化合物半導(dǎo)體是區(qū)別于硅（Si）和鍺（Ge）等傳統(tǒng)單質(zhì)的一類半導(dǎo)體材料，主要包括砷化鎵（GaAs）、磷化銦（InP）、氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）、氧化鋅（ZnO）等。相對(duì)于硅材料，化合物半導(dǎo)體性能更加優(yōu)異，制作出的器件相對(duì)于硅器件具有更優(yōu)異的光電性能、高速、高頻、大功率、耐高溫和高輻射等特征。

　　當(dāng)前，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革，化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點(diǎn)，我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局，搶占發(fā)展的主動(dòng)權(quán)。

　　化合物半導(dǎo)體

　　成為集成電路產(chǎn)業(yè)新關(guān)注點(diǎn)

　　集成電路產(chǎn)業(yè)深刻變革驅(qū)動(dòng)化合物半導(dǎo)體市場發(fā)展。一是集成電路產(chǎn)業(yè)遵循“摩爾定律”演進(jìn)趨緩，以新材料、新結(jié)構(gòu)以及新工藝為特征的“超越摩爾定律”成為產(chǎn)業(yè)新的發(fā)展重心。二是曾經(jīng)驅(qū)動(dòng)集成電路市場高速增長的PC和智能手機(jī)市場疲軟，未來5G和物聯(lián)網(wǎng)將成為新風(fēng)口。三是全球能源和環(huán)境危機(jī)突出，能源利用趨向低功耗和精細(xì)管理。化合物半導(dǎo)體作為新材料和新器件，在微波通信器件、光電子器件和功率器件中有著同類硅器件所不具備的優(yōu)異性能，將在以上應(yīng)用領(lǐng)域得到廣泛應(yīng)用。

　　國內(nèi)外圍繞化合物半導(dǎo)體的并購案頻發(fā)。近年來，國際巨頭企業(yè)紛紛圍繞化合物半導(dǎo)體展開并購，2014年8月，功率半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者德國英飛凌公司以30億美元收購美國國際整流器公司（IR），取得了其硅基GaN功率半導(dǎo)體制造技術(shù)；同年9月，設(shè)計(jì)和制造GaAs和GaN射頻芯片的RFMD公司和TriQuint公司宣布合并為新的RF解決方案公司Qorvo。國內(nèi)企業(yè)和資本也圍繞化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展開收購。

　　國家“大基金”投資三安光電布局化合物半導(dǎo)體。2015年6月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金（“大基金”）投資48.39億元入股三安光電，推動(dòng)三安光電下屬三安集成電路公司圍繞GaAs和GaN代工制造，開展境內(nèi)外并購、新技術(shù)研發(fā)、新建生產(chǎn)線等業(yè)務(wù)。同時(shí)，國家開發(fā)銀行也以最優(yōu)惠利率向三安提供200億元貸款。

　　2016年2月，泉州市政府、“大基金”、華芯投資、三安集團(tuán)等在晉江市合資成立安芯基金，基金目標(biāo)規(guī)模500億元，首期出資規(guī)模75.1億元，將主要投向III-V族化合物集成電路產(chǎn)業(yè)。

　　全球化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)

　　市場空間廣闊

　　GaAs器件GaAs微波通信器件在移動(dòng)終端的無線PA和射頻開關(guān)器領(lǐng)域占主導(dǎo)地位，未來高集成度和低成本制造將成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢，在無線通信、消費(fèi)電子、汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等應(yīng)用領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。同時(shí)，GaAs基材料有望在集成電路10nm以下制程以及未來的光互連芯片中得到應(yīng)用。

　　2015年全球GaAs微波通信器件市場規(guī)模達(dá)到86億美元，超過60%的市場份額集中于Skyworks、Qorvo、Broadcom/Avago三大巨頭，2020年，市場規(guī)模預(yù)計(jì)將突破130億美元。GaAs產(chǎn)業(yè)代工制造模式逐漸興起，我國***穩(wěn)懋、宏捷、環(huán)宇是主要的代工企業(yè)。

　　GaN器件基于GaN的藍(lán)綠光LED產(chǎn)業(yè)發(fā)展成熟，微波通信器件和電力電子器件產(chǎn)品尚未在民用領(lǐng)域廣泛應(yīng)用。藍(lán)寶石基GaN技術(shù)最成熟，Si基GaN可實(shí)現(xiàn)高集成性和低成本，目前Si基GaN技術(shù)以6英寸為主流。

