。達(dá)林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級(jí)、功率調(diào)節(jié)器、電機(jī)控制器和顯示驅(qū)動(dòng)器。 達(dá)林頓晶體管也被稱為達(dá)林頓對(duì)，由貝爾實(shí)驗(yàn)室的西德尼達(dá)林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
雙極晶體管，具有三個(gè)引腳，集電極、基極和發(fā)射極。晶體管的增益在 110 到 800 之間，這是決定該晶體管放大率的值。集電極的最大電流為 100mA，因此消耗超過該電流的負(fù)載不能連接到該晶體管。偏置
2022-08-30 07:23:58
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實(shí)際上是兩個(gè)背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結(jié)點(diǎn)如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間的N型半導(dǎo)體組成的雙極結(jié)型晶體管
2023-02-03 09:45:56
請(qǐng)教：?jiǎn)谓Y(jié)晶體管在什么位置，有人說是UJT，但好象用不了呀？
2013-09-26 16:55:49
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請(qǐng)問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
NPN型雙極性晶體管可以視為共用陽極的兩個(gè)二極管接合在一起。在雙極性晶體管的正常工作狀態(tài)下，基極-發(fā)射極結(jié)（稱這個(gè)PN結(jié)為“發(fā)射結(jié)”）處于正向偏置狀態(tài)，而基極-集電極（稱這個(gè)PN結(jié)為“集電結(jié)”）則處于反向偏置狀態(tài)。
2019-09-26 09:00:23
電流，進(jìn)而改變流過給定晶體管的集電極電流。 如果我們達(dá)到集電極電流的最大流量，則晶體管已飽和。將晶體管導(dǎo)通所需的輸入電壓和電流量由基極電阻決定 圖5. 數(shù)字邏輯晶體管開關(guān) 在R上方的電路
2023-02-20 16:35:09
內(nèi)建電場(chǎng)來控制晶體管對(duì)電壓的選擇性通斷，如圖：
該晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成，第一個(gè)晶體管PN結(jié)在外加電場(chǎng)下正向偏置，減小了內(nèi)建電場(chǎng)，當(dāng)通入的電壓小于該晶體管PN結(jié)外加電場(chǎng)時(shí)，就會(huì)有電流通過該P(yáng)N結(jié)
2025-09-15 15:31:09
內(nèi)建電場(chǎng)來控制
晶體管對(duì)電壓的選擇性通斷，如圖：
該
晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成，第一個(gè)
晶體管PN結(jié)在外加電場(chǎng)下正向
偏置，減小了內(nèi)建電場(chǎng)，當(dāng)通入的電壓小于該
晶體管PN結(jié)外加電場(chǎng)時(shí)，就會(huì)有電流通過該P(yáng)N結(jié)，因?yàn)?/div>
2025-04-15 10:24:55
先生，我使用了兩個(gè)ATF54143晶體管（偏置Vds = 3V，Ids = 60mA）和連接的電容分流反饋，電容器連接在一個(gè)晶體管的源極和另一個(gè)晶體管的漏極之間。我試圖給兩個(gè)晶體管提供偏置，實(shí)現(xiàn)了一
2019-01-14 13:17:10
IGBT是由哪些部分組成的？絕緣柵雙極型晶體管IGBT有哪些特點(diǎn)？如何去使用絕緣柵雙極型晶體管IGBT呢？
2021-11-02 06:01:06
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
，如左圖所示。“ DC偏置電平”的功能是通過將其集電極電流（I C）設(shè)置為恒定的穩(wěn)態(tài)值來正確設(shè)置晶體管的Q點(diǎn)，而無需將任何外部輸入信號(hào)施加到晶體管的基極。該穩(wěn)態(tài)或DC工作點(diǎn)由電路DC電源電壓（Vcc
2020-11-12 09:18:21
