德州儀器（TI）宣布，其位于日本會津的工廠已正式啟動氮化鎵（GaN）功率半導體的生產。這一舉措，加上TI在德克薩斯州達拉斯已有的GaN制造業務，將使TI的GaN功率半導體自有產能增加至原先的四倍。

TI的技術與制造資深副總裁Mohammad Yunus表示，憑借超過十年的GaN芯片設計與制造經驗，TI已成功驗證并量產8英寸GaN技術，這是目前最具可擴展性和成本競爭力的GaN制造技術。這一里程碑的達成，不僅大幅提升了TI的GaN芯片自有產能，還計劃在2030年前將內部制造比率提高至95%以上。同時，這也使得TI能夠從多個地點采購，確保高功率、節能GaN半導體產品組合的可靠供應。

TI指出，GaN作為硅的替代品，在許多領域都展現出顯著優勢，包括節能效果、開關速度、電源解決方案的尺寸與重量、整體系統成本以及在高溫高壓條件下的性能等。GaN芯片能夠提供更高的功率密度，即在更小的空間內提供更多功率，因此適用于筆記本電腦、手機電源適配器以及更小、更節能的加熱、空調系統和家用電器馬達等。目前，TI提供從低電壓到高電壓的最廣泛集成式GaN功率半導體產品組合，助力實現最節能、可靠且高功率密度的電子產品。

TI的高電壓電源副總裁Kannan Soundarapandian表示，GaN使TI能夠在有限的空間內提供更高效的功率，這是推動眾多客戶創新的主要市場需求。服務器電源、太陽能發電和AC/DC轉接器等系統的設計師正面臨減少功耗、提升能源效率的挑戰，他們對TI高性能GaN芯片的可靠供應需求日益增加。TI的集成式GaN功率級產品組合讓客戶能夠實現更高的功率密度、提升易用性并降低系統成本。此外，TI的專利硅基氮化鎵制程經過超過8000萬小時的可靠性測試，并具備集成保護功能，確保高電壓系統安全可靠。

TI還指出，新產能采用市場上最先進的設備制造GaN芯片，從而提升了產品性能和制程效率，并提供了成本優勢。在TI不斷擴展的GaN制造業務中，采用了更先進、更高效的工具，能夠生產更小的芯片，并封裝更多功率。這一創新設計不僅減少了水、能源和原材料的消耗，而且使用GaN芯片的最終產品也能享受到相同的環境效益。

TI強調，增加GaN制造規模的性能優勢使其能夠將GaN芯片提升至更高的電壓水平，從900伏特開始，并逐步增加至更高電壓，從而進一步推動機器人、可再生能源和服務器電源等應用的能源效率和尺寸創新。此外，TI的擴大投資還包括在2024年初成功在12英寸晶圓上進行GaN制造的試行作業。TI不斷擴大的GaN制程技術可以完全轉移至12英寸晶圓上，以便根據客戶需求進行調整，并在未來轉向12英寸技術生產。