對(duì)緊湊而強(qiáng)大的電動(dòng)機(jī)的需求給設(shè)計(jì)工程師帶來了新的挑戰(zhàn)。為了最大限度地提高小型電機(jī)的功率輸出，工程師們正在轉(zhuǎn)向高壓和高頻操作。硅 (Si) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 和集成柵
2022-02-08 10:24:23
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基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 器件具有出色的電氣特性，是高壓和高開關(guān)頻率電機(jī)控制應(yīng)用中 MOSFET 和 IGBT 的有效替代品。我們?cè)谶@里的討論集中在 GaN HEMT 晶體管在高功率密度電動(dòng)機(jī)應(yīng)用的功率和逆變器階段提供的優(yōu)勢(shì)。
2022-07-27 14:03:562999 
)晶體管已成為能夠取代硅基MOSFET的高性能開關(guān)，從而可提高能源轉(zhuǎn)換效率和密度。為了發(fā)揮GaN晶體管的優(yōu)勢(shì)，需要一種具有新規(guī)格要求的新隔離方案。 GaN晶體管的開關(guān)速度比硅MOSFET要快得多，并可降低開關(guān)損耗，原因在于： 柵極電容和輸出電容更低。
2023-06-12 10:53:2810231 
國(guó)外廠商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實(shí)，除了國(guó)外的GaN控制芯片，國(guó)內(nèi)的GaN控制芯片這幾年發(fā)展得也不錯(cuò)，特別是今年突如其來的芯片缺貨問題，更是加快了國(guó)產(chǎn)GaN控制芯片發(fā)展的步伐，不少之前使用國(guó)外控制芯片方案商和終端廠商開始切換到國(guó)內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品。
2021-09-03 08:03:007911 電機(jī)的替代已經(jīng)是大勢(shì)所趨。 ? 在高效率、高扭矩、低噪音、長(zhǎng)壽命、響應(yīng)快速等優(yōu)勢(shì)的加持下，越來越多電動(dòng)設(shè)備開始向BLDC轉(zhuǎn)變。雖然BLDC有著這么多優(yōu)勢(shì)，但實(shí)現(xiàn)BLDC的控制是相對(duì)較難的。 ? BLDC 控制的實(shí)現(xiàn) ? 從工作原理上來看，BLDC作
2023-09-21 01:19:003352 
新封裝提供了更高的功率輸出、便于光學(xué)檢查、節(jié)省了系統(tǒng)成本，并提高了可靠性 ? 英國(guó)劍橋 - 無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效
2024-06-04 10:12:041259 
了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出采用新穎的芯片和封裝設(shè)計(jì)的、超低導(dǎo)通電阻(RDS(on)) ICeGaN? GaN 功率 IC ，將 GaN 的優(yōu)勢(shì)
2024-06-11 14:54:183932 評(píng)估套件具有 Qorvo 的高性能無刷直流 / 永磁同步電機(jī)控制器 / 驅(qū)動(dòng)器和 CGD 易于使用的 ICeGaN GaN 功率 IC 的性能 ? 2024 年 11 月 12 日 英國(guó)劍橋 - 無
2024-11-12 09:16:54855 
網(wǎng)策劃了《2025年半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)展望》專題，收到數(shù)十位國(guó)內(nèi)外半導(dǎo)體創(chuàng)新領(lǐng)袖企業(yè)高管的前瞻觀點(diǎn)。其中，電子發(fā)燒友特別采訪了CGD（Cambridge GaN Devices）首席營(yíng)銷官Andrea Bricconi，以下是他對(duì)2025年半導(dǎo)體市場(chǎng)的分析與展望。 ? CGD首席營(yíng)銷官Andrea Bricconi
2024-12-25 14:41:50988 
