動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻(RDS(on))是電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)人員理解電荷俘獲效應(yīng)影響的重要參數(shù)。然而,關(guān)于其測(cè)量技術(shù)的知識(shí)體系仍相對(duì)較新。傳統(tǒng)的動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量技術(shù)依賴于二極管鉗位電路,使示波器能夠以足夠的分辨率測(cè)量漏源電壓,而不會(huì)使示波器輸入過(guò)載。泰克為4、5和6系列MSO示波器推出的寬禁帶雙脈沖測(cè)試(WBG-DPT)測(cè)量軟件引入了一種新的軟件鉗位方法,采用獨(dú)特的雙探頭技術(shù),無(wú)需使用鉗位電路。
測(cè)量動(dòng)態(tài)RDS(on)的挑戰(zhàn)
動(dòng)態(tài)RDS(on)是指FET在開(kāi)關(guān)過(guò)程中導(dǎo)通時(shí),漏極與源極端子之間的平均電阻。漏源電阻RDS(on)是所有FET的重要參數(shù),因?yàn)樗莻鲗?dǎo)損耗和效率的一個(gè)關(guān)鍵因素。RDS(on)通過(guò)漏源電壓(VDS)與漏極電流(ID)的比值計(jì)算,并可表示為時(shí)間的函數(shù):
RDS(on)可以表示為開(kāi)關(guān)周期導(dǎo)通部分該函數(shù)的平均值。動(dòng)態(tài)RDS(on)由復(fù)雜半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的電荷俘獲現(xiàn)象引起。研究GaN半導(dǎo)體的研究人員對(duì)動(dòng)態(tài)RDS(on)特別感興趣。GaN可能會(huì)出現(xiàn)電流崩塌現(xiàn)象,其中動(dòng)態(tài)RDS(on)會(huì)增加。當(dāng)器件在關(guān)斷狀態(tài)、漏源之間存在高電壓時(shí),電子被俘獲在器件結(jié)構(gòu)中,就可能發(fā)生這種情況。而對(duì)于SiC器件來(lái)說(shuō)這個(gè)問(wèn)題要小一些,但設(shè)計(jì)人員也可能對(duì)測(cè)量動(dòng)態(tài)RDS(on)感興趣。
要測(cè)量RDS(on),必須能夠準(zhǔn)確測(cè)量VDS(t)。測(cè)量RDS(on)的主要挑戰(zhàn)源于需要在高幅值開(kāi)關(guān)信號(hào)中測(cè)量小的導(dǎo)通電壓。開(kāi)關(guān)電壓VDS(t)的幅值根據(jù)應(yīng)用不同可達(dá)800V或更高。然而在導(dǎo)通狀態(tài)下,如圖2所示,VDS(t)會(huì)很低,約為10V或更小。此外,GaN和SiCFET可以以極高的轉(zhuǎn)換速率開(kāi)/關(guān)。這些因素帶來(lái)了重大測(cè)量挑戰(zhàn):
在完整范圍內(nèi)捕獲VDS信號(hào)會(huì)導(dǎo)致VDS(on)的數(shù)字分辨率差。ADC量化誤差占信號(hào)的很大比例,導(dǎo)致大量量化噪聲。
?簡(jiǎn)單地增加示波器的垂直靈敏度會(huì)導(dǎo)致測(cè)量系統(tǒng)輸入放大器過(guò)載,除非進(jìn)行校正,否則會(huì)在過(guò)載恢復(fù)期間產(chǎn)生測(cè)量誤差。
高擺率會(huì)因寄生電感和電容引入畸變,這些需要時(shí)間才能穩(wěn)定。
由于開(kāi)關(guān)電壓VDS可能很高且可能相對(duì)于地浮動(dòng),通常使用高壓差分探頭測(cè)量開(kāi)關(guān)電壓。差分探頭有助于避免接地問(wèn)題,從而提高RDS(on)測(cè)量的準(zhǔn)確性。功率電子實(shí)驗(yàn)室中通常都會(huì)備有THDP系列差分探頭。因此,THDP系列探頭已針對(duì)此方法進(jìn)行了測(cè)試并推薦使用。
如前所述,如果使用低靈敏度(高V/div)捕獲整個(gè)VDS范圍,關(guān)斷狀態(tài)下的電壓僅代表示波器模數(shù)轉(zhuǎn)換器(ADC)和探頭放大器量程的一小部分,因此采集分辨率低。一種可能的方法是使用高靈敏度(低V/div)采集低導(dǎo)通電壓,以充分利用差分探頭和示波器量程。然而,使用高靈敏度采集高幅值信號(hào)會(huì)使差分探頭中的放大器過(guò)載,導(dǎo)致在短暫的過(guò)載恢復(fù)期間產(chǎn)生不準(zhǔn)確數(shù)據(jù)。
圖1. RDS(on)波形表征FET導(dǎo)通狀態(tài)下,漏源電壓(VDS)與漏極電流(ID)的動(dòng)態(tài)比值關(guān)系。
圖2. 高幅值的VDS與微小的導(dǎo)通態(tài)電壓使得RDS(on)的測(cè)量極具挑戰(zhàn)性。這一新方法通過(guò)校正實(shí)現(xiàn)了高靈敏度測(cè)量。
WBT-DPT測(cè)量自動(dòng)化軟件中的新軟件鉗位技術(shù)使設(shè)計(jì)人員能夠使用手頭已有的設(shè)備快速測(cè)量動(dòng)態(tài)RDS(on)。
基于示波器的新鉗位方法
Tektronix的軟件鉗位方法消除了對(duì)專用鉗位電路的需求。它依靠帶有兩個(gè)高壓差分探頭的示波器連接到FET上測(cè)量漏源電壓(VDS)。如圖3所示,使用兩個(gè)差分探頭測(cè)量VDS電壓,每個(gè)探頭設(shè)置為不同的靈敏度。
?
