在先進的反向導通絕緣柵雙極晶體管（RCIGBT）中，低導通電壓降（Vce(sat)）和集成二極管正向電壓（VF）對于有效減少導通損耗至關重要。
2025-10-10 09:25:06
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二極管是電子電路中很常用的元器件，非常常見，二極管具有正向導通，反向截止的特性。
2022-12-19 09:47:487711 本推文主要介Ga2O3器件，氧化鎵和氮化鎵器件類似，都難以通過離子注入擴散形成像硅和碳化硅的一些阱結構，并且由于氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制作P型半導體。學習氧化鎵仿真初期
2023-11-27 17:15:094855 
氮氧化鎵(Gallium Oxynitride，GaOxNy)是一種介于晶態與非晶態之間的化合物。其物化性質可通過調控制備條件在氮化鎵(GaN)與氧化鎵(Ga2O3)之間連續調整，兼具寬禁帶半導體特性與靈活的功能可設計性，因此在功率電子、紫外光電器件及光電催化等領域展現出獨特優勢。
2025-05-23 16:33:201474 
作者：Hyun Su Kim and Seongwoo Yoo 抽象的 我們提出了一種具有反向折射率分布的新型增益光纖結構，用于高斯單模光束的高功率放大。通過在凹陷核心中實現漸變索引，可以使用反索引
2021-03-19 16:18:415724 目前在半導體應用中被研究最多，距離商業化應用最近的一種。 ? 氧化鎵本身的材料特性極為優異。我們都知道第三代半導體也被稱為寬禁帶半導體，而第四代半導體的一個重要特性就是“超寬禁帶”，禁帶寬度在4eV以上（金剛石5.5eV，β-Ga 2 O 3 ?禁帶寬
2022-12-21 02:35:002517 目前在半導體應用中被研究最多，距離商業化應用最近的一種。 ? 氧化鎵本身的材料特性極為優異。我們都知道第三代半導體也被稱為寬禁帶半導體，而第四代半導體的一個重要特性就是“超寬禁帶”，禁帶寬度在4eV以上（金剛石5.5eV，β-Ga 2 O 3 禁帶寬度
2022-12-28 09:14:252676 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）氧化鎵被認為是在碳化硅和氮化鎵后的下一代半導體材料，而對于氧化鎵的重要性，去年8月美國商務部工業和安全局的文件中披露，將對氧化鎵和金剛石兩種超寬禁帶半導體襯底實施出口
2023-11-06 09:26:003157 氧化鎵是一種新型超寬禁帶半導體材料，是被國際普遍關注并認可已開啟產業化的第四代半導體材料。與碳化硅、氮化鎵等第三代半導體相比，氧化鎵的禁帶寬度遠高于后兩者，其禁帶寬度達到4.9eV，高于碳化硅
2023-03-15 11:09:59
跨越溝道的導通時間減小，這樣允許工作的開關頻率就可以提高；（2）溝槽寬度小，溝道完全開通所加的G極電壓可以降低，導通更容易，開關損耗降低；（3）溝槽寬度減小，溝道導通電阻降低，也更一進降低導通損耗
2017-01-06 14:46:20
本文設計了一種低導通損耗的USB 電源開關電路。該電路采用自舉電荷泵為N 型功率管提供足夠高的柵壓， 以降低USB 開關的導通損耗。在過載情況下， 過流保護電路能將輸出電流限制在0. 3 A。 1
2011-09-20 10:42:46
本文介紹了一種具有后級開關穩壓功能的同步整流電路，其既能降低損耗、提高電源效率，又實現高精度穩壓功能。
2021-04-06 08:13:14
相繼被提出。然而SCMRC結構的阻帶范圍較小(5.2GHz-7.6GHz)，BCMRC則由于在阻帶范圍內的衰減特性不理想通常需要幾個單元來實現較好的低通特性。針對這些問題，本文提出了一種新型CMRC
2019-07-08 07:34:48
。為此，本文提出了一種新型SIW腔體雙膜濾波器的設計方法。該SIW的大功率容量、低插入損耗特性正好可以對雙膜濾波器的固有缺點起到補償作用。而且輸入／輸出采用直接過渡的轉換結構，也減少了耦合縫隙的損耗。
2019-07-03 07:08:15
用電流損耗更低的RS-485收發器替代舊器件，結果卻發生故障，是什么原因呢？低電流損耗真的好嗎？
2019-08-07 08:29:55