最大限度的提高GaN HEMT器件帶來的好處直到最近MOSFET和IGBT器件相比GaN HEMT的一個(gè)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)是它們廣泛的商業(yè)可用性，但是現(xiàn)在工程師們已經(jīng)能夠很容易的使用GaN HEMT技術(shù)了，更好
2019-07-16 00:27:49
的地方。作為一種寬帶隙晶體管技術(shù)，GaN正在創(chuàng)造一個(gè)令人興奮的機(jī)會(huì)，以實(shí)現(xiàn)電力電子系統(tǒng)達(dá)到新的性能和效率。GaN的固有優(yōu)勢(shì)為工程師開啟了重新考慮功率密度的方法，這些方法在以前并不可能實(shí)現(xiàn)，如今能滿足世界
2022-11-14 07:01:09
GaN功率半導(dǎo)體(氮化鎵)的系統(tǒng)集成優(yōu)勢(shì)
2023-06-19 09:28:46
GaN功率半導(dǎo)體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
GaN功率半導(dǎo)體器件集成提供應(yīng)用性能
2023-06-21 13:20:16
柵極電荷，它可以使用高開關(guān)頻率，從而允許使用較小的電感器和電容器。 相較于SiC的發(fā)展，GaN功率元件是個(gè)后進(jìn)者，它是一種擁有類似于SiC性能優(yōu)勢(shì)的寬能隙材料，但擁有更大的成本控制潛力，尤其是高功率的硅
2022-08-12 09:42:07
測(cè)試平臺(tái)實(shí)物圖
基于GaN器件的半橋電路測(cè)試平臺(tái)，我們對(duì)三安集成的200V 20mΩ GaN EHEMT進(jìn)行了相關(guān)測(cè)試。Class D功率電路的核心為逆變電路，而逆變拓?fù)鋵?shí)則為各種頻率的脈沖調(diào)制波控制下
2023-06-25 15:59:21
我想大多數(shù)聽眾都已經(jīng)了解了GaN在開關(guān)速度方面的優(yōu)勢(shì)，及能從這些設(shè)備中獲得的利益。縮小功率級(jí)極具吸引力，而更高的帶寬則更是錦上添花。電力工程師已考慮在正在開發(fā)的解決方案中使用GaN這一材料。既然如此
2022-11-16 08:05:34
材料。與目前絕大多數(shù)的半導(dǎo)體材料相比，GaN 具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)：禁帶更寬、飽和漂移速度更大、臨界擊穿電場(chǎng)和熱導(dǎo)率更高，使其成為最令人矚目的新型半導(dǎo)體材料之一。目前，GaN 基發(fā)光器件的研究已取得了很大
2019-06-25 07:41:00
處于這一范圍。幸運(yùn)的是，多年來，我們生產(chǎn)的數(shù)字電源控制器一直具備這一能力。并非所有數(shù)字電源控制器都能滿足這些需求，但是至少電源設(shè)計(jì)人員有選擇權(quán)。因此，GaN為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備了嗎？我們得到的答案
2018-08-30 15:05:41
技術(shù)了。這也意味著GaN已經(jīng)是一項(xiàng)成熟的、不應(yīng)再受到質(zhì)疑的技術(shù)。對(duì)此，我不想妄加評(píng)論，由你自己去辨別事情的真?zhèn)巍Ｄ敲矗姨岬降摹?b class="flag-6" style="color: red">GaN已經(jīng)為數(shù)字電源控制做好準(zhǔn)備”到底是什么意思呢？驗(yàn)證這一點(diǎn)的方法就是
2018-09-06 15:31:50
Actel FPGA為汽車市場(chǎng)帶來的優(yōu)勢(shì)有哪些？
2021-05-19 06:36:33
GaN為5G sub-6GHz大規(guī)模MIMO基站應(yīng)用提供的優(yōu)勢(shì)LDMOS的優(yōu)勢(shì)是什么如何選擇正確的晶體管技術(shù)
2021-03-09 07:52:21
MM32SPIN2x電機(jī)驅(qū)動(dòng)及控制專用MCU有哪些優(yōu)勢(shì)？PWM控制可以實(shí)現(xiàn)哪些功能？PWM控制模塊是由哪些部分組成的？
2021-09-07 07:06:57
