11月17日，華為海思麒麟960剛登上了央視，展示了通信（接受信息）和處理信息的兩大能力。央視首次視頻演示了華為在發布會上提到了14款常用應用打開速度測試，結果麒麟960的Mate 9在13款中擊敗三星Galaxy Note 7和iPhone 7 Plus。

　　同一天，Qualcomm Incorporated（今日宣布，其子公司QualcommTechnologies， Inc.（QTI）和三星電子有限公司延續雙方十年之久的戰略性晶圓代工合作，將采用三星10納米FinFET制程工藝打造QualcommTechnologies最新款頂級處理器——Qualcomm?驍龍?835處理器。（以下內容來自《高通》的信息）

　　在下一代頂級處理器中采用三星先進制程的決定，突顯了Qualcomm Technologies作為移動平臺技術領軍企業的不懈努力。

　　Qualcomm Technologies. Inc.產品管理高級副總裁Keith Kressin表示：“我們非常高興繼續與三星合作，共同開發引領移動行業的產品。全新10納米制程節點的采用，預計將使我們頂級系列的驍龍835處理器帶來更低的功耗與更高的性能，同時也讓我們能夠增加諸多全新功能，從而提升未來的移動終端用戶體驗。”

　　今年10月，三星宣布率先在業界實現了10納米 FinFET工藝的量產。與其上一代14納米FinFET工藝相比，三星10納米工藝可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。通過采用10納米FinFET工藝，驍龍835處理器將具有更小的芯片尺寸，讓OEM廠商能夠在即將發布的產品中獲得更多可用空間，以支持更大的電池或更輕薄的設計。制程工藝的提升與更先進的芯片設計相結合，預計將會顯著提升電池續航。

　　另外，消息表示驍龍835將支持全新的Quick Charge 4.0快充技術，最高功率可達28W，Quick Charge 4能在大約15分鐘或更短時間內，充入高達50%的電池電量。通過Qualcomm Technologies的平行充電技術Dual Charge，與使用QC 3.0相比，用戶可享受到高達20%的充電速度提升，以及高達30%的效率提升，同時還集成了對USB Type-C和USB-PD的支持。

　　早期也有消息稱高通和三星合作，高通將下一代處理器全部交由三星代工，作為交換條件，三星下一代產品S8，半數以上需要使用驍龍835處理器。如今看來這個消息可信度很高，既然三星和高通已經達到深度合作的關系，相信下一代的Galaxy S8很有可能是首發搭載高通驍龍835處理器的手機。

　　目前基本已經確定三星將會在2017年2月份的MWC上發布這款旗艦產品——GalaxyS8，從時間上看，也符合驍龍835正式商用的日期。對如今的三星來說，S8無疑是決定命運的一款手機，期待三星能夠為我們帶來一款足夠驚艷的Galaxy S8。

　　三星執行副總裁及晶圓代工業務主管JongShik Yoon表示：“我們很高興有機會與Qualcomm Technologies進行密切合作，采用我們的10納米 FinFET工藝生產驍龍835。作為我們晶圓代工業務的一項重要里程碑，此次合作顯示了對于三星領先制程工藝的信心。”

　　目前，驍龍835已經投入生產，預計搭載驍龍835的商用終端將于2017年上半年出貨。驍龍820/21處理器已經擁有超過200款設計發布或正在開發中，驍龍835正是其后續產品。

　　高通這次沒有披露具體架構，如果和文中一樣，使用10nm的工藝較三星的14nm工藝，可以在減少高達30%的芯片尺寸的基礎上，同時實現性能提升27%或高達40%的功耗降低。那么使用和三星14nm相當的臺積電 16nmFFplus工藝的Kirin 960在面世才一個多月，就已經被高通反超了。