時，客戶工程師發現：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時，Q1的導通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時候，VTH比正向導通的時候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
氮化鎵(GaN)的重要性日益凸顯，增加。因為它與傳統的硅技術相比，不僅性能優異，應用范圍廣泛，而且還能有效減少能量損耗和空間的占用。在一些研發和應用中，傳統硅器件在能量轉換方面，已經達到了它的物理
2023-06-15 15:47:44
通過SMT封裝，GaNFast? 氮化鎵功率芯片實現氮化鎵器件、驅動、控制和保護集成。這些GaNFast?功率芯片是一種易于使用的“數字輸入、電源輸出” (digital in, power out
2023-06-15 16:03:16
的 3 倍多，所以說氮化鎵擁有寬禁帶特性（WBG）。
禁帶寬度決定了一種材料所能承受的電場。氮化鎵比傳統硅材料更大的禁帶寬度，使它具有非常細窄的耗盡區，從而可以開發出載流子濃度非常高的器件結構。由于氮化
2023-06-15 15:41:16
分享一種低延遲SGTLCODEC解決方案
2021-06-01 07:05:17
分享一種具有低功耗意識的FPGA設計方法
2021-04-29 06:15:55
分享一種ADA1373低延遲立體聲的解決方案
2021-06-02 06:58:06
開通造成橋臂短路； 通過優化 PCB 布局減小寄生電感能有效減小驅動振蕩[3]，但在硬開關場合依舊存在較大電壓過沖； 而且 GaN HEMT 的反向導通損耗往往高于同電壓等級的 MOSFET，尤其是工作
2023-09-18 07:27:50
如何利用DSP庫去實現一種低通濾波的設計呢？有哪些設計步驟呢？
2021-11-19 08:03:16
本文設計了一種低插入損耗、高隔離度的全集成超寬帶CMOS射頻收發開關芯片。
2021-05-24 06:58:23
次諧波，它降低了電機效率并同時增加傳遞到負載和繞組溫度的振動。
氮化鎵器件的優勢
由于氮化鎵器件具有較低的開關損耗且沒有體二極管pn結，因此在硬開關中，沒有相關的反向恢復。這兩個因素有助于消除死區時間
2023-06-25 13:58:54
已經上傳了驅動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
TPS61372在手機反向無線充應用中有哪些顯著優勢？怎樣去設計一種基于TPS61372的反向無線充電手機電路？
2021-07-08 07:12:09
如何去區分燃氣報警器和煤氣報警器呢？燃氣報警器和煤氣報警器的區別再哪？有沒有一種可同時監測燃氣和一氧化碳的傳感器呢？
2021-07-19 08:12:28
萬噸。由于鎵是一種加工副產品，所以成本相對較低，約為每公斤 300 美元，比每公斤約 6 萬美元的黃金要低 200 倍。
德米特里 · 門捷列夫（Dmitri Mendeleev）在1871年預測了鎵
2023-06-15 15:50:54
轉換器，將性能與兩種可比場景進行了比較：第一種是所有三種晶體管類型都在500KHz諧振頻率下工作，第二種是500KHz基于GaN的LLC與基于100KHz硅的LLC。主要晶體管是氮化鎵、硅或碳化硅。初級
2023-02-27 09:37:29
氮化鎵為單開關電路準諧振反激式帶來了低電荷（低電容）、低損耗的優勢。和傳統慢速的硅器件，以及分立氮化鎵的典型開關頻率（65kHz）相比，集成式氮化鎵器件提升到的 200kHz。
氮化鎵電源 IC 在
2023-06-15 15:35:02
時間。
更加環保：由于裸片尺寸小、制造工藝步驟少和功能集成，氮化鎵功率芯片制造時的二氧化碳排放量，比硅器件的充電器解決方案低10倍。在較高的裝配水平上，基于氮化鎵的充電器，從制造和運輸環節產生的碳足跡，只有硅器件充電器的一半。
2023-06-15 15:32:41
氮化鎵 (GaN) 可為便攜式產品提供更小、更輕、更高效的桌面 AC-DC 電源。Keep Tops 氮化鎵（GaN）是一種寬帶隙半導體材料。 當用于電源時，GaN 比傳統硅具有更高的效率、更小
2023-08-21 17:06:18