圖3. 采用雙高壓差分探頭測(cè)量VDS信號(hào):一路探頭設(shè)置為高量程(如1500V)及高垂直刻度(如100V/格),另一路設(shè)置為低量程(如150V)及精細(xì)垂直刻度(如10V/格)。
??一個(gè)差分探頭捕獲FET關(guān)斷時(shí)VDS從高到低的完整轉(zhuǎn)換。
??另一個(gè)差分探頭僅以高靈敏度捕獲RDS(on)區(qū)域,在FET導(dǎo)通且VDS較小時(shí)提供高分辨率。這相當(dāng)于有意削剪VDS上的信號(hào)。注意這種方法類似于使用二極管鉗位電路削剪信號(hào),但需要應(yīng)用校正以獲得良好結(jié)果。
圖4. 采用THDP0200高壓差分探頭組對(duì)漏源電壓(VDS)進(jìn)行同步采集:其中一路探頭以標(biāo)準(zhǔn)垂直刻度獲取完整VDS波形數(shù)據(jù),另一路探頭通過(guò)更高靈敏度的垂直刻度設(shè)置獲取VDS細(xì)節(jié)數(shù)據(jù),該通道將觸發(fā)波形削波告警提示。
WBG-DPT軟件將全量程和高靈敏度(但過(guò)載)VDS波形組合,推導(dǎo)出導(dǎo)通狀態(tài)下漏源電壓的高分辨率復(fù)合波形。通常不建議過(guò)載差分探頭或示波器前端,因?yàn)樵诜糯笃鲝某銎湔R?guī)格的驅(qū)動(dòng)中恢復(fù)時(shí),測(cè)量質(zhì)量可能存疑。這被稱為"過(guò)載恢復(fù)時(shí)間",是放大器的常見(jiàn)規(guī)格。WBG-DPT應(yīng)用中的動(dòng)態(tài)RDS(on)算法應(yīng)用多種技術(shù)來(lái)減輕以下影響:
?低靈敏度(高V/div)下過(guò)度的ADC量化噪聲
隨機(jī)噪聲
?探頭穩(wěn)定時(shí)間、探頭誤差和畸變
?削波波形上的過(guò)載恢復(fù)
圖5. 通過(guò)信號(hào)處理算法融合削波參考波形(R4)與全量程波形(R1),生成經(jīng)校正的VDS(on)派生波形(M1)――該波形在保留削波波形高分辨率特性的同時(shí),利用全量程VDS數(shù)據(jù)完成幅值修正。
量化誤差、穩(wěn)定時(shí)間和過(guò)載恢復(fù)的影響如圖5所示,過(guò)載/削剪的R4顯示延長(zhǎng)的振鈴和達(dá)到實(shí)際電壓值的恢復(fù)時(shí)間。未削剪的R1捕獲了覆蓋總線電壓的完整VDS電壓信號(hào),但存在明顯的量化問(wèn)題。
使用信號(hào)調(diào)理推導(dǎo)低噪聲VDS(on)
在典型的雙脈沖測(cè)試(DPT)中,開(kāi)關(guān)器件在第一個(gè)脈沖期間初始導(dǎo)通,允許通過(guò)負(fù)載電感的電流線性增加,直到達(dá)到所需的測(cè)試水平。然后器件關(guān)斷,隨后用第二個(gè)脈沖重新激活,以評(píng)估其在指定測(cè)試電流下的開(kāi)關(guān)性能。RDS(on)在第二個(gè)脈沖期間測(cè)量。
VDS(on)的信號(hào)調(diào)理算法假設(shè)滿足以下條件:
??以突發(fā)方式執(zhí)行兩個(gè)導(dǎo)通周期,如雙脈沖測(cè)試。使用第一個(gè)脈沖的信息增強(qiáng)第二個(gè)脈沖。第一和第二脈沖之間需要50μs間隙,使任何穩(wěn)定誤差對(duì)兩個(gè)脈沖相同。探頭和示波器通常具有約10μs的時(shí)間常數(shù),因此50μs的穩(wěn)定時(shí)間通常足夠。
??第一和第二脈沖寬度應(yīng)至少為10μs,使算法可以忽略初始紋波,專注于實(shí)際的RDS(on)。
??突發(fā)之間有足夠的延遲,使DUT在多次雙脈沖測(cè)試之間保持穩(wěn)定。
??VDS削波波形的垂直刻度足夠靈敏以提供足夠分辨率,但也不至于過(guò)度靈敏導(dǎo)致信號(hào)代表性不足。
WBG-DPT應(yīng)用的PRESET功能根據(jù)指定的VDS開(kāi)關(guān)電壓自動(dòng)設(shè)置刻度。以下是動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量算法中的高級(jí)步驟。
1.?多組雙脈沖測(cè)試的波形平均處理
為降低隨機(jī)噪聲對(duì)測(cè)量的影響,可執(zhí)行多次雙脈沖測(cè)試并對(duì)結(jié)果波形進(jìn)行平均處理。WBG-DPT的RDS(on)測(cè)量功能支持此操作,默認(rèn)每組測(cè)量進(jìn)行8次波形平均。
2.?全量程與削波VDS(on)信號(hào)段的融合
圖6. 全量程波形(通道2)與削波波形(通道3)的融合處理
通過(guò)算法整合全量程VDS(on)段(高動(dòng)態(tài)范圍)與削波VDS(on)段(高分辨率),生成精確的導(dǎo)通電阻特性曲線。此校正通過(guò)使用未削剪的全量程信號(hào)生成低頻偏移校正,保持削波樣本中的高分辨率信息。結(jié)果是具有導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)增強(qiáng)垂直分辨率的復(fù)合VDS波形。導(dǎo)出的VDS表示導(dǎo)通區(qū)域,就好像時(shí)域波形是以較低垂直刻度采集的。
3.?從導(dǎo)通2中減去導(dǎo)通1以消除穩(wěn)定誤差
在復(fù)合VDS波形中,VDS(off)和VDS(on)之間兩個(gè)電壓階躍的任何穩(wěn)定誤差在兩個(gè)脈沖的第一和第二脈沖中應(yīng)幾乎相同,因?yàn)閮蓚€(gè)脈沖的階躍步進(jìn)大致相同。這假定兩次導(dǎo)通之間的時(shí)間足夠長(zhǎng)以使得測(cè)量系統(tǒng)在周期之間穩(wěn)定。