控制應(yīng)用場(chǎng)景：為步進(jìn)電機(jī)、伺服電機(jī)等提供穩(wěn)定電源，支持高精度運(yùn)動(dòng)控制。優(yōu)勢(shì)體現(xiàn)：高穩(wěn)定性：Neway電源模塊實(shí)測(cè)MTBF（平均無故障時(shí)間）超過100萬小時(shí)，故障率低于0.2‰，確保長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定運(yùn)行，減少因
2026-01-04 10:10:11
NoC在高端FPGA的應(yīng)用是什么？NoC給Speedster 7t FPGA帶來的優(yōu)勢(shì)有哪些？
2021-06-17 11:12:26
據(jù)了解，目前大多數(shù)工業(yè)電機(jī)控制采用的是基于MCU或DSP平臺(tái)的PWM算法，而這一類方案都會(huì)帶來不可避免的EMI問題，此外還經(jīng)常會(huì)有能效不高和時(shí)延較長(zhǎng)等問題的出現(xiàn)。PFM在理論上是一種比PWM更好的電機(jī)控制算法，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)更高的能效和更低的EMI。
2019-10-11 07:28:16
STDRIVEG600驅(qū)動(dòng)GAN逆變器時(shí)候，在某一拍出現(xiàn)控制信號(hào)丟失，導(dǎo)致電機(jī)電流出現(xiàn)跌落情況
上圖紫色的是電機(jī)電流，青色的是上管的PWM給定信號(hào)，黃色的是經(jīng)過了GAN開關(guān)管驅(qū)動(dòng)
2024-03-13 06:14:24
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢(shì)
2021-03-10 08:26:03
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關(guān)將會(huì)給方方面面帶來巨大進(jìn)步，從新一代再生電力的大幅增加到電動(dòng)汽車市場(chǎng)的迅速增長(zhǎng)。其巨大的優(yōu)勢(shì)——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率，將有助于實(shí)現(xiàn)更緊
2018-10-30 11:48:08
的較低電容可通過最大限度地減小寄生振鈴并優(yōu)化轉(zhuǎn)換次數(shù)來將失真降到最低，從而有助于盡可能地較少噪聲。在數(shù)據(jù)中心和服務(wù)器中，GaN減少了為云端供電的電源損耗。此外，GaN在縮小電源解決方案尺寸方面所具有的功能
2018-09-10 15:02:53
單相電機(jī)和三相電機(jī)，實(shí)質(zhì)上區(qū)別，或者說為什么三相電機(jī)比單相電機(jī)更具優(yōu)勢(shì)
不要百度，復(fù)制的。要能看懂的，通俗些。
就是說三相電機(jī)的優(yōu)勢(shì)在哪里。我覺著，三相電機(jī)，比單相貴，一定有他的優(yōu)勢(shì)。
2023-11-09 07:50:01
伺服電機(jī)和變頻電機(jī)是兩種常見的電機(jī)類型，兩者雖然在應(yīng)用和工作原理上存在差異，但它們也有一些相同的特點(diǎn)和優(yōu)勢(shì)。 首先，兩種電機(jī)都能實(shí)現(xiàn)高效和穩(wěn)定的轉(zhuǎn)速調(diào)節(jié)。伺服電機(jī)通過電阻方式來降低電壓，以實(shí)現(xiàn)
2023-03-07 15:24:57
內(nèi)轉(zhuǎn)子電機(jī)對(duì)比外轉(zhuǎn)子電機(jī)有什么優(yōu)勢(shì)
2023-10-09 07:53:20
GaN驅(qū)動(dòng)器的設(shè)置非常簡(jiǎn)單，幾乎不需要外部組件。請(qǐng)參見下圖。TI聲稱該GaN驅(qū)動(dòng)器具有300 V / ns的業(yè)界最高壓擺率。該IC的最高工作溫度為150oC，并采用低電感3×4mm QFN封裝
2019-11-11 15:48:09
的功率放大器功能。GaN 工藝能為5G 移動(dòng)電話帶來哪些優(yōu)勢(shì)呢？正如我們所見，隨著頻率標(biāo)準(zhǔn)越來越高（Ka 頻段或mmW），低壓GaN 工藝需要進(jìn)一步發(fā)展。圖2: Qorvo's GaN
2017-07-28 19:38:38