高壓硅二極管具有低正向傳導壓降，但由于其反向恢復行為，會在功率轉換器中造成顯著的動態損耗。與硅相比，SiC二極管的反向恢復行為可以忽略不計，但確實表現出更高的體電容和更大的正向傳導降。由于砷化鎵技術
2023-02-22 17:13:39
水平。 在東脅的開創性研究中，他還介紹了由于使用高臨界電場強度的材料而大幅降低功率損耗的情況。電場強度以Ec表示，是氧化鎵真正的超能力。簡單地說，如果在兩個導體之間放置一種材料，把電壓調高，那么Ec就是該
2023-02-27 15:46:36
反向導引場自由電子激光器的三維非線性模擬:對Conde–Bekefi反向導引場自由電子激光（FEL）放大器實驗進行了三維非線性分析。當引入一類似于回旋自諧振脈塞收縮角(pi
2009-10-26 21:29:29
16 一種新型陽極氧化多孔硅技術:在適當條件下氧化多孔硅是提高多孔硅發光強度的良好途徑,提出了一種新型陽極氧化方法,并探討了該方法所涉及的陽極氧化條件。采用含CH3CSNH2 的HF
2009-12-29 23:38:4713 Vishay Intertechnology 控股的Siliconix 公司日前宣布推出采用反向導引TO-252 DPAK 封裝的新型TrenchFET 功率MOSFET 系列產品。憑借反向成型的接腳，采取「SUR」封裝的TrenchFET 能使該產品反向
2010-09-05 10:26:5964 Vishay新型功率MOSFET采用反向導引TO-252DPAK封裝
2010-11-12 22:27:3332 一種基于TCRA的低軌星座通信系統的強占預留信道策略
在低軌(LEO)星座衛星通信中，目前已有的信道分配策略一般強調具有較低的切換失敗概率，以
2009-05-14 12:41:59789 
瑞薩科技推出兩輪機動車穩壓器的反向導通晶閘管
株式會社瑞薩科技（以下簡稱瑞薩）宣布推出適用于兩輪機動車穩壓器和通用電池的引擎——CRD5CM反向導通晶閘管。C
2010-01-12 17:16:141328 一種DC_6GHz的GaAsPHEMT寬帶低插入損耗單刀雙擲開關_劉宇轍
2017-01-03 15:24:450 一種低硬件資源消耗快速SVPWM算法_齊昕
2017-01-07 17:16:230 一種低開銷加固鎖存器的設計_黃正峰
2017-01-07 21:45:570 一種SVPWMNPC三電平變頻器損耗計算的改進方法_丁杰
2017-01-08 10:30:294 一種永磁式感應熱機的損耗及傳熱分析_杜海
2017-01-08 11:28:380 在2011年初，英特爾公司推出了商業化的FinFET，使用在其22納米節點的工藝上［3］。從IntelCorei7-3770之后的22納米的處理器均使用了FinFET技術。由于FinFET具有功耗低
2018-07-18 13:49:00123257 
為精確計算光伏逆變器的IGBT損耗，指導系統熱設計，提出了一種IGBT損耗精確計算的實用方法。以可視化的T程計算T具MathCAD為載體，基于SVPWM矢量控制原理，建立了光伏逆變器IGBT實際T作
2017-12-08 10:36:0264 該R20055300 L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲最佳可靠性，非常適合5MHz至200MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-13 11:19:009 該R1005300L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲的最佳可靠性，非常適合5MHz至100MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-06 11:25:005 該R1005250L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲的最佳可靠性，非常適合5MHz至100MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-06 11:25:001 該R0605300是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲的最佳可靠性，非常適合5MHz至65MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-06 11:25:001 該R2005200P12是一種混合反向放大器。