因此,為了從導(dǎo)出的VDS中消除一致的穩(wěn)定誤差,從第二VDS(on)段的樣本中減去第一VDS(on)段的樣本。這既消除了穩(wěn)定誤差,也消除了兩個(gè)脈沖共有的任何VDS(on)。第二脈沖中剩余的電壓將是由于第二脈沖中流經(jīng)RDS(on)的較高電流。從第二周期的Id中減去第一導(dǎo)通周期的Id,以得到流經(jīng)RDS(on)的增量電流。
一旦知道來(lái)自第二關(guān)斷周期的增量電壓和電流,就使用歐姆定律計(jì)算RDS(on)的樣本。這些樣本被顯示出來(lái),并可用于確定測(cè)量值,如周期內(nèi)的平均RDS(on)。注意由于上述信號(hào)處理,僅與第二關(guān)斷周期相關(guān)的RDS(on)才是有效的并顯示出來(lái)。
圖7. 配置WBG-DPT雙脈沖測(cè)試分析功能的5系列B MSO示波器正在進(jìn)行動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量
使用軟件鉗位技術(shù)執(zhí)行動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量
與任何動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量方法一樣,使用此新技術(shù)時(shí)必須謹(jǐn)慎操作。如上文所述,建議采用10μs的脈沖寬度和50μs的脈沖間隔。削波波形在垂直刻度上存在限制。該算法已通過(guò)泰克THDP系列高壓差分探頭的測(cè)試,但尚未使用其他探頭進(jìn)行驗(yàn)證。此方法不適用于測(cè)量低于10mΩ的動(dòng)態(tài)RDS(on)。
執(zhí)行動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量的測(cè)試設(shè)置如圖8和圖9所示。系統(tǒng)包括:
?4、5或6系列B?MSO示波器
?WBG-DPT雙脈沖測(cè)試軟件許可證
?THDP0100或THDP0200:各2個(gè)用于測(cè)量削波VDS和全量程VDS信號(hào)
?AFG31000系列函數(shù)發(fā)生器
?TRCP、TCP0030A或TCP0150或帶TICP電流探頭的CVR用于測(cè)量ID
?用于低側(cè)VGS的TPP1000
?電源供應(yīng)VDD
?作為DUT的SiC或GaN測(cè)試板
圖8. 低邊FET動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)量測(cè)試配置示意圖。需注意:兩個(gè)高壓差分探頭分別連接在FET的漏極和源極端子。
圖9. 實(shí)驗(yàn)室動(dòng)態(tài)RDS(on)測(cè)試配置實(shí)景圖
關(guān)于泰克科技
泰克公司總部位于美國(guó)俄勒岡州畢佛頓市,致力提供創(chuàng)新、精確、操作簡(jiǎn)便的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)解決方案,解決各種問(wèn)題,釋放洞察力,推動(dòng)創(chuàng)新能力。70多年來(lái),泰克一直走在數(shù)字時(shí)代前沿。
泰克科技無(wú)需鉗位電路實(shí)現(xiàn)動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻RDS(on)的測(cè)量技術(shù)
- 導(dǎo)通電阻(20447)
- 測(cè)量技術(shù)(25795)
- 鉗位電路(14127)
- 漏極電流(8229)
- 泰克科技(20360)
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2018-10-25 11:14:39
東芝小型低導(dǎo)通電阻MOSFET的優(yōu)點(diǎn) SSM3J332R P-ch -30V/-6A RDS(ON) 0.042R
1.低導(dǎo)通電阻 卓越的溝槽工藝與封裝技術(shù)相結(jié)合實(shí)現(xiàn)了低的導(dǎo)通電阻。這有助于提升您應(yīng)用中的產(chǎn)品性能。 2.小型封裝產(chǎn)品陣容3.封裝類型[tr=transparent]Toshiba Package
2018-05-15 22:37:38
為什么選擇二極管鉗位電路?二極管鉗位電路有哪些類型?
在屏幕上的位置移動(dòng)問(wèn)題。在電視系統(tǒng)中,采用鉗位電路將全電視信號(hào)的同步脈沖頂部保持在固定電壓,以克服直流分量損耗或干擾引起的電平波動(dòng),從而實(shí)現(xiàn)同步信號(hào)的分離。一個(gè)簡(jiǎn)單的鉗位電路由電容器、二極管、電阻器等組成
2023-02-07 16:02:32
二極管鉗位電路解析
簡(jiǎn)單型正鉗位電路 電路原理: 輸入Vin在負(fù)半周時(shí)(Vin上負(fù)下正),二極管導(dǎo)通,電流如紅色箭頭所示,電容充電至+V(左負(fù)右正),Vout=0V; 輸入Vin在正半周時(shí)(Vin上正下負(fù)
2020-11-30 15:58:54
二極管的鉗位作用
波形Vi,中間為鉗位電路,右邊為輸出波形Vo。其工作過(guò)程如下:當(dāng)輸入信號(hào)在正半周時(shí),二極管導(dǎo)通,電容很快被充電至和輸入電壓一致,電壓極性為左正右負(fù),因二極管鉗位,使輸出無(wú)電壓,這是理想狀態(tài)下,實(shí)際中
2019-11-26 09:06:41
什么是接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀?