在我的認(rèn)識(shí)中28069與28335在硬件上的主要差別在于28069比28335多了vcu和cla兩個(gè)模塊，請(qǐng)問：1.在電機(jī)控制上28069比28335有何優(yōu)勢(shì)？2.在controlSUITE/development_kits/HVMotorCtrl+PfcKits中沒有28069的demo，哪里能找到？
2014-11-29 20:25:41
和電機(jī)控制中。他們的接受度和可信度正在逐漸提高。（請(qǐng)注意，基于GaN的射頻功放或功放也取得了很大的成功，但與GaN器件具有不同的應(yīng)用場(chǎng)合，超出了本文的范圍。）本文探討了GaN器件的潛力，GaN和MOSFET器件的不同，GaN驅(qū)動(dòng)器件成功的關(guān)鍵并介紹了減小柵極驅(qū)動(dòng)環(huán)耦合噪聲技術(shù)。
2019-06-21 08:27:30
基于電機(jī)控制系統(tǒng)模型的設(shè)計(jì)價(jià)值旨在幫助簡(jiǎn)化使用傳統(tǒng)非自動(dòng)化方法進(jìn)行控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)時(shí)所遭遇的固有困難與復(fù)雜性。 為設(shè)計(jì)人員提供可視化設(shè)計(jì)環(huán)境，讓開發(fā)人員為整個(gè)系統(tǒng)使用單一模型，實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)分析、模型可視化
2018-10-31 10:25:02
的頻率交換意味著GaN可以一次轉(zhuǎn)換更大范圍的功率，減少?gòu)?fù)雜裝置中的功率變換。由于每次功率變換都會(huì)產(chǎn)生新的能耗，這對(duì)于很多高壓應(yīng)用都是一項(xiàng)顯著的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代
2019-03-01 09:52:45
本文具體闡述了ACMC，并說明基于電流模式控制的設(shè)計(jì)為信息娛樂應(yīng)用帶來的優(yōu)勢(shì)。我們以MAX5060/MAX5061為例說明ACMC的工作原理，并對(duì)數(shù)據(jù)資料所提供的內(nèi)容進(jìn)行了補(bǔ)充。
2021-05-18 07:01:36
在工業(yè)電機(jī)控制使用隔離會(huì)是最好的辦法嗎？他能對(duì)電機(jī)控制應(yīng)用在系統(tǒng)層面帶來什么好處？
2021-03-05 07:11:09
和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對(duì)5G的Sub－6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GaN技術(shù)的運(yùn)用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢(shì)。對(duì)于此觀點(diǎn)，紫光展銳高級(jí)市場(chǎng)經(jīng)理賈智博認(rèn)為：“GaN
2019-12-20 16:51:12
分流解決方案的更高成本和更低帶寬可能不利于 GaN 逆變器在電機(jī)驅(qū)動(dòng)中的采用。圖 6. 同相和支路電流檢測(cè)比較 - 注意：圖片中的噪聲是由非最佳測(cè)量設(shè)置拾取的。真實(shí)信號(hào)更清晰，因?yàn)樗梢酝ㄟ^控制器電流重建來顯示
2022-03-25 11:02:29
最近一些新人在討論中問到最多的一個(gè)問題是:無刷電機(jī)的優(yōu)勢(shì)與不足在哪里;應(yīng)用領(lǐng)域在哪里?能帶來什么效果與回報(bào)等入門問題;下面特花一點(diǎn)時(shí)間整理資料發(fā)布分享更多人看看.1.無刷直流電機(jī)的特點(diǎn):1)電機(jī)損耗
2018-11-01 10:59:11
和功率密度，這超出了硅MOSFET技術(shù)的能力。開發(fā)工程師需要能夠滿足這些要求的新型開關(guān)設(shè)備。因此，開始了氮化鎵晶體管（GaN）的概念。 HD-GIT的概述和優(yōu)勢(shì) 松下混合漏極柵極注入晶體管（HD-GIT
2023-02-27 15:53:50
串聯(lián)放置。圖1所示為實(shí)現(xiàn)此目的的兩種不同配置：共源共柵驅(qū)動(dòng)和直接驅(qū)動(dòng)。現(xiàn)在，我們將對(duì)比功耗，并描述與每種方法相關(guān)的警告所涉及的問題。在共源共柵配置中，GaN柵極接地，MOSFET柵極被驅(qū)動(dòng)，以控制