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們?cè)谛吞?hào)上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計(jì)》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）。現(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計(jì)中最常用的型號(hào)是哪些？
2017-10-11 23:53:40
先生，我已將一個(gè)晶體管連接到另一個(gè)晶體管。如何實(shí)現(xiàn)兩個(gè)晶體管Vds = 3V和Ids = 60mA的偏置。我使用了兩個(gè)ATF54143晶體管，并在一個(gè)晶體管X2（如圖所示）Vds = 3v（電壓差為
2018-12-27 16:09:48
bandgap中晶體管的熱噪聲比較大，通過什么手段能解決？
2021-06-24 07:29:25
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點(diǎn)A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯(cuò)誤觀點(diǎn)1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達(dá)到1.8V時(shí)，數(shù)字晶體管啟動(dòng)。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
電容在波形上升、下降時(shí)基極電流變大，加速開關(guān)過程。在實(shí)際當(dāng)中晶體管由截止?fàn)顟B(tài)到導(dǎo)通狀態(tài)的時(shí)間也縮短了，仿真的結(jié)果稍有偏差。在實(shí)際應(yīng)用中，加速電容的值要通過觀察開關(guān)波形來決定。加速電容是一種與減小R1值
2023-02-09 15:48:33
標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)物。4. 按形狀分類根據(jù)功率及安裝形態(tài)，決定了晶體管的外形大小和形狀。大體分為引腳型和表面安裝型。
2019-05-05 01:31:57
個(gè)寄生的晶體管，當(dāng)IC大到一定程度，寄生晶體管導(dǎo)通，柵極失去控制作用。此時(shí)，漏電流增大，造成功耗急劇增加，器件損壞。安全工作區(qū)隨著開關(guān)速度增加將減小。 （6）柵極偏置電壓與電阻
2009-05-12 20:44:23
請(qǐng)問能幫忙分析這個(gè)電路晶體管如何be如何負(fù)偏置嗎？貌似VCC會(huì)對(duì)Vin造成直流干擾吧？在Vin和Lb間要加一個(gè)隔直電容吧？
2019-04-15 06:36:28
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2018-12-12 09:07:55
這個(gè)達(dá)林頓晶體管廠家是哪家
2022-05-30 16:36:56
時(shí)，RC阻尼電路能夠一直晶體管集電極和發(fā)射極間出現(xiàn)的浪涌電壓。 3、充放電型RCD阻尼電路 圖三 圖三適用于帶有較窄反向偏置安全工作區(qū)的器件浪涌電壓一致。當(dāng)晶體管關(guān)斷時(shí)，電容C通過二極管被充電
2020-11-26 17:26:39
可折疊的防水晶體管是由哪些部分組成的？什么是生物傳感器（biosensor）？生物傳感器具有哪些功能？防水晶體管在生物傳感器中的應(yīng)用是什么？
2021-06-17 07:44:18
第3章著重介紹晶體管為基礎(chǔ)的電路。詳細(xì)并有注釋的例子包括各種PNP和NPN偏置的晶體管。
Chapter 3 of the NI Multisim Fundamental Circuits
2010-03-29 09:16:12
47 晶體管恒流偏置電路
通常，當(dāng)RL»R時(shí)，流過光敏電阻的電流基本不變，此時(shí)的偏置電路稱為恒流電路。然而，光敏
2009-06-02 00:14:04
5519 
雙極晶體管電路經(jīng)常使用的具有溫度補(bǔ)償作用的偏置電路圖
2009-08-13 15:51:441211 
MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管高阻抗偏置方法
該N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)
2009-09-05 15:17:181525 
晶體管分類
按半導(dǎo)體材料和極性分類 按晶體管使用的半導(dǎo)體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體