該部分采用GaAs芯片。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲最佳可靠性，非常適合5MHz至200MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-06 11:25:002 該R0605250是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲的最佳可靠性，非常適合5MHz至65MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-06 11:25:001 該R3005300L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲最佳可靠性，非常適合5MHz至300MHz用于反向信道系統的CATV放大器
2018-09-06 11:25:003 該R2005300L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲最佳可靠性，非常適合5MHz至200MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-06 11:25:0010 該R2005280L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲最佳可靠性，非常適合5MHz至200MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-06 11:25:0013 該R3005250L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲最佳可靠性，非常適合5MHz至300MHz用于反向信道系統的CATV放大器
2018-09-05 11:25:0012 該RFRP3120是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部分還提供了低噪聲最佳可靠性，非常適合5MHz至300MHz用于反向信道系統的CATV放大器。
2018-09-04 11:25:002 TrimQuT TGL2206是一種高功率、寬帶MMIC砷化鎵VPIN限制器，能夠保護敏感的接收信道部件不受高功率入射信號的影響。該TGL2206不需要直流偏置，并實現了低插入損耗都在一個小的形狀因子。這些特性允許簡單的集成，對系統性能的影響最小。
2018-07-30 11:30:001 該R2005350L是一種混合反向放大器。該零件采用硅模具。它具有非常低的失真和優異的回波損耗性能。該部件還提供了低噪聲的最佳可靠性，并且非常適合用于反向信道系統的5MHz到200兆赫的CATV放大器。
2018-07-26 11:30:0010 為此，我們提出一種領域特定語言（domain specific language），以將這些數學公式描述為原始函數列表，并使用一種基于進化（evolution-based）的方法來發現新的傳播規則
2018-08-14 09:55:244326 
西安電子科技大學微電子學院周弘副教授總結了目前氧化鎵半導體功率器件的發展狀況。著重介紹了目前大尺寸襯底制備、高質量外延層生長、高性能二極管以及場效應晶體管的研制進展。同時對氧化鎵低熱導率特性的規避提供了可選擇的方案，對氧化鎵未來發展前景進行了展望。
2019-01-10 15:27:1017618 
LED也是二極管中的一種，同樣具有正向導通、反向截至（單向導電性）的特性。LED內部構造也是一個PN結，其特殊之處是內部摻雜鎵（Ga）、砷（As）等化學元素，通過電子與空穴復合時釋放能量而發光，比如磷化鎵會發藍光、砷化鎵會發紅光等。
2019-12-08 09:36:457821 近期，中國科學院微電子研究所集成電路先導工藝研發中心研究員殷華湘帶領的科研團隊基于主流的體硅高κ/金屬柵FinFET工藝，提出了一種利用拐角效應，在鉆石形Fin溝道頂部尖端實現載流子局域化，并借助柵極兩邊側墻的電勢限制，