2023-02-14 15:06:51
，這對(duì)于很多高壓應(yīng)用都是一項(xiàng)顯著的優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，一項(xiàng)已經(jīng)持續(xù)發(fā)展60年的技術(shù)不會(huì)一夜之間被取代，但經(jīng)過多年的研究、實(shí)際驗(yàn)證和 可靠性測(cè)試，GaN定會(huì)成為解決功率密度問題的最佳技術(shù)。德州儀器已經(jīng)在高于硅材料
2020-10-27 10:11:29
[size=0.19]維安WAYON從原理到實(shí)例：GaN為何值得期待？（WAYON維安一級(jí)代理分銷KOYUELEC光與電子提供原廠技術(shù)支持）功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要指能夠
2021-12-01 13:33:21
在我的認(rèn)識(shí)中28069與28335在硬件上的主要差別在于28069比28335多了vcu和cla兩個(gè)模塊，請(qǐng)問：1.在電機(jī)控制上28069比28335有何優(yōu)勢(shì)？2.在controlSUITE/development_kits/HVMotorCtrl+PfcKits中沒有28069的demo，哪里能找到？
2018-08-22 08:32:26
請(qǐng)問一下SiC和GaN具有的優(yōu)勢(shì)主要有哪些？
2021-08-03 07:34:15
據(jù)了解，目前大多數(shù)工業(yè)電機(jī)控制采用的是基于MCU或DSP平臺(tái)的PWM算法，而這一類方案都會(huì)帶來不可避免的EMI問題，此外還經(jīng)常會(huì)有能效不高和時(shí)延較長(zhǎng)等問題的出現(xiàn)。PFM在理論上是一種比PWM更好的電機(jī)控制算法，因?yàn)樗梢詫?shí)現(xiàn)更高的能效和更低的EMI。
2019-09-17 06:03:38
針尖對(duì)麥芒，閉環(huán)步進(jìn)電機(jī)對(duì)于伺服電機(jī)的優(yōu)勢(shì)？伺服電機(jī)可使控制速度，位置精度非常準(zhǔn)確，可以將電壓信號(hào)轉(zhuǎn)化為轉(zhuǎn)矩和轉(zhuǎn)速以驅(qū)動(dòng)控制對(duì)象。伺服電機(jī)轉(zhuǎn)子轉(zhuǎn)速受輸入信號(hào)控制，并能快速反應(yīng)，在自動(dòng)控制系統(tǒng)中，用作
2015-12-29 15:21:11
未轉(zhuǎn)換為射頻輸出功率的直流加載電源將作為熱量耗散（除非晶體管的效率為100%）。· 因此，GaN 晶體管變得非常熱，熱管理成為重要的設(shè)計(jì)考慮因素。幸運(yùn)的是，碳化硅基氮化鎵(GaN on SiC) 能夠
2018-08-04 14:55:07
CGD914/CGD914MI datasheet,pdf(860 MHz, 20 dB gain power doubler amplifier)
Hybrid amplifier module
2010-03-24 16:15:06
12 性能、效率、易用性以及成本方面的綜合優(yōu)勢(shì)。隨著全球市場(chǎng)對(duì)節(jié)能和產(chǎn)品性能需求的提高，以及價(jià)格的持續(xù)走低，DSP的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)使其在電機(jī)控制市場(chǎng)獲得越來越廣泛的認(rèn)可，由高端工業(yè)電機(jī)控制領(lǐng)域向更廣泛的電機(jī)控制市場(chǎng)擴(kuò)張。
2018-10-08 15:53:0013508 
本文強(qiáng)調(diào)數(shù)字PFC控制器在整體系統(tǒng)監(jiān)控、保護(hù)和時(shí)序方面為工程師帶來的系統(tǒng)級(jí)優(yōu)勢(shì)。該控制器在真實(shí)電機(jī)控制系統(tǒng)平臺(tái)上的部署以圖例和/或圖形表示，并顯示硬件以及軟件框架，同時(shí)輔以實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證。
2019-08-05 08:09:002297 
