本文針對當前及下一代電力電子領域中市售的碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）晶體管進行了全面綜述與展望。首先討論了GaN與SiC器件的材料特性及結構差異。基于對市售GaN與SiC功率晶體管的分析，描述了這些技術的現狀，重點闡述了各技術平臺的首選功率變換拓撲及關鍵特性。
2025-05-15 15:28:57
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在很寬的范圍內實現對器件制造所需的p型和n型的控制。因此，SiC被認為是有望超越硅極限的功率器件材料。SiC具有多種多型（晶體多晶型），并且每種多型顯示不同的物理特性。對于功率器件，4H-SiC被認為是理想的，其單晶4英寸到6英寸之間的晶圓目前已量產。
2022-11-22 09:59:262551 PADS 如何快速定位元器件庫中的元器件 Logic軟件在庫管理器中提供了元器件搜索功能，以便用戶更快找到所需要的元器件。 執行菜單命令文件-庫，打開庫管理器，在如圖1所示中的搜索欄中輸入“*元件首字母”來進行搜索，其中“*”不能刪除，輸入元件名稱越精準，元器件定位出的范圍越小。
2023-03-14 10:35:025803 只是由于SiC MOSFET的跨導比Si MOSFET的跨導小一個數量級以上，因此不會立即流過過大的直通電流。所以即使流過了直通電流，也具有足夠的冷卻能力，只要不超過MOSFET的Tj(max)，基本上沒有問題。
2024-01-25 12:40:57967 
一樣，商用SiC功率器件的發展走過了一條喧囂的道路。本文旨在將SiC MOSFET的發展置于背景中，并且 - 以及器件技術進步的簡要歷史 - 展示其技術優勢及其未來的商業前景。 碳化硅或碳化硅的歷史
2023-02-27 13:48:12
家公司已經建立了SiC技術作為其功率器件生產的基礎。此外，幾家領先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來基于SiC的產品的路線圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開關;性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-03-14 06:20:14
通過電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。 SiC器件漂移層的阻抗
2023-02-07 16:40:49
本文就SiC-MOSFET的可靠性進行說明。這里使用的僅僅是ROHM的SiC-MOSFET產品相關的信息和數據。另外，包括MOSFET在內的SiC功率元器件的開發與發展日新月異，如果有不明之處或希望
2018-11-30 11:30:41
SiC-MOSFET的有效性。所謂SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品所謂SiC-MOSFET－SiC-MOSFET的可靠性SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC
2018-11-27 16:38:39
前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點
2018-11-29 14:35:23
電導率調制，向漂移層內注入作為少數載流子的空穴，因此導通電阻比MOSFET還要小，但是同時由于少數載流子的積聚，在Turn-off時會產生尾電流，從而造成極大的開關損耗。SiC器件漂移層的阻抗比Si器件低
2019-05-07 06:21:55
）工作頻率的高頻化，使周邊器件小型化（例：電抗器或電容等的小型化）主要應用于工業機器的電源或光伏發電的功率調節器等。2. 電路構成現在量產中的SiC功率模塊是一種以一個模塊構成半橋電路的2in1類型
2019-05-06 09:15:52
，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為合適
2019-07-23 04:20:21
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與Si相比，它在應用中具有諸多優勢。由于具有較寬的帶隙，SiC器件的工作溫度可高達600℃，而Si器件
2018-09-11 16:12:04
與硅相比，SiC有哪些優勢？SiC器件與硅器件相比有哪些優越的性能？碳化硅器件的缺點有哪些？
2021-07-12 08:07:35
隨著現代技術的發展， 功率放大器已成為無線通信系統中一個不可或缺的部分, 特別是寬帶大功率產生技術已成為現代通信對抗的關鍵技術。作為第三代半導體材料碳化硅（ SiC） , 具有寬禁帶、高熱導率、高
2019-08-12 06:59:10
