GLOBALFOUNDRIES和ARM 定義移動技術平臺創新標準

在近日舉行的2010年世界移動通信大會上，GLOBALFOUNDRIES和ARM 公司共同發布了其尖端片上系統平臺技術的新的細節，該平臺技術專門針對下一代無線產品和應用。全新的芯片制造平臺預計能使計算性能提高40%，功耗降低30%，并將待機電池壽命提高100%。這一新的平臺包括兩種GLOBALFOUNDRIES的工藝：針對移動和消費應用的28nm超低功耗（SLP）工藝和針對要求最高性能的應用的28nm高性能（HP）工藝。

GLOBALFOUNDRIES首席運營官謝松輝表示：“下一代移動產品的成功將越來越取決于是否能夠提供PC級的性能、高度整合的、豐富的多媒體體驗和更長的電池壽命。這就要求一個強大的技術基礎，同時需要行業領袖密切合作，從而讓更多的設計公司有能力進行創新。我們與ARM密切合作，以我們在大量生產先進技術產品上公認的制造經驗，共同優化用于Cortex-A9處理器的物理IP和實現，為尖端的無線產品和應用提供一個完全集成的平臺?！?/P>

ARM和GLOBALFOUNDRIES的SoC平臺式基于ARM Cortex- A9處理器、優化的ARM物理IP和GLOBALFOUNDRIES的28nm 先加工柵極（Gate-First）High-KMetal Gate（HKMG）工藝。ARM和GLOBALFOUNDRIES將共同幫助智能手機、智能本、平板電腦等嵌入式設備制造商滿足日益增長的設計和制造復雜性，同時縮短成熟期的批量生產時間。GLOBALFOUNDRIES預計將在2010年下半年在德國德累斯頓Fab 1啟動使用這些下一代技術進行制造生產。

隨著“智能”移動產品市場不斷擴大，移動應用渴求更強大的性能以實現持續創新，這一需求日益凸顯。相較于以往的40/45nm技術，GLOBALFOUNDRIES的28nm工藝及其Gate-First HKMG技術能夠提供卓越的性能收益。根據目前的預計，28nm HKMG在相同的溫度范圍（thermal envelope）內提高約40%的計算性能，改善移動設備的應用性能，強化多任務處理能力。GLOBALFOUNDRIES有能力將這一技術迅速推向市場，而客戶在廣泛采用的Gate-First方法中的獲益，現在也能在 HKMG工藝中取得。Gate-First方法得到了許多全球最大的IDM和無晶圓設計公司的廣泛行業支持。

同時，每一代新技術都需要提高功耗效率，以提供更長通話/待機、多媒體播放以及互動游戲和圖像時間。與40/45nm工藝相比，ARM IP和GLOBALFOUNDRIES 28nm HKMG工藝的結合能夠提升30%的功耗效率，并將待機電池壽命延長了100%。

ARM總裁Tudor Brown表示：“過渡到28nm技術節點將會是無線技術的一個重要轉折點。我們和GLOBALFOUNDRIES的合作能夠幫助客戶以28nm HKMG技術將高性能、低功耗的基于ARM技術的設計迅速地推向市場，而這一28nm HKMG技術目前已經能夠滿足量產的需求。GLOBALFOUNDRIES的技術、領先的ARM物理IP解決方案和ARM處理器所具備的完整互聯網功能，這三者的結合形成了一個強大的處理技術、圖像以及功耗效率的集合體?！?/P>

GLOBALFOUNDRIES是全球領先的代工廠，擁有采用HKMG技術制造高性能集成處理器的豐富經驗。這些經驗將使得采用28納米工藝的客戶能夠享有行業領先的快速投入批量生產的能力。

除了與GLOBALFOUNDRIES的合作，ARM還與IBM聯合發展聯盟（IBM Joint Development Alliance）中的其他成員建立了戰略合作關系，以推動根據HKMG工藝對處理器和物理IP進行優化的進程。在剛剛結束的世界移動通信大會上，ARM展出了第一個使用HKMG技術的28nm晶圓，展示了與代工廠合作伙伴在加速下一代片上系統轉向更先進的節點方面所取得的優勢和成就。