來(lái)模擬一種故障條件。接地連接測(cè)試儀也采用歐姆定律的原理。它們測(cè)量保護(hù)接地線和金屬外殼上測(cè)試點(diǎn)之間的電壓降,利用已知的電壓降和施加的電流來(lái)計(jì)算最終的電阻測(cè)量值。 設(shè)計(jì)接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀校準(zhǔn)器的難點(diǎn)
2017-09-30 09:38:49
低導(dǎo)通電阻線路開(kāi)關(guān)電路XC8102相關(guān)資料下載
XC8102采用小型封裝USP-4 (1.2 x 1.6 x 0.6mm),XC8102 系列是內(nèi)置P 溝道MOS FET、帶保護(hù)電路的低導(dǎo)通電阻線路開(kāi)關(guān)用電路,輸入電壓范圍1.2V~6.0V,當(dāng)
2021-04-19 07:57:47
使用二極管實(shí)現(xiàn)限幅電路和鉗位電路方案
VOUT被鉗位,其值是0.7V+VBIAS,如下圖所示。偏壓限幅電路示意圖鉗位電路下面是二極管結(jié)合電容實(shí)現(xiàn)的鉗位電路。分析中不考慮二極管的導(dǎo)通壓降,相關(guān)推薦:二極管工作原理。假設(shè)RC時(shí)間常數(shù)足夠
2022-04-03 07:00:00
可生成5V/15A有源鉗位正向、1/8磚型參考設(shè)計(jì)
描述 此參考設(shè)計(jì)可從 36V 至 75V 電信輸入生成 5V/15A 輸出。UCC2897A 可控制有源鉗位正向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)。CSD17501Q5A 和 CSD18502Q5B 的低柵極和低導(dǎo)通電阻
2022-09-20 07:45:51
圖文解讀:模擬電路中的鉗位電路設(shè)計(jì)
器件是二極管和電容,下面我們具體分析實(shí)現(xiàn)各種鉗位的電路圖。同樣的,為方便分析,我們假設(shè)下面的二極管為理想二極管,即導(dǎo)通時(shí)理想二極管上的壓降為 0。以下分析的輸入電壓 vi 皆設(shè)為正弦電壓,表達(dá)式為:1.
2020-11-09 09:10:57
基于泰克MSO64的全新時(shí)頻域信號(hào)分析技術(shù)解析,看完你就懂了
基于泰克MSO64的全新時(shí)頻域信號(hào)分析技術(shù)解析,看完你就懂了
2021-06-17 08:04:35
基于ZTC電流值的導(dǎo)通電壓電路和方法
。本文研究了在零溫度系數(shù)(ZTC)電流值下監(jiān)測(cè)IGBT的解決方案。本文提出并測(cè)試了一種在線測(cè)量在ZTC電流值條件下的導(dǎo)通電壓的電路和方法,并給出了額定值為150A/1200V的IGBT功率模塊在流過(guò)正弦
2019-03-20 06:20:08
安規(guī)儀器檢測(cè)——TD1250 接地導(dǎo)通電阻測(cè)試儀檢定裝置
交流電阻模擬測(cè)量特性:●電阻模擬范圍:300.00 μΩ ~ 15.000 0Ω,全數(shù)字調(diào)節(jié),6位十進(jìn)制數(shù)顯示●備注:④ R0 為零位阻值一般技術(shù)規(guī)格●工作電源:AC ( 220 ± 22 ) V
2018-07-06 09:35:16
開(kāi)關(guān)的導(dǎo)通電阻對(duì)傳遞函數(shù)的影響
”這個(gè)參數(shù)的影響。下面以“升降壓轉(zhuǎn)換器的傳遞函數(shù)導(dǎo)出示例 其2”的ton≠ton’ 的升降壓轉(zhuǎn)換器為基礎(chǔ),按照同樣步驟來(lái)推導(dǎo)。右側(cè)電路圖在上次給出的升降壓轉(zhuǎn)換器簡(jiǎn)圖上標(biāo)出了作為開(kāi)關(guān)的MOSFET的導(dǎo)通電阻
2018-11-30 11:48:22
整流濾波電路和鉗位保護(hù)電路怎么設(shè)計(jì)
本文介紹輸入整流濾波器及鉗位保護(hù)電路的設(shè)計(jì),包括輸入整流橋的選擇、輸入濾波電容器的選擇、漏極鉗位保護(hù)電路的設(shè)計(jì)等內(nèi)容,講解圖文并茂且附實(shí)例計(jì)算。1 輸入整流橋的選擇1)整流橋的導(dǎo)通時(shí)間與選通特性
2011-11-11 10:17:19
有源鉗位吸收器電路及其數(shù)字實(shí)現(xiàn)方式有哪些難點(diǎn)?
隨著MOSFET擊穿電壓額定值的增大,導(dǎo)通電阻也會(huì)增大。在這樣場(chǎng)景中如何消除同步整流器上的電壓尖峰和振鈴,另外有源-鉗位方案優(yōu)勢(shì)有哪些?
2019-01-15 16:05:14
淺析降低高壓MOS管導(dǎo)通電阻的原理與方法
如何將阻斷高電壓的低摻雜、高電阻率區(qū)域和導(dǎo)電通道的高摻雜、低電阻率分開(kāi)解決。如除導(dǎo)通時(shí)低摻雜的高耐壓外延層對(duì)導(dǎo)通電阻只能起增大作用外并無(wú)其他用途。這樣,是否可以將導(dǎo)電通道以高摻雜較低電阻率實(shí)現(xiàn),而在MOS
2018-11-01 15:01:12
理解功率MOSFET的RDS(ON)負(fù)溫度系數(shù)特性
MOSFET的導(dǎo)通電阻以及測(cè)量的條件,如AON6590,VDS=40V,分別列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON),如下圖所示。測(cè)量的條件:ID = 20A。導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)用歸一化的圖表
2016-09-26 15:28:01
用LTC6090和其他元件構(gòu)成的電流鉗位電路,電流鉗位電路表現(xiàn)異常的原因?
