MEMS封裝技術主要源于IC封裝技術。IC封裝技術的發展歷程和水平代表了整個封裝技術（包括MEMS封裝和光電子器件封裝）的發展歷程及水平。MEMS中的許多封裝形式源于IC封裝。目前在MEMS封裝中比較常用的封裝形式有無引線陶瓷芯片載體封裝（LCCC-Leadless Ceramic Chip Carrier）、金屬封裝、金屬陶瓷封裝等，在IC封裝中倍受青睞的球柵陣列封裝（BGA-Ball Grid Array）、倒裝芯片技術（FCT-Flip Chip Technology）、芯片尺寸封裝（CSP-Chip Size Package）和多芯片模塊封裝（MCM-Multi-Chip Module）已經逐漸成為MEMS封裝中的主流。BGA封裝的主要優點是它采用了面陣列端子封裝、使它與QFP（四邊扁平封裝）相比，在相同端子情況下，增加了端子間距（1.00mm，1.27mm，1.50mm），大大改善了組裝性能，才使它得以發展和推廣應用。21世紀BGA將成為電路組件的主流基礎結構。

　　從某種意義上講，FCT是一種芯片級互連技術（其它互連技術還有引線鍵合、載帶自動鍵合），但是它由于具有高性能、高I/O數和低成本的特點，特別是其作為“裸芯片”的優勢，已經廣泛應用于各種MEMS封裝中。CSP的英文含義是封裝尺寸與裸芯片相同或封裝尺寸比裸芯片稍大。日本電子工業協會對CSP規定是芯片面積與封裝尺寸面積之比大于80%。CSP與BGA結構基本一樣，只是錫球直徑和球中心距縮小了、更薄了，這樣在相同封裝尺寸時可有更多的I/O數，使組裝密度進一步提高，可以說CSP是縮小了的BGA。

　　在MCM封裝中最常用的兩種方法是高密度互連（High Density Interconnect簡稱HDI）和微芯片模塊D型（Micro Chip Module D簡稱MCM-D）封裝技術。高密度互連（HDI）MEMS封裝的特點是把芯片埋進襯底的空腔內，在芯片上部做出薄膜互連結構。而微模塊系統MCM-D封裝是比較傳統的封裝形式，它的芯片位于襯底的頂部，芯片和襯底間的互連是通過引線鍵合實現。HDI工藝對MEMS封裝來說有很大的優越性。由于相對于引線鍵合來說使用了直接金屬化，芯片互連僅產生很低的寄生電容和電感，工作頻率可達1GHz以上。HDI還可以擴展到三維封裝，并且焊點可以分布在芯片表面任何位置以及MCM具有可修復的特性。
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