和GaN材料，從目前的材料工藝角度來看，主要針對(duì)5G的Sub－6GHz范圍。以PA為例，許多業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為，GaN技術(shù)的運(yùn)用將能為PA帶來高效低功耗的優(yōu)勢(shì)。
2019-02-14 10:49:382043 低功耗 ADC 為產(chǎn)品帶來充競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)
2021-03-18 22:47:302 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙材料，在高功率射頻 (RF) 應(yīng)用中具有顯著優(yōu)勢(shì)。
2021-07-05 14:46:504234 
) 和氮化鎵 (GaN)。在這些潛在材料中，GaN 或氮化鎵正變得被廣泛認(rèn)可和首選。這是因?yàn)?GaN 晶體管與材料對(duì)應(yīng)物相比具有多個(gè)優(yōu)勢(shì)。
2022-07-29 15:00:302352 氮化鎵 (GaN) 是一種寬帶隙半導(dǎo)體，在電源應(yīng)用中提供比硅更好的性能，正在取代傳統(tǒng)的基于硅的 MOSFET，用于電路中的高效率和在更高溫度和頻率下運(yùn)行的能力是強(qiáng)制性要求。相關(guān)應(yīng)用包括所有不同類型的電動(dòng)汽車 (EV)，它們需要極其高效和可靠的電機(jī)控制解決方案，以盡可能地?cái)U(kuò)展車輛的自主性。
2022-08-03 09:49:071501 GaN 功率器件的卓越電氣特性正在逐步淘汰復(fù)雜工業(yè)電機(jī)控制應(yīng)用中的傳統(tǒng) MOSFET 和 IGBT。
2022-08-12 15:31:232706 
數(shù)字 GaN 是使用 GaN IC 實(shí)現(xiàn)卓越性能的一個(gè)很有前途的選擇。這是一種顛覆性的數(shù)字控制方法。模擬信號(hào)塊不再“轉(zhuǎn)換”為數(shù)字信號(hào)塊。
2023-02-19 10:31:57947 、光伏發(fā)電、光伏逆變器等領(lǐng)域。 GaN功率器件有哪些優(yōu)勢(shì)？功率密度高，開關(guān)速度快，損耗低，功耗小；高頻高速，可以有效降低系統(tǒng)成本；可在更高頻率下工作；更高的散熱能力和可靠性。 GaN的優(yōu)勢(shì) GaN功率器件是在傳統(tǒng)的硅基功率器件上疊加了
2023-04-21 14:05:421816 由于 GaN 具有更小的晶體管、更短的電流路徑、超低的電阻和電容等優(yōu)勢(shì)，GaN 充電器的運(yùn)行速度，比傳統(tǒng)硅器件要快 100 倍。GaN 在電力電子領(lǐng)域主要優(yōu)勢(shì)在于高效率、低損耗與高頻率，GaN 材料的這一特性令其在充電器行業(yè)大放異彩。
2023-04-25 15:08:216118 
FOC（Field-Oriented Control），即磁場(chǎng)定向控制，也稱矢量變頻，是以數(shù)學(xué)、物理理論為基礎(chǔ)，對(duì)電機(jī)磁場(chǎng)矢量進(jìn)行精確控制
的電機(jī)高級(jí)控制算法。FOC電機(jī)控制中涉及數(shù)學(xué)、物理
2023-05-05 11:14:0616 為建立 GaN 生態(tài)系統(tǒng)造福全球工程師邁出重要一步 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件
2023-06-30 17:22:171048 誠(chéng)邀您于 8 月 29 至 31 日蒞臨上海新國(guó)際博覽中心參觀 2G18 展位 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā) 并大批量
2023-08-09 16:03:25694 ICeGaN? GaN HEMT 片上系統(tǒng) (SoC) 在臺(tái)積電 2023 年歐洲技術(shù)研討會(huì)創(chuàng)新區(qū)榮獲“最佳演示”獎(jiǎng)。 ? ? CGD 的 ICeGaN 已使用臺(tái)積電的 GaN 工藝技術(shù)為全球客戶進(jìn)行大批量
2023-10-10 17:12:15964 