下圖是用LTC6090和其他元件構(gòu)成的電流鉗位電路。
圖中,I+與S+這兩點(diǎn)之間接了一個(gè)采樣電阻,S+到地之間接了負(fù)載電阻。正常來(lái)說(shuō),當(dāng)電流鉗位時(shí),圖中U10的輸出是采樣電阻電壓的(1/6)。
在
2025-03-24 07:24:55
美國(guó)福祿克Fluke773 鉗型表
----------------------------------------------------------Fluke773 毫安級(jí)過(guò)程鉗型表Fluke773 毫安級(jí)過(guò)程鉗型表無(wú)需斷開(kāi)回路,即可測(cè)量毫安信號(hào),F(xiàn)luke773 是福祿克毫安鉗形表,它提供了突出的回路排障和過(guò)程校準(zhǔn)功能。正在耗費(fèi)寶貴的時(shí)間
2019-09-10 19:44:29
請(qǐng)問(wèn)MOS管是如何仿真在不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎?
請(qǐng)問(wèn)有人知道MOS管作為開(kāi)關(guān)如何仿真在開(kāi)啟與中斷狀態(tài)下,不同頻率點(diǎn)的導(dǎo)通電阻嗎?我想仿真上圖的SW在Vsw不同狀態(tài)下MOS管的導(dǎo)通電阻,用了下面的testbench 使用sp仿真,結(jié)果查看ZM的實(shí)部,但是出來(lái)的結(jié)果如下所示:結(jié)果都很小并且打開(kāi)和關(guān)斷阻抗大小是相反的,請(qǐng)問(wèn)有人知道這個(gè)是出了什么問(wèn)題嗎
2021-06-25 07:59:24
這種高密度工藝特別適合于 最小化導(dǎo)通電阻
`AP15N10 N溝道100V(D-S)MOSFET一般說(shuō)明AP15N10是N通道邏輯增強(qiáng)型電源場(chǎng)效應(yīng)晶體管是使用高單元密度的DMOS來(lái)生產(chǎn)的溝槽技術(shù)。這種高密度工藝特別適合于最小化導(dǎo)通電阻。這些
2021-07-08 09:35:56
降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法
MOSFET漏源極之間有寄生二極管,漏源極間加反向電壓時(shí)器件導(dǎo)通。電力 MOSFET的通態(tài)電阻具有正溫度系數(shù),對(duì)器件并聯(lián)時(shí)的均流有利。 2、動(dòng)態(tài)特性;其測(cè)試電路和開(kāi)關(guān)過(guò)程波形如圖3所示。 開(kāi)通
2023-02-27 11:52:38
飛銳泰克有什么優(yōu)勢(shì)
是不賣芯片的,而飛銳泰克的做法則是為客戶提供開(kāi)發(fā)工具、技術(shù)支持、技術(shù)服務(wù),通過(guò)芯片貿(mào)易來(lái)實(shí)現(xiàn)銷售額的增長(zhǎng)。馮先生表示,大家都知道飛思卡爾的MCU具有很好的性能,但瓶頸太高,尤其在小客戶方面做的不是很好
2019-06-27 08:24:59
高達(dá)33GHz帶寬的泰克實(shí)時(shí)示波器
20Gb/s數(shù)據(jù)率的串行數(shù)據(jù)測(cè)量等研發(fā)項(xiàng)目需要高帶寬、高精度和低噪聲的示波器,而這類最前沿的研發(fā)項(xiàng)目在中國(guó)也已切切實(shí)實(shí)在開(kāi)展了,甚至在某些領(lǐng)域代表了全球最先進(jìn)的水平。”泰克資深應(yīng)用工程師田錚表示,“泰克
2019-06-03 06:06:32
有源鉗位轉(zhuǎn)換技術(shù)
有源鉗位轉(zhuǎn)換技術(shù)
鉗位技術(shù)的分類:
有源鉗位(Active CLAMP)技術(shù):有源鉗位技術(shù)要比無(wú)源技術(shù)好,所以本章只介紹有源鉗位技術(shù)
2009-01-12 09:40:02
3172
3172
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常,許多資料和教材都認(rèn)為,MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù),因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí),具有
2009-11-10 10:53:13
5032
5032
TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)
TI發(fā)布具備更低導(dǎo)通電阻的集成負(fù)載開(kāi)關(guān)
日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款全面集成型負(fù)載開(kāi)關(guān),其在 3.6 V 電壓下所提供的 5.7 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)通電阻 (RON) 比同類競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品低
2009-12-21 08:45:27
598
598導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
導(dǎo)通電阻,導(dǎo)通電阻的結(jié)構(gòu)和作用是什么?