2009-11-05 10:48:534989 光晶體管光晶體管（phototransistor）由雙極型晶體管或場(chǎng)效應(yīng)晶體管等三端器件構(gòu)成的光電器件。光在這類器件的有源區(qū)內(nèi)被吸收，產(chǎn)生光生載流子，通過內(nèi)
2009-11-05 11:58:202354 PNP晶體管,PNP晶體管是什么意思
PNP晶體管是另一種類型晶體管.它的結(jié)構(gòu)如圖1所示。
2010-03-05 11:18:056814 雙極晶體管,雙極晶體管是什么意思
雙極晶體管
雙極型晶體管內(nèi)部電流由兩種載流子形成，它是利用電流來控制。場(chǎng)效應(yīng)管是電壓控制器
2010-03-05 11:48:466586 電力晶體管(GTR),電力晶體管(GTR)是什么意思
電力晶體
電力晶體管管按英文GiantTransistor直譯為巨型晶體
2010-03-05 13:32:3014825 CMOS晶體管,CMOS晶體管是什么意思
金屬-氧化物-半導(dǎo)體(Metal-Oxide-Semiconductor)結(jié)構(gòu)的晶體管簡(jiǎn)稱MOS晶體管，有P型MOS管和N型MOS管之分
2010-03-05 15:22:514129 晶體管耗散功率,晶體管耗散功率是什么意思
晶體管耗散功率也稱集電極最大允許耗散功率PCM，是指晶體管參數(shù)變化不超過規(guī)定允許值時(shí)的最大
2010-03-05 17:34:108979 這一系列數(shù)字晶體管的目的是取代一個(gè)單一的設(shè)備和它的外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。偏置電阻晶體管（BRT）包含一個(gè)單一的偏置電阻網(wǎng)絡(luò)組成的兩個(gè)單晶體管；電阻和串聯(lián)基地基地發(fā)射極電阻。BRT消除這些單獨(dú)的組件，將它們集成到一個(gè)單一的設(shè)備。使用BRT可以降低系統(tǒng)成本和電路板空間。
2017-04-05 15:17:3414 晶體管偏置是將晶體管直流工作電壓或電流條件設(shè)置為正確電平的過程，以便晶體管可以正確放大任何交流輸入信號(hào)
2019-06-24 09:50:1811740 
晶體管配置是NPN晶體管。我們還了解到雙極晶體管的結(jié)可以以三種不同的方式偏置 -公共基極，公共發(fā)射極和公共集電極。在本教程中，關(guān)于雙極晶體管，我們將更詳細(xì)地討論使用雙極NPN晶體管的“共發(fā)射極”配置，并舉例說明NPN晶體管的構(gòu)造以及晶體管電流特性
2019-06-25 15:14:1611300 
雙極結(jié)型晶體管教程，我們看到晶體管的輸出集電極電流與流入器件基極端的輸入電流成正比，從而使雙極晶體管成為“電流”操作器件（Beta模型），因?yàn)殡娏鬏^小可以用于切換較大的負(fù)載電流。
2019-06-25 11:53:385941 本文首先闡述了晶體管的概念，其次介紹了晶體管的優(yōu)越性，最后闡述了晶體管的控制方式。
2020-03-14 09:47:1213941 1、晶體管的選型：根據(jù)負(fù)載電流、負(fù)載電源電壓來確定具體晶體管型號(hào)，需要保證 Ic負(fù)載電流，Vceo負(fù)載電壓，Vcbo負(fù)載電壓 2、確定偏置電阻：基極電流大于1/倍，晶體管處于導(dǎo)通狀態(tài)，而這個(gè)基極電流
2020-05-26 08:07:385625 
大家都知道芯片使由晶體管構(gòu)成的，一個(gè)芯片由小到幾十，大到超百億晶體管構(gòu)成。像華為麒麟990芯片，就是由103億顆晶體管組成的。
2021-12-14 13:49:1420534 nmos晶體管的閾值電壓公式為Vt=Vt0-γ（2φF/Cox），其中Vt0為晶體管的基礎(chǔ)閾值電壓，γ為晶體管的偏置系數(shù)，φF為晶體管的反向偏置電勢(shì)，Cox為晶體管的歐姆容量。
2023-02-11 16:30:1419006 
PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個(gè)晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個(gè)主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端子由
2023-02-11 16:48:0319057 
提高晶體管開關(guān)速度的方法可以通過減少晶體管的輸入電容來提高晶體管的開關(guān)速度，這可以通過減少晶體管的輸入電容的大小來實(shí)現(xiàn)。
2023-02-24 15:54:572318 