ROHM擅長的低VF特性，還提高了抗浪涌電流性能IFSM，并改善了漏電流IR特性，采用SiC功率元器件的客戶有望進一步增加。（未完待續）
2018-12-03 15:12:02
有些人的印象中是使用在大功率的特殊應用上的，但是實際上，它卻是在我們身邊的應用中對節能和小型化貢獻巨大的功率元器件。SiC功率元器件關于SiC功率元器件，將分以下4部分進行講解。何謂SiC？物理特性
2018-11-29 14:39:47
線通信終端，終端噪音使得它自身的通信性能劣化，會發生系統內的EMC問題（即自中毒問題），為了使LTE的性能發揮極致，必須解決掉這一問題。本文中我們將通過噪聲對策的事例，介紹對LTE通信規范產生影響的噪音對策以及必要的EMC對策元器件的選擇方法。
2019-05-31 06:10:32
的磁珠.5.共模電感的介紹，針對新型高速差分接口USB3.0,HDMI1.3等等，介紹新型的共模電感來濾除共模噪音。 EMC對策的容感器件選擇方法[此貼子已經被admin于2010-12-5 10:06:18編輯過]
2010-08-31 20:26:16
的噪聲對策。噪聲的產生也和PCB板布局、元器件配置、元器件性能等有關系。在某些情況下，可能需要將LC濾波器由簡單的L型升級為π型或T型，或在電路板上設置屏蔽等。此外，某些設備規格還必須符合噪聲標準（比如
2018-11-30 11:39:37
額定擊穿電壓器件中的半導體材料方面勝過Si.Si在600V和1200V額定功率的SiC肖特基二極管已經上市，被公認為是提高功率轉換器效率的最佳解決方案。 SiC的設計障礙是低水平寄生效應，如果內部和外部
2022-08-12 09:42:07
HEV/EV 用電子元器件的設計對策 議程1. HEV/EV Category and Passive Component混合/純電動車種類和被動電子元器件2. DC/DC Converter-
2009-11-26 11:45:54
全球知名半導體制造商ROHM在慕尼黑上海電子展上展出了ROHM所擅長的模擬電源、以業界領先的SiC（碳化硅）元器件為首的功率元器件、種類繁多的汽車電子產品、以及能夠為IoT（物聯網）的發展做出貢獻
2019-04-12 05:03:38
實現了具有硅半導體無法得到的突破性特性的碳化硅半導體（SiC半導體）的量產。另外，在傳統的硅半導體功率元器件領域，實現了從分立式半導體到IC全覆蓋的融合了ROHM綜合實力的復合型產品群。下面介紹這些產品中的一部分。
2019-07-08 08:06:01
標準的產品，并與具有高技術標準和高品質要求的供應商合作。在這過程中，ROHM作為ApexMicrotechnology的SiC功率元器件供應商脫穎而出。ROHM的服務和技術支持都非常出色，使得我們能夠
2023-03-29 15:06:13
色，VF值更低。＜支持信息＞ROHM在官網特設網頁中，介紹了SiC MOSFET、SiC SBD和SiC功率模塊等SiC功率元器件的概況，同時，還發布了用于快速評估和引入第4代SiC MOSFET的各種支持
2023-03-02 14:24:46
所擁有的特性和特征的應用事例。均分別包含基礎內容。如果是幾十瓦的電源，有內置功率元器件，可減少個別地選擇MOSFET或工作確認。然而，在大功率電路中，切實地純熟掌握分立元器件極為重要。后文將詳細
2018-11-28 14:34:33
確實無法在21世紀單芯片化。羅姆積極致力于走在22世紀前端的一體化封裝電源的開發，敬請期待未來羅姆具有前瞻性的的產品陣容。 而在羅姆提出的四大發展戰略中，其中之一便是“強化以SiC為核心的功率元器件
2018-09-26 09:44:59
本帖最后由 chxiangdan 于 2018-7-27 17:22 編輯
親愛的電子發燒友小伙伴們！羅姆作為 SiC 功率元器件的領先企業，自上世紀 90 年代起便著手于 SiC 功率元器件
2018-07-27 17:20:31
項目名稱：SiC MOSFET元器件性能研究試用計劃：申請理由本人在半導體失效分析領域有多年工作經驗，熟悉MOSET各種性能和應用，掌握各種MOSFET的應用和失效分析方法，熟悉MOSFET的主要
2020-04-24 18:09:12
的時間往往很短，但劇烈的脈沖產生的能量往往會對系統產生極大的沖擊。針對HDMI接口，高浪涌形成的原因有很多，但最主要的因素來自于較長的HDMI線纜，以及閃電。這些因素產生的能量一般會比靜電產生的要
2022-11-09 07:07:05
（SiC）和氮化鎵（GaN）是功率半導體生產中采用的主要半導體材料。與硅相比，兩種材料中較低的本征載流子濃度有助于降低漏電流，從而可以提高半導體工作溫度。此外，SiC 的導熱性和 GaN 器件中穩定的導通電
2023-02-21 16:01:16
的原因，反向電流小，因此噪聲小，???可減少噪聲/浪涌對策元器件，實現小型化??3.高頻工作，可實現電感等外圍元器件的小型化以下是具體案例和示意圖。由于其溫度穩定性非常優異等優勢，還支持車載級
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