傳統(tǒng)模擬開(kāi)關(guān)的結(jié)構(gòu)如圖1所示,它由N溝道MOSFET與P溝道MOSFET并聯(lián)構(gòu)成,可使正負(fù)信號(hào)傳輸,如果將不同VI
2010-03-23 09:27:47
5657
5657泰克和Optametra共同挑戰(zhàn)解決100G光測(cè)量
泰克和Optametra共同挑戰(zhàn)解決100G光測(cè)量
泰克公司日前宣布,泰克DPO72004B示波器精確的快速采集系統(tǒng)與Optametra公司的OM4105和OM4106相干光波信號(hào)分析儀相
2010-03-30 09:56:03
993
993飛兆半導(dǎo)體推出低導(dǎo)通電阻MOSFET
飛兆半導(dǎo)體推出了導(dǎo)通電阻RDS(ON)小于1mΩ的30V MOSFET,這款全新飛兆半導(dǎo)體器件FDMS7650是最大RDS(ON)值為0.99mΩ (VGS = 10 V, ID = 36A)的N溝道器件,它是業(yè)界采用5×6mm POWER56封裝且RDS(ON)
2010-12-29 09:09:39
1823
1823泰克2012秋季創(chuàng)新論壇:創(chuàng)新引領(lǐng)未來(lái)測(cè)試測(cè)量技術(shù)
電子發(fā)燒友網(wǎng)訊:2012年11月1日,全球領(lǐng)先的測(cè)試、測(cè)量及監(jiān)測(cè)儀器提供商——泰克公司日前宣布其最大的年度巡展“泰克2012秋季創(chuàng)新論壇”在深圳馬哥波羅好日子酒店成功舉辦。泰克本
2012-11-02 00:22:20
1955
1955泰克公司榮獲《國(guó)外電子測(cè)量技術(shù)》技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)
全球領(lǐng)先的測(cè)試、測(cè)量和監(jiān)測(cè)儀器提供商---泰克公司日前宣布,泰克AWG70000系列任意波形發(fā)生器榮獲“2013年電子測(cè)量儀器產(chǎn)品用戶應(yīng)用情況調(diào)查暨年度特殊貢獻(xiàn)產(chǎn)品評(píng)選”的信號(hào)源類“技術(shù)創(chuàng)新獎(jiǎng)”。
2014-01-06 18:49:52
1210
1210鉗位電路中的負(fù)鉗位器與正鉗位器詳解
(1)功能:將輸入訊號(hào)的位準(zhǔn)予以上移或下移,并不改變輸入訊號(hào)的波形。(2)基本元件:二極管D、電容器C及電阻器R(直流電池VR)。(3)類別:負(fù)鉗位器與正鉗位器。
2017-11-29 15:37:51
13004
13004
最簡(jiǎn)單鉗位電路分析(多款二極管正鉗位器電路與二極管負(fù)鉗位器電路對(duì)比)
一個(gè)由二極管,電阻,電容組成的電路,能使輸入波形發(fā)生某個(gè)值的偏移,但其形狀不發(fā)生變化,就是鉗位電路,比如該典型鉗位電路參數(shù):輸入信號(hào)5V ,1KHZ的方波。 電容1uf,二極管D1(導(dǎo)通電壓0.7V),電阻 R1 200K歐姆。
2018-01-18 15:15:52
11988
11988
惠斯通電橋測(cè)量中值電阻標(biāo)準(zhǔn)報(bào)告
本文詳細(xì)介紹了惠斯通電橋測(cè)量中值電阻標(biāo)準(zhǔn)的原理與詳細(xì)步驟。惠斯通電橋是一種可以精確測(cè)量電阻的儀器。通用的惠斯通電橋電阻R1,R2,R3,R4叫做電橋的四個(gè)臂,G為檢流計(jì),用以檢查它所在的支路有無(wú)電流。
2018-04-04 17:27:00
63662
63662
雙鉗多功能接地電阻測(cè)試儀的特點(diǎn)
雙鉗多功能接地電阻測(cè)試儀的功能外,還具備了無(wú)輔助地極測(cè)量的獨(dú)特功能,改變了測(cè)試接地電阻傳統(tǒng)的測(cè)量原理和手段:采用雙鉗口非接觸測(cè)量技術(shù)無(wú)需打輔助地極,也無(wú)需將接地體與負(fù)載隔離,實(shí)現(xiàn)了在線測(cè)量。在單點(diǎn)接地系統(tǒng)、干擾性強(qiáng)等條件下,可以采用打輔助地極的測(cè)量方式進(jìn)行測(cè)量。
2020-04-07 17:12:02
1098
1098鉗形接地電阻測(cè)試儀與數(shù)字接地電阻測(cè)試儀的區(qū)別
、DL/T845.2-2004、DL/T887-2004。 ETCR2000鉗形接地電阻測(cè)試儀及鉗形接地電阻儀是傳統(tǒng)接地電阻測(cè)量技術(shù)的重大
2021-03-05 16:00:23
2520
2520LTC4234LTC4365演示電路-大電流、低導(dǎo)通電阻、12V熱插拔,保證SOA
LTC4234LTC4365演示電路-大電流、低導(dǎo)通電阻、12V熱插拔,保證SOA
2021-06-03 13:15:14
9
9鉗形接地電阻測(cè)試儀是什么,有哪些優(yōu)勢(shì)
鉗形接地電阻測(cè)試儀是在多點(diǎn)接地情況下對(duì)接地電阻測(cè)量,根據(jù)歐姆定律原理,并聯(lián)的接地點(diǎn)越多,實(shí)際測(cè)量接地電阻值越小,它是采用感應(yīng)法測(cè)量,無(wú)需輔助再接輔助電極,那么是不是鉗形接地電阻儀比其它接地電阻測(cè)試儀要好,下面就具體講一講它們的區(qū)別和鉗形接地電阻測(cè)試儀的優(yōu)勢(shì)。
2021-10-14 12:57:04
6320
6320導(dǎo)通電阻值多少為標(biāo)準(zhǔn)
導(dǎo)通電阻是二極管的重要參數(shù),它是指二極管導(dǎo)通后兩段電壓與導(dǎo)通電流之比。生活中常用的測(cè)量導(dǎo)通電阻的方法有測(cè)量接地網(wǎng)接地阻抗法、萬(wàn)用表測(cè)量法、接地?fù)u表測(cè)量法以及專用儀器測(cè)量法。
2022-01-29 15:49:00
28391
28391降低高壓MOSFET導(dǎo)通電阻的原理與方法
在功率半導(dǎo)體器件中,MOSFET以高速、低開(kāi)關(guān)損耗、低驅(qū)動(dòng)損耗在各種功率變換,特別是高頻功率變換中起著重要作用。在低壓領(lǐng)域,MOSFET沒(méi)有競(jìng) 爭(zhēng)對(duì)手,但隨著MOS的耐壓提高,導(dǎo)通電阻隨之以
2022-03-17 09:35:33
3597
3597二極管鉗位電路解析
今天我們將了解鉗位電路,它用于鉗位輸出信號(hào)的直流電平而不會(huì)使波形失真,即它們是電平移位器電路。它可以使用電容器、二極管和電阻器來(lái)設(shè)計(jì)。限幅器和鉗位器之間的區(qū)別在于限幅器電路改變波形的形狀,而鉗位器只是操縱輸出信號(hào)的直流電平。
2022-07-08 17:18:50
13528
13528
泰克TCP0150電流鉗的特點(diǎn)及其應(yīng)用
的25 A 和150 A測(cè)量量程控制。這些探頭還提供了低電流測(cè)量能力和可達(dá)每格5 mA 的電流精度,這對(duì)實(shí)現(xiàn)高電平和低電平測(cè)量信號(hào)的廣泛動(dòng)態(tài)電流范圍很重要。TCP0150電流探頭可匹配泰克DPO4000
2023-02-15 14:04:43
1808
1808
ROHM開(kāi)發(fā)具有業(yè)界超低導(dǎo)通電阻的Nch MOSFET
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能,還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝,實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻(Ron)*2,相比以往產(chǎn)品,導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06
806
806
泰克探頭如何測(cè)量電流與電壓?
