要的產能提升計劃。公司在日本會津工廠的氮化鎵（GaN）功率半導體已經正式投產。
      2024-11-01 18:03:401499

      合作案例 | 一文解開遠山氮化鎵功率器件耐高壓的秘密

      、消費電子等熱門領域，發揮重要的作用。面向中高功率市場的氮化鎵半導體IDM遠山半導體是一家第三代半導體研發與生產企業，具備完整的“外延材料+芯片制造”自主核心技術與生
      2024-11-12 15:58:331226

      第三代半導體氮化鎵(GaN)基礎知識

      的應用領域，在科技界掀起了一陣熱潮。 氮化鎵是什么？氮化鎵可以被看作是一種新型的半導體材料，它由鎵（Gallium）和氮（Nitrogen）元素組成。相比于第一代硅和第二代砷化鎵半導體，氮化鎵具有更高的電子遷移率和更寬的能帶間隙，使得它在功
      2024-11-27 16:06:503150

      英飛凌全新一代氮化鎵產品重磅發布，電壓覆蓋700V！

      作為第三代半導體材料的代表者，氮化鎵(GaN)憑借其優異的電氣性能、高熱導率、電子飽和率和耐輻射性等特性，引領了全球功率半導體產業革新，隨著氮化鎵技術的不斷成熟和應用領域的不斷拓展，其市場規模正
      2024-12-06 01:02:431400

      英諾賽科香港上市，國內氮化鎵半導體第一股誕生

      家專注于第三代半導體氮化鎵研發與制造的高新技術企業，自成立以來，始終致力于推動氮化鎵技術的創新與應用。公司擁有全球最大的氮化鎵功率半導體生產基地，產品線覆蓋氮化鎵晶圓、氮化鎵分立器件、合封芯片以及模組等多個領域，能
      2025-01-02 14:36:301522

      安森美推出垂直氮化鎵功率半導體

      隨著全球能源需求因 AI 數據中心、電動汽車以及其他高能耗應用而激增，安森美（onsemi）推出垂直氮化鎵（vGaN）功率半導體，為相關應用的功率密度、能效和耐用性樹立新標桿。這些突破性的新一代
      2025-10-31 13:56:161981

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