擁有系統(tǒng)和應(yīng)用、研究和設(shè)備方面的專業(yè)知識(shí)，可生產(chǎn)創(chuàng)新、高性能的基于 GaN 的筆記本電腦和數(shù)據(jù)中心電源產(chǎn)品 ? 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無晶圓廠
2023-11-06 17:32:311338 
利用封裝、IC和GaN技術(shù)提升電機(jī)驅(qū)動(dòng)性能
2023-11-23 16:21:171395 
的分析與展望。 ? Cambridge GaN Devices（CGD）?是一家無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司，開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。 ? CGD由劍橋大學(xué)
2023-12-26 14:15:2139995 
GaN FETs以其體積小、切換速度快、效率高及成本低等優(yōu)勢(shì)，為電力電子產(chǎn)業(yè)帶來了革命性的變化。然而，GaN技術(shù)的快速發(fā)展有時(shí)超出了專門為GaN設(shè)計(jì)的柵極驅(qū)動(dòng)器和控制器的發(fā)展。因此，電路設(shè)計(jì)師經(jīng)常轉(zhuǎn)向為硅MOSFETs設(shè)計(jì)的通用柵極驅(qū)動(dòng)器，這就需要仔細(xì)考慮多個(gè)因素以實(shí)現(xiàn)最佳性能。
2024-02-29 17:54:081905 
為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過 30 W/in3 的 140-240 W USB-PD 適配器 英國(guó)劍橋 - Cambridge GaN Devices (CGD
2024-05-30 09:12:01901 為電動(dòng)汽車、電動(dòng)工具、筆記本電腦和手機(jī)應(yīng)用開發(fā)功率密度超過30 W/ in3? 的140-240 W USB-PD適配器 （2024年5月30日，英國(guó)劍橋訊）Cambridge GaN
2024-05-30 13:43:21651 
GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件，致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝，它們具有低熱阻并便于
2024-06-04 15:30:381341 在追求環(huán)保與高效能的科技浪潮中，無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）成功研發(fā)了一系列高性能的GaN功率器件。這些器件不僅能效高，還致力于推動(dòng)電子器件的環(huán)保發(fā)展。
2024-06-05 11:25:341442 ，構(gòu)建出更高功率、高效、緊湊且穩(wěn)定的系統(tǒng)。值得一提的是，Qorvo在其PAC5556A高性能 BLDC/PMSM 電機(jī)控制器和驅(qū)動(dòng)器的 EVK 設(shè)計(jì)中，采用了 CGD的ICeGaN?（IC 增強(qiáng)型 GaN）技術(shù)。
2024-06-07 14:40:041222 近日，無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices（CGD）發(fā)布了一系列革命性的高能效氮化鎵（GaN）功率器件，旨在推動(dòng)電子器件向更環(huán)保的方向發(fā)展。
2024-06-12 10:24:241287 氮化鎵(GaN)在電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用中的優(yōu)勢(shì)為電源轉(zhuǎn)換器帶來了系統(tǒng)級(jí)的好處。智能功率模塊(IPM)通常用于提供緊湊、高效且安全的電機(jī)控制驅(qū)動(dòng)。在本文中，我們將重點(diǎn)介紹基于GaN的IPM，目標(biāo)應(yīng)用包括
