2015年中國DRAM消化量已達47.89億顆（2Gb equiv），總計102億美元，占全球產能的19.2%。一方面，中國武岳峰資本與賽普拉斯就收購美國半導體公司ISSI斗智斗勇；另一方面，武漢新芯確定統籌中國DRAM產業發展，將匯集三大技術（DRAM、3D NAND、NOR）成為中國重要內存芯片基地。DRAM屬于資本密集產業，光土地、廠房不含設備，就得耗資20~40億RMB，投產六萬片即超過200億RMB，若要達到較具經濟規模的10萬片產能，就得另外花上400~800億RMB才有辦法做到，僅剩三家（三星、美光、SK海力士）獨大的DRAM市場。

　　目前來看，大基金對啃下了存儲產業這塊硬骨頭的決心非常重，在資金、技術、人才、IP等方面完成初步布局。

　　1.與國際大廠談技術合作：武漢新芯2015年年初正式與Spansion合作，展開3D NAND的技術開發。英特爾強勢主導與DRAM廠的全力配合下，DDR4內存將在服務器領域率先切入。2.收購美國半導體企業：武岳峰資本收購美國半導體公司ISSI已到最后階段，塵埃將落定。對國內取得IP專利提升DRAM領域技術競爭力非常重要。3.挖角***存儲產業人才：中芯國際營運長趙海軍為***DRAM廠商茂德技術發展暨產品本部兼大中華事業部副總裁。同樣被視為目標的還有***瑞晶團隊與華亞科、南亞科人才。爾必達前社長坂本幸雄，也在合肥現身力求東山再起。4. 整合國內產業和人才優勢：北京已是中國IC重要應用市場，還有北京、清華大學以及中科院微電子中心等知識人才優勢；而上海則有已逐步建立起IC產業鏈的中芯國際；聯發科、Marvell、君正科技等在內的廠商，簽署了14項與25項落戶合肥的合作案；武漢新芯籌建第二座晶圓廠，武漢成為中國內存芯片基地。

　　TrendForce旗下記憶體儲存事業處DRAMeXchange指出，除了大基金外，中芯國際、湖北省科技投資集團、湖北基金、華芯投資等都會投資，遠期計劃要募集到240億美元的規模，長期產能目標達每月30萬片，正式展開中國DRAM產業發展的計劃。

　　從目前工廠規模來看，武漢新芯一廠投片已接近滿載水位，現有工廠初期產品以NOR為主。倘若再加上DRAM產能，勢必將再興建另一座12寸晶圓廠來滿足未來產能的需求。DRAMeXchange預估，未來武漢新芯將匯集DRAM、3D NAND與NOR技術成為中國半導體產業的技術領頭羊，且將至少擁有二座12寸晶圓廠的中國內存芯片基地。DRAM產業走過了景氣谷底，加上需求的持續保障，DRAM廠重新開始考慮建廠，從去年下半年開始陸續啟動擴建新廠，各家產能競賽再起，并穩步升級工藝。今年以來，中國政府積極扶持自有DRAM產業，各項政策與收購動作浮上臺面，攪局這一競爭格局相當穩定的市場。

　　鹿死誰手還未可知，但對整個DRAM 產業的影響顯而易見。國內基金資金充足、內需市場龐大、人才梯隊日益完善，資源裝備優良大舉進軍DRAM市場，攻城拔寨的速度將在未來幾年內改變整個存儲產業的格局。業內人士預計，從DRAM廠新建到試產需兩年以上的時間，估計中國將先切入技術較容易的 PC DRAM，至于近年成長快速的 移動DRAM 產能要追趕主流大廠，預估還要5~10年的時間。