了約22%。橙色部分表示開關損耗，降低的損耗大部分是開關損耗。在30kHz條件下，首先是IGBT的開關損耗大幅增加。眾所周知，這是IGBT高速開關所面對的課題。全SiC功率模塊的開關損耗雖然也有
2018-11-27 16:37:30
關斷時（切斷電流）產生較大的浪涌，當浪涌超過元器件的額定值時，甚至可能會致使產品損壞。要有效降低布線電感值，需要靠近電路圖的紅色橢圓圈出來的線路中的元件引腳連接電容器。緩沖用電容器示例緩沖用電容器不僅電氣
2018-11-27 16:39:33
和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅動器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內均可調整。將該柵極驅動器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來確認柵極電壓的升高情況
2018-11-27 16:41:26
對LTE通信規范產生影響的噪音對策以及必要的EMC對策元器件的選擇方法。
2021-04-19 08:07:50
沖擊，具有極低的結電容，應用于保護電子設備和人身免遭瞬態高電壓的危害，是防雷保護設備中應用最廣泛的開關元器件。東沃供應的GDT浪涌電流可達20KA、40KA、50KA、60KA、100KA、150KA
2019-08-27 14:33:23
的開關電源電路相同。另外，SiC-SBD不產生短脈沖反向恢復現象，因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實現小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優勢。由
2018-12-04 10:14:32
開關電源中浪涌電壓吸收元器件
開關 電源 通常具有較寬的輸入電壓，對輸入電壓的容差范圍較大，同時根據浪涌尖峰電壓峰值高，持續時間短的特點，通常采用能量吸收型方案對浪涌尖峰電壓進行濾除，即采用能量吸收
2023-12-18 15:24:53
半導體的低阻值，可以高速工作，高溫工作，能夠大幅度削減從電力傳輸到實際設備的各種功率轉換過程中的能量損耗。SiC功率元器件在節能和小型化方面功效卓著，其產品已經開始實際應用，并且還應用在對品質可靠性
2017-07-22 14:12:43
二極管（FRD:快速恢復二極管），能夠明顯減少恢復損耗。有利于電源的高效率化，并且通過高頻驅動實現電感等無源器件的小型化，而且可以降噪。 廣泛應用于空調、電源、光伏發電系統中的功率調節器、電動汽車
2019-05-07 06:21:51
SiCMOSFET具有出色的開關特性，但由于其開關過程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎知識 SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作-前言”中介
2022-09-20 08:00:00
。這就使得MOSFET在SiC功率電子器件中具有重要的意義。2000年研制了國內第一個SiCMOSFETt31。器件最大跨導為0.36mS/mm，溝道電子遷移率僅為14cm2/(V·s)。反型層遷移率低
2017-06-16 10:37:22
(SiC) 注2和GaN注3這類寬禁帶(WBG)半導體注4的功率元器件。WBG材料的最大特點如表1所示，其絕緣擊穿電場強度較高。只要利用這個性質，就可提高與Si元件相同結構時的耐壓性能。只要實現有耐壓余量
2019-07-08 06:09:02
電壓、電流供應電力的電源是不可或缺的。在這種“按所需方式供應電力”的范圍中，半導體也發揚著重要的作用，從“處置電力(功率)”的含義動身，其中心半導體部件被稱為功率元器件或功率半導體。 在功率元器件
2012-11-26 16:05:09
大功率的電子元器件怎么理解？大功率的電子元器件有哪些？
2019-02-15 06:36:33
出現輸入浪涌電流的原因是什么？限制開機浪涌電流有哪些對策？
2021-06-18 07:26:24
電子元器件的防浪涌應用 電浪涌引起的電過應力（EOS）損傷或燒毀是電子元器件在使用過程中最常見的失效模式之一。 電浪涌是一種隨機的短時間
2009-08-27 18:53:08
68 SiC功率器件的封裝技術要點
具有成本效益的大功率高溫半導體器件是應用于微電子技術的基本元件。SiC是寬帶隙半導體材料，與S
2009-11-19 08:48:432711 浪涌、浪涌電流和浪涌電壓的概念解釋，浪涌保護器是什么，基本元器件的組成，本文針對浪涌和浪涌保護器做出概述。
2011-11-02 13:46:332894 隨著降低環境負荷的要求日益提高，功率元器件市場在不斷增長。而且，為了進一步減少電力損失，以SiC等新一代材料取代現行Si的動向也日益活躍。日前，記者就蓬勃發展的功率元器件