2024-06-17 11:32:132358 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在微型逆變器上使用TI GaN的優(yōu)勢(shì).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-09-04 09:37:490 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案提供商Qorvo (納斯達(dá)克股票代碼: QRVO)最近攜手無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)，合作推出了結(jié)合雙方先進(jìn)技術(shù)的PAC5556A+ICeGaN評(píng)估套件（EVK），將行業(yè)領(lǐng)先的電機(jī)控制和能效技術(shù)整合在一起。
2024-12-26 10:51:301002 ? ? ? 絕對(duì)式編碼器在伺服電機(jī)控制中的應(yīng)用廣泛且重要，其優(yōu)勢(shì)顯著，以下是對(duì)其應(yīng)用與優(yōu)勢(shì)的詳細(xì)分析： ? ? ??一、絕對(duì)式編碼器在伺服電機(jī)控制中的應(yīng)用 ? ? ? 絕對(duì)式編碼器是一種常用的位置
2025-02-06 09:46:151722 
：探討在人形機(jī)器人中的應(yīng)用優(yōu)勢(shì).pdf 人形機(jī)器人系統(tǒng)挑戰(zhàn) ：人形機(jī)器人集成多個(gè)子系統(tǒng)，其中伺服控制系統(tǒng)空間受限。為實(shí)現(xiàn)類似人類的運(yùn)動(dòng)范圍，需部署約 40 部伺服電機(jī)（PMSM） ，不同部位電機(jī)功率需求差異大，且其伺服系統(tǒng)對(duì)控制精度、尺寸和散熱要求高于傳統(tǒng)系統(tǒng)。 GaN FET 在人
2025-02-14 14:33:331512 
? ????? CGD 的技術(shù)幫助電動(dòng)汽車和數(shù)據(jù)中心提高能效，為全球功率半導(dǎo)體行業(yè)帶來重大機(jī)遇 ? 2025 年 2 月 18 日 英國(guó)劍橋 - 氮化鎵（GaN）功率器件的領(lǐng)先創(chuàng)新者 Cambridge GaN
2025-02-20 11:37:47375 步進(jìn)電機(jī)依靠控制電脈沖信號(hào)的頻率和數(shù)量來調(diào)控轉(zhuǎn)動(dòng)的步數(shù)與速度，具備分步控制的特性。為了讓步進(jìn)電機(jī)的控制更加順滑，微步控制技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生。以下是微步控制的優(yōu)勢(shì)與挑戰(zhàn)的詳細(xì)揭秘： 一、微步控制的優(yōu)勢(shì) 1.
2025-02-25 07:33:571103 
（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN
2025-03-11 09:47:45733 
介紹了氮化鎵（GaN）功率IC在電機(jī)逆變器中的應(yīng)用，對(duì)比傳統(tǒng)硅基解決方案，闡述了其優(yōu)勢(shì)、實(shí)際應(yīng)用案例、設(shè)計(jì)考量及結(jié)論。 *附件
2025-03-12 18:47:172084 
近日，英飛凌發(fā)布了《2025年 GaN 功率半導(dǎo)體預(yù)測(cè)報(bào)告》，詳細(xì)分析了 GaN(氮化鎵)技術(shù)在未來幾年內(nèi)對(duì)多個(gè)行業(yè)的深遠(yuǎn)影響。 其中，電機(jī)行業(yè)在能源效率和智能化技術(shù)的雙重推動(dòng)下正迎來一場(chǎng)變革。該報(bào)
2025-08-14 15:38:19925 合作將支持快速增長(zhǎng)的應(yīng)用市場(chǎng)，共同推廣 CGD 的可持續(xù)節(jié)能型 ICeGaN 技術(shù) 英國(guó)劍橋，2025 年 10 月 13 日 —— 無晶圓廠半導(dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices
2025-10-15 09:39:57861 自從氮化鎵（GaN）器件問世以來，憑借其相較于傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體的多項(xiàng)關(guān)鍵優(yōu)勢(shì)，GaN 被廣泛認(rèn)為是快速充電與工業(yè)電源應(yīng)用領(lǐng)域中的變革性技術(shù)。
2025-10-21 14:56:442575 
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