2021-02-20 10:23:424854 
FLOSFIA 的氧化鎵功率器件使用一種稱為α-Ga2O3的材料。氧化鎵具有不同晶形的β-Ga2O3，結構更穩定。然而，由于α型在帶隙等特性方面優越（Si的帶隙值(eV) 為1.1，SiC為3.3， Ga2O3為5.3 。
2022-07-28 11:22:552411 二極管在電子電路中是一種非常常見的元器件，經常被使用，二極管的特性是正向導通，反向截止。
2022-08-15 09:44:1813454 
本文提出了一種在微波液體放電等離子體（MDPL）還原氧化石墨烯(GO)的新策略。該方法還原速度快，反應活性高，溫度低，適合高效制備石墨烯。
2022-11-24 11:00:413454 如何開發出有效的邊緣終端結構，緩解肖特基電極邊緣電場是目前氧化鎵肖特基二極管研究的熱點。由于氧化鎵P型摻雜目前尚未解決，PN結相關的邊緣終端結構一直是難點。
2022-12-21 10:21:581332 目前在半導體應用中被研究最多，距離商業化應用最近的一種。 氧化鎵本身的材料特性極為優異。我們都知道第三代半導體也被稱為寬禁帶半導體，而第四代半導體的一個重要特性就是“超寬禁帶”，禁帶寬度在4eV以上（金剛石5.5eV，β-Ga 2 O 3 禁帶寬度
2022-12-28 07:10:061603 砷化鎵是一種重要的半導體材料，它具有優異的電子特性，廣泛應用于電子器件的制造。砷化鎵具有良好的電子性能，具有高電子遷移率、低漏電流、高熱穩定性和高熱導率等優點，因此在電子器件的制造中得到了廣泛的應用。
2023-02-14 17:14:473761 我國的氧化鎵襯底能夠小批量供應，外延、器件環節產業化進程幾乎空白，研發主力軍和突出成果都在高校和科研院所當中。
2023-02-22 10:59:334889 氮化鎵納米線是一種基于氮化鎵材料制備的納米結構材料，具有許多優異的電子、光學和機械性質，因此受到了廣泛關注。氮化鎵材料是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的電子和光學性質，也是氮化鎵納米線的主要材料來源。
2023-02-25 17:25:151497 晶閘管具有單向導電性和正向導通可控晶閘管具有單向導電性和正向導通可控性。屬于晶閘管的物理特征。
2023-02-27 17:12:141713 氧化鎵能帶結構的價帶無法有效進行空穴傳導，因此難以制造P型半導體。近期斯坦福、復旦等團隊已在實驗室實現了氧化鎵P型器件，預計將逐步導入產業化應用。
2023-02-27 18:06:433476 氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩定，當加熱至一定高溫時，其他亞穩態均轉換為β相，在熔點1800℃時必為β相。目前產業化以β相氧化鎵為主。
2023-03-08 15:40:005426 氧化鎵有5種同素異形體，分別為α、β、γ、ε和δ。其中β-Ga2O3（β相氧化鎵）最為穩定，當加熱至一定高溫時，其他亞穩態均轉換為β相，在熔點1800℃時必為β相。目前產業化以β相氧化鎵為主。
2023-03-12 09:23:2714614 氧化鎵是一種超寬禁帶半導體材料，具有優異的耐高壓與日盲紫外光響應特性，在功率器件和光電領域應用潛力巨大。
2023-03-13 12:25:26950 此外，氧化鎵的導通特性約為碳化硅的10倍，理論擊穿場強約為碳化硅3倍多，可以有效降低新能源汽車、軌道交通、可再生能源發電等領域在能源方面的消耗。數據顯示，氧化鎵的損耗理論上是硅的1/3000、碳化硅的1/6、氮化鎵的1/3。
2023-03-20 11:13:121879 三菱電機集團近日（2023年7月28日）宣布，已投資日本氧化鎵晶圓開發和銷售企業Novel Crystal Technology，今后將加快研究開發高性能低損耗氧化鎵功率半導體，為實現低碳社會做出貢獻。
2023-08-02 10:38:181727 三菱電機公司近日宣布，它已入股Novel Crystal Technology, Inc.——一家開發和銷售氧化鎵晶圓的日本公司，氧化鎵晶圓是一個很有前途的候選者。三菱電機打算加快開發優質節能功率半導體，以支持全球脫碳。