2012-10-22 11:10:361412 引言SiC功率器件已經成為高效率、高電壓及高頻率的功率轉換應用中Si功率器件的可行替代品。正如預期的優越材料
2018-03-20 11:43:025379 使用SiC的新功率元器件技術
2018-06-26 17:56:006667 SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-07-15 11:05:4111764 
SiC（碳化硅）是一種由Si（硅）和C（碳）構成的化合物半導體材料。SiC臨界擊穿場強是Si的10倍，帶隙是Si的3倍，熱導率是Si的3倍，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在
2018-09-29 09:08:009411 隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-03-02 09:35:1815771 
隨著我國新能源汽車市場的不斷擴大，充電樁市場發展前景廣闊。SiC材料的功率器件可以實現比Si基功率器件更高的開關頻繁，可以提供高功率密度、超小的體積，因此SiC功率器件在充電樁電源模塊中的滲透率不斷增大。
2019-06-18 17:24:502235 
SiC因其寬帶隙技術脫穎而出。與傳統硅基器件相比，SiC的擊穿場強是傳統硅基器件的10倍，導熱系數是傳統硅基器件的3倍，非常適合于高壓應用，如電源、太陽能逆變器、火車和風力渦輪機。另外，SiC還用于制造LED。
2019-08-30 09:08:264757 
中，我們將對相應的對策進行探討。關于柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當SiC MOSFET本身的電壓和電流發生變化時，可能會發生意想不到的正浪涌或負浪涌，需要對此采取對策。 在本文中，我們將對相應的對策進行探討。 什么是柵極－源極電壓產生的
2021-06-10 16:11:442954 的電源和充電器到太陽能發電和能量存儲的廣泛應用和拓撲結構產生了影響。SiC功率器件進入市場的時間比氮化鎵長，通常用于更高電壓、更高功率的應用。 電機在工業應用的總功率中占了相當大的比例。它們被用于暖通空調（HVAC）、重型機器人、物料搬運
2021-08-13 15:22:003063 在電路設計中經常會對電路元器件做相關的保護，這里所說的是關于浪涌保護相關的電路部分，包括元器件選擇和電路設計部分。剛開始接觸這一部分有不足大家可以批評指正。
2022-05-30 09:51:0810729 
了設計的復雜程度。SiC元器件的低導通電阻特性有助于顯著降低設備的能耗，從而有助于設計出能夠減少CO2排放量的環保型產品和系統。
2022-06-15 16:00:342401 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。本章將討論SiC功率器件面臨的挑戰和最新發展。第一部分重點
2022-11-04 09:56:011166 碳化硅（SiC）被認為是未來功率器件的革命性半導體材料;許多SiC功率器件已成為卓越的替代電源開關技術，特別是在高溫或高電場的惡劣環境中。
2022-11-06 18:50:472665 碳化硅（SiC）功率器件具有提高效率、動態性能和可靠性的顯著優勢電子和電氣系統。回顧了SiC功率器件發展的挑戰和前景
2022-11-11 11:06:142146 近年來，SiC功率器件結構設計和制造工藝日趨完善，已經接近其材料特性決定的理論極限，依靠Si器件繼續完善來提高裝置與系統性能的潛力十分有限。本文首先介紹了SiC功率半導體器件技術發展現狀及市場前景，其次闡述了SiC功率器件發展中存在的問題，最后介紹了SiC功率半導體器件的突破。
2022-11-24 10:05:102964 SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。通過將SiC應用到功率元器件上，實現以往Si功率元器件無法實現的低損耗功率轉換。不難發現這是SiC使用到功率元器件上的一大理由。
2023-02-09 11:50:19837 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:211335 
在上一篇文章中，簡單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產生的浪涌。從本文開始，將介紹針對所產生的SiC功率元器件中浪涌的對策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關鍵要點?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導通時，SiC MOSFET的HS誤導通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負載。
