前文已經(jīng)表明寄生電感可能對總體損耗平衡有益。但是雜散電感還可能導(dǎo)致振蕩，比如由電流突變引起的振蕩，這可能導(dǎo)致由于EMI或過壓限制而引起的器件使用受限。迄今為止所介紹的所有測量都是在對損耗至關(guān)重要的Tvj=150℃結(jié)溫條件下進(jìn)行的。電流突變在低溫條件下更加關(guān)鍵，因為器件的載流子注入隨著溫度的降低而減少，并大幅降低用于平滑拖尾電流的電荷。因此，圖6在25℃和600V直流母線電壓的條件下，對三款芯片在額定電流下的IGBT關(guān)斷情況進(jìn)行了比較。直流母線電感被作為一個參數(shù)使用。

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　　圖6：開關(guān)曲線作為三款I(lǐng)GBT雜散電感LSd的函數(shù)：T4(左)、E4(中)、P4(右);上圖為柵極電壓;下圖為電流和電壓曲線。

　　在給定的例子中，當(dāng)雜散電感約為55nH時，T4會變硬，振蕩開始發(fā)生。在相同條件下，直到直流母線電感達(dá)到約80nH，E4還依然保持了軟度。對于針對大功率而優(yōu)化的P4芯片而言，它在觀察到的電感范圍內(nèi)(20nH…100nH)都保持軟度。這種觀察結(jié)果并不出人意外，因為該IGBT是被設(shè)計用于高達(dá)3600A額定電流的大功率模塊。

　　盡管IGBT的電流突變趨勢通常在低溫和大電流下最為明顯，但續(xù)流二極管軟度通常在低溫和小電流下最為關(guān)鍵。這取決于幾個因素：因為二極管是一個載流子生命周期優(yōu)化器件，等離子體密度在小電流下最低，因此拖尾電荷隨著電流水平的降低而減弱。此外，迫使二極管換向的開關(guān)IGBT通常在低電流水平下開關(guān)速度更快。最后，二極管過壓與開關(guān)電流沒有關(guān)系，而是由二極管的反向恢復(fù)電流峰值的負(fù)斜率導(dǎo)致的，該斜率在小電流和低溫下同樣最陡。

　　由于快速開關(guān)瞬變(du/dt和反向恢復(fù)di/dt)的影響，直流母線振蕩可以很容易地在低電流水平下觸發(fā)，甚至是在沒有二極管電流突變的情況下。圖7介紹了續(xù)流二極管在不同雜散電感條件下的反向恢復(fù)特性。

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　　圖7：二極管在室溫和1/10In條件下的恢復(fù)性能(針對不同LS的曲線)。

　　此時，低雜散電感可產(chǎn)品較高的諧振頻率，并且有助于抑制這種振蕩。當(dāng)然，如果大雜散電感使得二極管真的出現(xiàn)電流突變，情況會更糟。出于EMI的考慮，這將限制較高雜散電感的使用。

　　本文小結(jié)

　　當(dāng)工作在相同條件下，IGBT針對提高軟度需求的設(shè)計優(yōu)化將會付出開關(guān)損耗提高的代價。

　　除開關(guān)損耗外，開通和關(guān)斷速度、電流突變和振蕩(EMI)的發(fā)生也越來越受到重視。寄生雜散電感對直流母線諧振頻率和二極管電流突變起到了重要作用。至少從EMI角度考慮，二極管電流突變將會對通過增加雜散電感或提高IGBT開通速度來降低開通損耗有所限制。

　　因此，未來有望推出IGBT的不同型號優(yōu)化產(chǎn)品。另一方面，考慮到直流母線電感是逆變器設(shè)計中的一個自由參數(shù)，這將有助于進(jìn)一步優(yōu)化損耗。