2023-08-08 15:54:30926 
氧化鎵（Ga2O3）半導體具有4.85 eV的超寬帶隙、高的擊穿場強、可低成本制作大尺寸襯底等突出優點。
2023-08-17 14:24:162130 
肖特基二極管的反向恢復時間表示的是從正向導通狀態切換到反向截止狀態時所需的時間。它是指當肖特基二極管從正向導通到反向截止時，電流停止流動，并且由于電荷存儲效應而需要一定的時間才能完全恢復到截止狀態的時間。
肖特基二極管是一種特殊構造的二極管，具有快速開關速度和低反向恢復時間的特點。
2023-08-24 15:45:115895 近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導體受到世界各國科研和產業界的普遍關注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導體碳化硅（SiC）的3.2 eV和氮化鎵（GaN）的3.39 eV。
2023-09-11 10:24:441442 
igbt可以反向導通嗎？如何控制igbt的通斷？ IGBT 是 Insulated Gate Bipolar Transistor 隔離柵雙極晶體管的縮寫，是一種功率半導體器件。IGBT 可以用
2023-10-19 17:08:055910 針對未來智慧功率器件和模組中需要集成實時溫度傳感功能的需求，團隊提出了一種具有空穴通道和溫度傳感功能的低導通損耗的新型載流子存儲溝槽柵雙極晶體管(HP-CSTBT)。
2023-10-25 10:53:021828 
二極管是單向導電還是雙向導電？為什么二極管具有單向導電性？二極管任何時候都具有單向導電性嗎？ 二極管是雙向導電的，但它具有單向導電性。 一、二極管的結構和功能 二極管是一種由半導體材料制成的電子元件
2023-11-17 14:35:428611 ，氮化鎵芯片具有許多優點和優勢，同時也存在一些缺點。本文將詳細介紹氮化鎵芯片的定義、優缺點，以及與硅芯片的區別。 一、氮化鎵芯片的定義 氮化鎵芯片是一種使用氮化鎵材料制造的集成電路芯片。氮化鎵（GaN）是一種半導體
2023-11-21 16:15:3011008 器件損壞。為了保護二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復電路。 二極管反向恢復電路是一種用于減小反向恢復電流的電路，通常由二極管和電感器構成。當二極管處于正向導通狀態時，電感器存儲了能量；當二極管從導
2023-12-18 11:23:574138 氮化鎵（GaN）MOS管，是一種基于氮化鎵材料制造的金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET）。由于氮化鎵具有優異的電子遷移率、高電子飽和速度和較高的擊穿電壓能力，使得氮化鎵MOS管在高功率
2024-01-10 09:32:154274 超寬帶隙(UWBG)半導體相比si和寬帶隙材料如SiC和GaN具有更優越的固有材料特性。在不同的UWBG材料中，氧化鎵正逐漸展現出其在高壓電力電子領域的未來應用潛力。本文總結了氧化鎵材料的一些固有
2024-06-18 11:12:311583 
二極管作為一種重要的半導體器件，在電子電路中扮演著至關重要的角色。然而，在二極管的實際應用中，反向恢復損耗是一個不容忽視的問題。本文將對二極管的反向恢復損耗進行詳細探討，包括其定義、產生機理、計算方法以及降低損耗的措施等方面。
2024-10-12 16:53:545158 VB法4英寸氧化鎵單晶導電型摻雜 2025年1月，杭州鎵仁半導體有限公司（以下簡稱“鎵仁半導體”）基于自主研發的氧化鎵專用晶體生長設備進行工藝優化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功實現4英寸氧化鎵單晶
2025-02-14 10:52:40902 
在超寬禁帶半導體領域，氧化鎵器件憑借其獨特性能成為研究熱點。泰克中國區技術總監張欣與香港科技大學電子及計算機工程教授黃文海教授，圍繞氧化鎵器件的研究現狀、應用前景及測試測量挑戰展開深入交流。
2025-04-29 11:13:001029
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