2023-02-09 10:19:161830 
關于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產生的浪涌，在之前發布的Tech Web基礎知識 SiC功率元器件 應用篇的“SiC MOSFET：橋式結構中柵極－源極間電壓的動作”中已進行了詳細說明，如果需要了解,請參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
根據市場分析機構 Yole 預測，在未來 5 年內，SiC 功率器件將很快占據整個功率器件市場的 30%，SiC 行業（從襯底到模塊，包括器件）的增長率非常高。在Yole看來，到 2027 年，該行
2023-02-20 17:05:162145 前面對SiC的物理特性和SiC功率元器件的特征進行了介紹。SiC功率元器件具有優于Si功率元器件的更高耐壓、更低導通電阻、可更高速工作,且可在更高溫條件下工作。接下來將針對SiC的開發背景和具體優點進行介紹。
2023-02-22 09:15:30926 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:271710 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08920 
MOSFET和IGBT等功率半導體作為開關元件已被廣泛應用于各種電源應用和電力線路中。其中，SiC MOSFET在近年來的應用速度與日俱增，它的工作速度非常快，以至于開關時的電壓和電流的變化已經無法
2023-02-28 11:36:501615 
紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:163129 本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:022133 紹的需要準確測量柵極和源極之間產生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測量柵極和源極之間的電壓時需要注意的事項。我們將以SiC MOSFET為例進行講解，其實所講解的內容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 SiC（碳化硅）功率元器件領域的先進企業ROHM Co., Ltd. （以下簡稱“羅姆”）于2023年6月19日與全球先進驅動技術和電動化解決方案大型制造商緯湃科技（以下簡稱“Vitesco”）簽署
2023-06-20 16:14:54581 范圍內控制必要的p型、n型，所以被認為是一種超越Si極限的功率器件材料。SiC中存在各種多型體（結晶多系），它們的物性值也各不相同。用于功率器件制作，4H-SiC最為
2023-08-21 17:14:583239 
碳化硅（SiC）功率元器件是一種半導體器件，具有許多獨特的特性，使其在高性能電力電子應用中具有優勢。以下是SiC功率元器件的一些主要特征： 碳化硅（SiC）的絕緣擊穿場強大約是硅（Si）的10倍
2024-02-04 16:25:441486 采用多芯片并聯的SiC功率模塊，會產生較嚴重的電磁干擾和額外損耗，無法發揮SiC器件的優良性能；SiC功率模塊雜散參數較大，可靠性不高。 （2）SiC功率高溫封裝技術發展滯后。
2024-03-04 10:35:493693 
中產生選擇性摻雜的主要方法。將其用于寬帶隙器件處理時存在一些挑戰。在本文中，我們將重點介紹其中的一些，同時總結它們在GaN功率器件中的一些潛在應用。01有幾個因素決
2024-04-29 11:49:532875 
針對雷擊浪涌，可采用的檢測元器件多種多樣，這些元器件在電子設備防雷保護中扮演著關鍵角色。以下是對幾種主要元器件的介紹： 1. 氣體放電管（GDT） 定義與特性 ： 氣體放電管是一種用于防雷擊的高性能
2024-10-06 16:31:001118 SiC（碳化硅）功率器件是一種基于碳化硅材料制造的功率半導體器件，它是繼硅（Si）和氮化鎵（GaN）之后的第三代半導體材料的重要應用之一。SiC以其優異的物理和化學特性，如高絕緣擊穿場強度、寬禁帶、高熱導率等，在電力電子領域展現出巨大的潛力和廣泛的應用前景。
2024-09-10 15:15:586012 汽車和清潔能源領域的制造商需要更高效的功率器件，能夠適應更高的電壓，擁有更快的開關速度，并且比傳統硅基功率器件提供更低的損耗，而溝槽結構的 SiC 功率器件可以實現這一點。
2024-10-16 11:36:311248 
SiC(碳化硅)功率器件正逐漸成為現代電力電子系統中的重要技術，其相較于傳統的硅(Si)器件，特別是在高功率、高效率和高頻率應用中的優勢日益顯現。Wolfspeed 等公司推出的 SiC 功率模塊
2024-12-05 15:07:402037 
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