泰克探頭是一種常用的測(cè)試工具,主要用于測(cè)量電流和電壓。它的操作方法簡(jiǎn)單易懂,可以幫助用戶快速準(zhǔn)確地測(cè)量電器設(shè)備中的電流和電壓,為維護(hù)和保養(yǎng)設(shè)備提供便利。下面詳細(xì)介紹一下泰克探頭的使用方法。
2023-05-23 11:00:19
2092
2092泰克示波器怎么樣?
專業(yè)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)測(cè)試和測(cè)量設(shè)備的公司,其中示波器是其主打產(chǎn)品之一。泰克示波器被廣泛應(yīng)用于電子、通信、汽車、航空航天等行業(yè),在市場(chǎng)上享有良好的聲譽(yù)和口碑。那么,泰克示波器到底怎么樣呢?我們來(lái)分析一下它的特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。
2023-06-13 17:29:28
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泰克示波器電流鉗怎樣測(cè)電流
在電子領(lǐng)域中,測(cè)量電流是非常常見(jiàn)且重要的任務(wù)。而泰克示波器電流鉗作為一種先進(jìn)的電子測(cè)試設(shè)備,被廣泛應(yīng)用于電路分析、故障排查以及電流測(cè)量等領(lǐng)域。在本文中,我們將詳細(xì)介紹泰克示波器電流鉗的工作原理
2023-07-31 11:41:48
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2595反激有源鉗位原理分析
反激有源鉗位電路是一種在電力電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用的電路結(jié)構(gòu),主要用于實(shí)現(xiàn)電壓的轉(zhuǎn)換與控制。該電路通過(guò)反激效應(yīng)和有源鉗位技術(shù),實(shí)現(xiàn)對(duì)輸入電壓的調(diào)整和輸出電壓的穩(wěn)定。本文將詳細(xì)分析反激有源鉗位的原理、工作
2023-12-13 10:49:25
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5391鉗流表怎么測(cè)量電流 使用鉗流表測(cè)量電流的步驟
鉗流表怎么測(cè)量電流 使用鉗流表測(cè)量電流的步驟? 鉗流表是一種測(cè)量電流的儀器,也被稱為電流鉗表或電流鉗夾表。它是一種無(wú)需斷開(kāi)電路即可直接測(cè)量電流的儀器,非常方便和安全。使用鉗流表測(cè)量電流的步驟如下
2024-01-03 15:02:58
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4615泰克示波器探頭校準(zhǔn)的重要性及步驟詳解
泰克示波器探頭校準(zhǔn)的重要性及步驟詳解 泰克示波器探頭是電子測(cè)量中常用的測(cè)試工具,用于從電路中獲取信號(hào)并顯示在示波器屏幕上。為確保測(cè)量結(jié)果的準(zhǔn)確性和可靠性,進(jìn)行泰克示波器探頭校準(zhǔn)是非常重要的。本文將
2024-01-08 13:50:08
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2059泰克示波器校準(zhǔn)方法
示波器是電子工程中不可或缺的儀器,用于測(cè)量和顯示電信號(hào)的波形。泰克示波器是一種常見(jiàn)的示波器品牌,確保其準(zhǔn)確性和可靠性至關(guān)重要。泰克示波器校準(zhǔn)是指對(duì)示波器進(jìn)行定期調(diào)整和驗(yàn)證,以確保其測(cè)量結(jié)果的精準(zhǔn)性
2024-01-08 17:46:54
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泰克示波器差分探頭噪聲測(cè)量方法
的問(wèn)題。本文將介紹如何測(cè)量泰克示波器差分探頭的噪聲。 差分探頭噪聲的來(lái)源 差分探頭的噪聲主要來(lái)自以下幾個(gè)方面: 1. 電阻噪聲: 探頭內(nèi)部的電阻會(huì)引入熱噪聲。這種噪聲是由電阻中電子的熱運(yùn)動(dòng)引起的,通常以溫度為單位的等效
2024-01-09 17:45:33
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在二極管電路中被鉗位是什么意思 什么時(shí)候會(huì)出現(xiàn)被鉗位
超過(guò)或低于閾值的電壓截?cái)啵沟?b class="flag-6" style="color: red">電路的輸出呈現(xiàn)出被削波或被限幅的現(xiàn)象。 被鉗位通常會(huì)在以下情況下出現(xiàn): 1. 正向鉗位: 當(dāng)輸入信號(hào)的電壓超過(guò)二極管正向?qū)?b class="flag-6" style="color: red">通電壓時(shí),二極管將開(kāi)始導(dǎo)通,而導(dǎo)通后的二極管會(huì)產(chǎn)生一個(gè)恒定的垂直閾
2024-02-06 13:52:14
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5039泰克示波器如何實(shí)時(shí)顯示波形?
泰克示波器是一種常見(jiàn)的電子測(cè)量儀器,廣泛應(yīng)用于電子工程、通信工程、醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。它的主要功能是實(shí)時(shí)顯示電信號(hào)的波形,從而幫助工程師和技術(shù)人員分析和調(diào)試電路。 泰克示波器的實(shí)時(shí)顯示功能是通過(guò)一系列
2024-04-28 10:21:51
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1283泰克示波器怎么樣?
