肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2022-09-02 16:51:02
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肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2023-02-21 14:39:142943 
在額定電壓相同的情況下，SiC二極管占用的空間比Si更小。
2023-07-26 10:40:461059 肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2023-07-27 10:27:084232 
雖說二極管是最簡單基本的元件之一，但在日常生活中的應用非常廣泛。幾乎每個電路中都會用到二極管。二極管可以用于小信號數字邏輯以及高壓電源轉換電路的任何領域。今天給大家介紹二極管比較常見的應用。推薦閱讀
2023-10-20 08:21:3211773 
、柔性輸電等新能源領域中應用的不斷擴展，現代社會對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環境時仍具有更優越的開關性能以及更小的結溫和結溫波動。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過200V的工作電壓場合，普通的PIN二極管占主導地位。 源于硅基的肖特基二極管，近年來開發出來新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
，已實施了評估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗相同的試驗中，確保了充分的可靠性。另外，關于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優異的高速性還同時實現了高
2018-11-29 14:35:50
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實際產品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
如此。我想以二極管為例詳細進行說明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動的機理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢壘二極管，因此金屬與n型半導體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
VF特征的肖特基勢壘二極管，下面將分別予以說明。雖然作了上述分類，但原則上，Si二極管均屬由陽極和陰極構成的元器件，表示其本質功能和特性的項目基本相同。那么“究竟有什么區別呢？”，答案就是“根據
2018-12-03 14:30:32
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
湊的系統），內部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說25A電流，還是應該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復二極管嗎？那將是什么缺點。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開始進入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
封裝產品正在開發中）使用SiC SBD可顯著減少開通損耗，并大大降低應用產品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低損耗SiC SBD作為IGBT續流二極管的IGBT產品。 與使用Si快速恢復
2022-07-27 10:27:04
與Si的比較開發背景SiC的優點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構成開關損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復二極管）的trr比較。恢復的時間trr很短，二極管關斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
電場而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類型。與Si-IGBT功率模塊相比，開關損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
二極管和超快恢復二極管、快速恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開關二極管的性能比較。由表可見，硅高速開關二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。4、SiC高壓SBD 由于Si
2016-11-14 20:01:52
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護二極管，主要應用于板級保護；TVS二極管用于初級和次級
2020-12-24 14:55:58
Toshiba研發出一種SiC金屬氧化物半導體場效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
`海飛樂技術目前產品范圍包括有：快恢復二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品，并探討SiC-SBD的優勢。ROHM的SiC-SBD已經發展到第3代。第3代產品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
二極管。現有肖特基二極管大多數是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來，出現了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特點是：正向壓降PN結二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3
2021-01-13 16:36:44
，這個接觸面稱為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡稱為肖特基二極管。現有肖特基二極管大多數是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來，出現了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管優點：肖特基二極管具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開關電源（SMPS）和功率因數校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 縮寫成SBD）的簡稱。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即為肖特基整流二極管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管
2021-06-30 17:04:44
1.成本 目前肖特基二極管廣泛應用的最大障礙還是成本。可以說，如果肖特基二極管的成本能夠降到接近于硅器件的水平,那么很多問題就能迎刃而解，而不會是今天這個局面。目前最典型的Sic肖特基=_極管產品
2018-11-14 14:54:30
、放電時間，完全不同于PN結二極管的反向恢復時間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開關速度非常快，開關損耗也特別小，尤其適合于高頻應用。 具有開關頻率高和正向壓降低等優點，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。`
2018-10-25 14:48:50
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關特征和應用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產生
2018-12-03 14:31:01
二極管的類型 二極管種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）。根據其不同用途，可分為檢波二極管、整流二極
2009-11-12 10:10:193842 二極管,二極管是什么意思
目錄
1 二極管的基本結構
2010-02-26 12:03:3812003 二極管的種類有很多，按照所用的半導體材料，可分為鍺二極管（Ge管）和硅二極管（Si管）；按照管芯結構，又可分為點接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。
2017-11-25 10:37:4854101 
肖特基（Schottky）二極管，又稱肖特基勢壘二極管（簡稱 SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著的特點為反向恢復時間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻
2018-01-21 11:01:5725064 肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2018-01-21 11:31:0352219 穩壓二極管，英文名稱Zener diode，又叫齊納二極管。利用pn結反向擊穿狀態，其電流可在很大范圍內變化而電壓基本不變的現象.肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。