　　全球GaN微波通信器件和電力電子器件的產(chǎn)值還很低，只有幾億美元，隨著技術(shù)水平的進(jìn)步，2020年產(chǎn)值有望達(dá)到15億美元。英飛凌、富士、東芝、松下等大企業(yè)紛紛投巨資進(jìn)軍GaN領(lǐng)域。新進(jìn)入的小企業(yè)也有很多，如加拿大的GaN Systems、美國的EPC等公司都已經(jīng)量產(chǎn)GaN產(chǎn)品。未來在新能源、智能電網(wǎng)、信息通信設(shè)備和消費(fèi)電子領(lǐng)域?qū)⒌玫綇V泛應(yīng)用。

　　SiC器件SiC單晶襯底制造以4英寸為主流，并正向6英寸過渡，同時(shí)8英寸也已經(jīng)問世。產(chǎn)品主要以電力電子器件為主，SiC-SBD（肖特基二極管）技術(shù)成熟，已開始在光伏發(fā)電等領(lǐng)域替代Si器件，SiC-MOSFET性能突出，可大幅降低模組中電容電感的用量，降低功率模組成本。SiC-IGBT未來將憑借其優(yōu)異的性能在大型輪船引擎、智能電網(wǎng)、高鐵和風(fēng)力發(fā)電等大功率領(lǐng)域得到應(yīng)用。

　　2015年，全球SiC電力電子器件市場規(guī)模達(dá)到近1.5億美元，預(yù)計(jì)2020年將達(dá)到10億美元。SiC襯底的主要供應(yīng)商有科銳、Rohm/SiCrystal和II-VI等，其中科銳公司占據(jù)了SiC襯底90%的供應(yīng)量。SiC器件市場，科銳和英飛凌/IR兩家巨頭占據(jù)了70%的市場份額。SiC電力電子器件在低電壓產(chǎn)品領(lǐng)域?qū)⒚鎸?duì)GaN器件的激烈競爭，在PFC、UPS、消費(fèi)電子和電動(dòng)汽車等900V以下的應(yīng)用領(lǐng)域，低成本的GaN器件將占據(jù)主要市場，SiC器件未來主要面向1200V以上的市場。

　　我國產(chǎn)業(yè)發(fā)展

　　面臨重大機(jī)遇

　　《中國制造2025》為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供政策支持。2015年5月，國務(wù)院發(fā)布《中國制造2025》。新材料在《〈中國制造2025〉重點(diǎn)領(lǐng)域技術(shù)路線圖》中是十大重點(diǎn)領(lǐng)域之一，其中化合物半導(dǎo)體中的第三代半導(dǎo)體被納入關(guān)鍵戰(zhàn)略材料發(fā)展重點(diǎn)。

　　集成電路高速發(fā)展為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供技術(shù)支撐。我國集成電路正處于大發(fā)展時(shí)期，可為化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)提供先進(jìn)技術(shù)支撐。如GaAs或GaN單片微波集成電路的設(shè)計(jì)和仿真技術(shù)、化合物半導(dǎo)體制造工藝和生產(chǎn)線的建設(shè)技術(shù)、先進(jìn)封裝和測試技術(shù)、光刻機(jī)和CVD等通用設(shè)備的制造技術(shù)、以及大尺寸硅單晶襯底和光刻膠等通用配套材料的制備技術(shù)。

　　重點(diǎn)應(yīng)用領(lǐng)域和國產(chǎn)化替代需求為產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供巨大市場。我國的光伏、風(fēng)能、4G/5G移動(dòng)通信、高速鐵路、電動(dòng)汽車、智能電網(wǎng)、大數(shù)據(jù)/云計(jì)算中心、半導(dǎo)體照明等產(chǎn)業(yè)發(fā)展如火如荼，是化合物半導(dǎo)體大顯身手的應(yīng)用領(lǐng)域，如4G/5G通信基站和終端使用的GaAs或GaN微波射頻器件和模塊，高速鐵路使用的SiC基牽引傳動(dòng)系統(tǒng)，光伏電站、風(fēng)能電場和電動(dòng)汽車使用的GaN或SiC電能逆變器或轉(zhuǎn)換器，智能電網(wǎng)使用的SiC大功率開關(guān)器件，工業(yè)控制使用的GaN或SiC基電機(jī)馬達(dá)變頻驅(qū)動(dòng)器，大數(shù)據(jù)/云計(jì)算中心使用的GaN或SiC基高效供電電源，半導(dǎo)體照明中使用的GaN基高亮度LED等。