具有預(yù)偏置 NPN 晶體管的 30 V P 溝道 MOSFET-PMC85XP
2023-03-02 22:58:300 達(dá)林頓晶體管是一種眾所周知且流行的連接，使用一對(duì)雙極晶體管結(jié)型晶體管（BJT），設(shè)計(jì)用于像統(tǒng)一的“超β”晶體管一樣工作。下圖顯示了連接的詳細(xì)信息。
2023-06-29 10:06:492671 
晶體管是現(xiàn)代電子設(shè)備中至關(guān)重要的組件，而芯片則是晶體管的集成。晶體管是一種用于控制電流的電子器件，它是由半導(dǎo)體材料制成的。晶體管的發(fā)明和發(fā)展對(duì)現(xiàn)代科技的進(jìn)步起到了重要的推動(dòng)作用。
2023-08-04 09:45:302789 【科普小貼士】?jī)?nèi)置偏置電阻型晶體管（BRT）
2023-12-13 14:37:451640 
至關(guān)重要。 為了詳細(xì)、實(shí)質(zhì)地理解晶體管三個(gè)極的電壓關(guān)系的大小，我們必須從晶體管的基本結(jié)構(gòu)和工作原理開始。 晶體管由兩個(gè)PN結(jié)組成：一個(gè)是PNP型，另一個(gè)是NPN型。PNP型晶體管由兩個(gè)P型半導(dǎo)體之間夾著一個(gè)N型半導(dǎo)體組成，而
2023-12-20 14:50:499245 晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當(dāng)?shù)碾妷海瑥亩?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點(diǎn)處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:433960 
晶體管偏置電阻的計(jì)算主要是為了確定適當(dāng)?shù)幕鶚O電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:281531 
為了確保晶體管工作在合適的工作區(qū)域，需要通過電流偏置來控制基極電流。通常在放大區(qū)，晶體管的基極電流被設(shè)置為恒定值，以確保其穩(wěn)定性和線性放大功能。
2024-02-05 15:21:233837 咱們今天講講電子世界的跑步選手——晶體管。這小東西在電子產(chǎn)品里就像是繼電賽跑的選手，開關(guān)的速度決定了電子設(shè)備的快慢。那么，如何才能提高晶體管的開關(guān)速度呢？來一探究竟。如果把晶體管比作一名運(yùn)動(dòng)員，要想
2024-04-03 11:54:121518 
NMOS晶體管和PMOS晶體管是兩種常見的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）類型，它們?cè)诙鄠€(gè)方面存在顯著的差異。以下將從結(jié)構(gòu)、工作原理、性能特點(diǎn)、應(yīng)用場(chǎng)景等方面詳細(xì)闡述NMOS晶體管和PMOS晶體管的區(qū)別。
2024-09-13 14:10:009544 安森美 (onsemi) NSBAMXW PNP偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計(jì)用于替換單個(gè)設(shè)備和相關(guān)外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些PNP偏置電阻晶體管集成了單個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，該網(wǎng)絡(luò)由一個(gè)系列
2025-11-21 16:22:38626 
安森美 (onsemi) NSBCMXW NPN 偏置電阻晶體管 (BRT) 設(shè)計(jì)用于替代單個(gè)設(shè)備及其相關(guān)的外部偏置電阻網(wǎng)絡(luò)。 這些安森美 (onsemi) BRT集成了單個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)
2025-11-22 09:44:46815 
onsemi MUN5136數(shù)字晶體管旨在取代單個(gè)器件及其外部電阻偏置網(wǎng)絡(luò)。這些數(shù)字晶體管包含一個(gè)晶體管和一個(gè)單片偏置網(wǎng)絡(luò)，單片偏置網(wǎng)絡(luò)由兩個(gè)電阻器組成，一個(gè)是串聯(lián)基極電阻器，另一個(gè)是基極-發(fā)射極
2025-11-24 16:27:15580 
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