2018-01-23 15:33:3431645 針對電流型逆變器橋臂并聯擴容時開關損耗較大的問題，對SiC肖特基二極管和Si快恢復二極管的正反向恢復特性、MOS-FET并聯均流特性以及容性狀態下電流型逆變器工作過程進行了研究。提出了在電流型逆變器
2018-03-05 15:36:48
1 快速恢復二極管（FRD）雖是PN結二極管，但卻是trr得以大幅改善的高速二極管。此時，SBD的耐壓（反向電流VR）在200V以下，但FRD能達到800V高耐壓。但是，一般而言，其VF比通用型高
2019-01-24 09:55:3710829 
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2019-01-30 10:05:3413187 
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士命名的，SBD是肖特基勢壘二極管。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬——半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬——半導體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
2019-07-24 11:48:1517581 
本文主要介紹了普通硅二極管和肖特基二極管的相同和區別以及快恢復二極管和肖特基二極管的區別，并附上了普通硅二極管，肖特基二極管和快恢復二極管的圖片。
2019-08-09 15:24:309141 SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成PN結原理制作的，而是利用金屬與半導體接觸形成的金屬-半導體結原理制作的。因此，SBD也稱為金屬-半導體(接觸)二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。
2020-07-01 15:52:446333 
二極管的種類有很多，有發光二極管、穩壓二極管、貼片二極管、變容二極管等等，今天我們來講一講什么是穩壓二極管，以及穩壓二極管的作用。
2021-01-01 16:49:0041974 SiC 器件取代服務器、電機、EV 中的 Si MOSFET 和二極管
2023-01-05 09:43:431293 肖特基二極管是以其發明人肖特基博士(Schottky)命名的，SBD是肖特基勢壘二極管(SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD)的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2023-01-31 09:43:115030 1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速
2023-02-07 16:46:271444 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。
2023-02-08 13:43:171454 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:171166 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:181295 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:181134 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:182264 
Si二極管大致上可分為整流二極管、齊納二極管、高頻二極管。其中，以整流為主要目的的二極管又可細分為：一般通用整流用，以開關為前提的高速整流用，用于超高速整流的快速恢復型，還有同樣具有高速性和低VF特征的肖特基勢壘二極管，下面將分別予以說明。
2023-02-09 10:19:221800 
在這里，將整流二極管分為以下4類：通用整流用、通用開關用、肖特基勢壘二極管、快速恢復二極管4種類型，特征匯總于下表。
2023-02-09 10:19:231827 
再次談及Si二極管，將說明肖特基勢壘二極管（以下簡稱為SBD）的相關特征和應用。 Si-SBD的特征：如前文所述，Si-SBD并非PN結，而是利用硅稱之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產生的肖特基勢壘。
2023-02-09 10:19:231415 
最后一篇談及Si二極管。本篇將說明快速恢復二極管（以下簡稱為FRD）的特征、改善特性及其相關應用。Si-FRD的特征：Si-FRD是PN結二極管，具有高速性特征，Trr極快。與此相反，就一般特征而言是VF高。
2023-02-09 10:19:233370 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07797 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:071642 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:082522 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:071187 
ROHM推出了SiC肖特基勢壘二極管（以下SiC SBD）的第三代產品“SCS3系列”。SCS3系列是進一步改善了第二代SiC SBD實現的當時業界最小正向電壓，并大幅提高了抗浪涌電流性能的產品。
2023-02-16 09:55:061350 
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫成SBD）的簡稱。
2023-02-16 14:41:132774 什么是 TVS 二極管以及如何選擇合適的二極管？-白皮書_TVS_二極管...
2023-02-20 19:19:056 面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07986 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59462 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:451219 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:111245 
肖特基二極管是以其發明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫成SBD）的簡稱。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2022-01-06 09:13:415184 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
2023-01-04 10:02:073634 
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:301207 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的金屬差異
2023-12-13 14:40:481636 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性
2023-12-13 14:42:082109 
【科普小貼士】什么是肖特基勢壘二極管（SBD）？
2023-12-13 14:43:083225 
的特點。SiC是一種寬禁帶半導體材料，具有優異的熱導性、較高的電擊穿電場強度和較高的電子飽和漂移速度。相比于傳統的硅（Si）材料，SiC具有更好的高溫特性、更低的導通損耗和更高的開關頻率。因此，使用SiC材料制造的三極管和二極管在高溫、高電壓和高頻率
2023-12-21 11:31:241735 Si二極管，即硅二極管，是利用硅半導體材料制成的二極管，廣泛應用于各種電子設備中。根據不同的功能和用途，Si二極管可以分為以下幾類： 整流二極管主要用于將交流電（AC）轉換為直流電（DC）。 這類
2024-02-23 11:01:131412 
。以下是幾種常見整流二極管的特征比較： 通用整流用 二極管基本作用是將交流電轉換為直流電。橋式二極管是一種由多個整流用二極管組成的復合器件。此外，它們還可用于防止電源或電池反接時的過電流保護。正向電壓VF因工作電流而異
2024-02-23 11:19:301635 
肖特基勢壘二極管（SBD）是一種基于金屬-半導體接觸的二極管，而非傳統的PN結。這種特殊的結構賦予了SBD獨特的電氣特性，使其在高頻和高效率的電子電路中具有重要的應用。 Si-SBD（硅
2024-02-23 11:30:381667 傳統的硅（Si）基器件，具有更高的熱導率、更高的臨界擊穿電場以及更高的電子飽和漂移速度，這些特性使得SiC二極管在電力電子領域展現出卓越的性能和廣泛的應用前景。
2024-09-10 14:55:023943 SiC二極管，即碳化硅二極管，作為第三代半導體材料的重要應用之一，其工作原理和結構在電力電子領域具有獨特的重要性。以下將詳細闡述SiC二極管的工作原理和結構，同時結合其技術特性和應用場景進行深入分析。
2024-09-10 15:09:393508 PiN二極管（P-I-N Diode）和SiC二極管（Silicon Carbide Diode）在多個方面存在顯著差異，這些差異主要體現在材料特性、工作性能、應用場景以及發展趨勢等方面。以下是對兩者區別的詳細分析。
2024-09-10 15:40:481592 使用反向并聯的肖特基勢壘二極管(SBD)可以提高碳化硅MOSFET在電力轉換應用中的性能和可靠性。本文將展示兩家SiC器件制造商在集成SBD與MOSFET為單芯片解決方案方面所取得的進展。SiC
2025-03-20 11:16:591047 
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