一、泰克示波器品牌介紹 泰克(Tektronix)是全球領(lǐng)先的測(cè)量儀器制造商之一,成立于1946年,總部位于美國(guó)俄勒岡州。作為電子測(cè)量領(lǐng)域的先驅(qū),泰克一直致力于開(kāi)發(fā)創(chuàng)新性的測(cè)量解決方案,為電子工程師
2024-04-28 11:27:12
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如何使用泰克示波器測(cè)量波長(zhǎng)?
泰克示波器是一種非常常用的儀器,用于測(cè)量和分析各種類型的電信號(hào)。測(cè)量波長(zhǎng)是泰克示波器的一項(xiàng)重要功能,能夠幫助我們了解信號(hào)的周期性和頻率特性。本文將詳細(xì)介紹如何使用泰克示波器測(cè)量波長(zhǎng),并提供一些
2024-05-07 15:06:00
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泰克示波器如何測(cè)量時(shí)延?
,也可以用于測(cè)量信號(hào)在電路中傳播的時(shí)間。 泰克示波器可以通過(guò)多種方法測(cè)量時(shí)延,下面將介紹其中常用的兩種方法。 基于觸發(fā)的時(shí)延測(cè)量: 泰克示波器通常具有一個(gè)觸發(fā)功能,該功能可以使示波器僅顯示特定事件的波形。觸發(fā)功能可以是基于電壓的、基于邊沿
2024-05-07 15:06:52
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泰克MDO32示波器浮地測(cè)量
在電子測(cè)量領(lǐng)域,泰克MDO32示波器以其卓越的性能和精準(zhǔn)的測(cè)量能力備受矚目。其中,浮地測(cè)量功能更是為工程師們提供了一種強(qiáng)大的工具,幫助他們深入了解電子信號(hào)的特性。 一、什么是浮地測(cè)量? 浮地測(cè)量
2024-08-26 16:51:04
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泰克信號(hào)發(fā)生器在檢定水壓伺服閥的動(dòng)態(tài)性能應(yīng)用
水壓伺服閥作為現(xiàn)代液壓系統(tǒng)中不可或缺的控制元件,其動(dòng)態(tài)性能對(duì)系統(tǒng)穩(wěn)定性、響應(yīng)速度和控制精度至關(guān)重要。為了準(zhǔn)確評(píng)估水壓伺服閥的動(dòng)態(tài)性能,需要借助專業(yè)的測(cè)試設(shè)備進(jìn)行測(cè)試。泰克信號(hào)發(fā)生器憑借其強(qiáng)大的波形
2024-08-30 15:37:54
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泰克信號(hào)發(fā)生器測(cè)量信號(hào)幅度
信號(hào)幅度是描述電信號(hào)強(qiáng)弱的重要參數(shù)。在通信、音頻、視頻等領(lǐng)域,準(zhǔn)確控制和測(cè)量信號(hào)幅度對(duì)于保證系統(tǒng)的性能和質(zhì)量至關(guān)重要。無(wú)論是設(shè)計(jì)電路、調(diào)試設(shè)備還是進(jìn)行故障排查,都需要對(duì)信號(hào)幅度進(jìn)行精確測(cè)量。 二、泰克信號(hào)發(fā)
2024-09-18 15:56:22
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DL-T845.6-2022電阻測(cè)量裝置通用技術(shù)條件第6部分:接地引下線導(dǎo)通電阻測(cè)試儀
DL-T845.6-2022電阻測(cè)量裝置通用技術(shù)條件第6部分-接地引下線導(dǎo)通電阻測(cè)試儀musen
2024-10-21 11:35:35
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14惠斯通電橋的電阻測(cè)量方法
惠斯通電橋是一種能準(zhǔn)確方便地測(cè)量直流電阻的儀器,其電阻測(cè)量方法主要基于電橋平衡的原理。以下是惠斯通電橋測(cè)量電阻的詳細(xì)步驟: 一、準(zhǔn)備階段 選擇合適的儀器 :確保自組電橋電路板、檢流計(jì)、電阻箱(如
2025-02-13 15:11:19
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2555泰克MSO64實(shí)現(xiàn)微伏級(jí)紋波測(cè)量與諧波精確定位的方法探究
。本文將詳細(xì)介紹如何使用泰克MSO64實(shí)現(xiàn)這些高級(jí)測(cè)量任務(wù)。 ? 一、微伏級(jí)紋波測(cè)量的實(shí)現(xiàn) 1. 選擇合適的探頭和附件 在進(jìn)行微伏級(jí)紋波測(cè)量時(shí),選擇合適的探頭和附件至關(guān)重要。泰克推薦使用低噪聲、高帶寬的差分探頭或無(wú)源探頭,以減少測(cè)量
2025-07-01 17:59:56
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無(wú)需鉗位電路,精準(zhǔn)測(cè)量GaN動(dòng)態(tài)導(dǎo)通電阻Rds(on)
(on)),一直是設(shè)計(jì)人員面臨的挑戰(zhàn)。動(dòng)態(tài)RDS(on)揭示了電荷俘獲效應(yīng)的影響,直接影響器件的傳導(dǎo)損耗和效率。傳統(tǒng)測(cè)量方法依賴硬件鉗位電路,不僅引入誤差源,也增加了測(cè)試復(fù)雜度
2025-09-12 17:14:58
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泰克示波器如何精準(zhǔn)測(cè)量半導(dǎo)體SiC的動(dòng)態(tài)特性
隨著第三代半導(dǎo)體材料SiC在新能源汽車、5G通信和工業(yè)控制等領(lǐng)域的廣泛應(yīng)用,其動(dòng)態(tài)特性的精準(zhǔn)測(cè)量成為保障系統(tǒng)可靠性的關(guān)鍵。泰克示波器憑借高帶寬、高速采樣率和專業(yè)的分析功能,為SiC器件的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試
2025-10-17 11:42:14
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