碳化硅（SiC）功率器件已經被廣泛應用于服務器電源、儲能系統和光伏逆變器等領域。近些年來，汽車行業向電力驅動的轉變推動了碳化硅（SiC）應用的增長， 也使設計工程師更加關注該技術的優勢，并拓寬其應用領域。
2024-01-02 10:01:06
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本白皮書重點介紹 Wolfspeed 專為高功率電子應用而設計的第 4 代碳化硅 (SiC) MOSFET 技術。基于在碳化硅創新領域的傳承，Wolfspeed 定期推出尖端技術解決方案，重新
2025-02-19 11:35:411716 
PN結器件優越的指標是正向導通電壓低，具有低的導通損耗。 但硅肖特基二極管也有兩個缺點，一是反向耐壓VR較低，一般只有100V左右;二是反向漏電流IR較大。 二、碳化硅半導體材料和用它制成的功率
2019-01-11 13:42:03
碳化硅MOSFET開關頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39
本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實驗(SCT)表現。具體而言，該實驗的重點是在不同條件下進行專門的實驗室測量，并借助一個穩健的有限元法物理模型來證實和比較測量值，對短路行為的動態變化進行深度評估。
2019-08-02 08:44:07
更新換代，SiC并不例外 新一代半導體開關技術出現得越來越快。下一代寬帶隙技術仍處于初級階段，有望進一步改善許多應用領域的效率、尺寸和成本。雖然，隨著碳化硅技術的進步，未來還將面臨挑戰，例如，晶圓
2023-02-27 14:28:47
應用領域。更多規格參數及封裝產品請咨詢我司人員！附件是海飛樂技術碳化硅二極管選型表，歡迎大家選購！碳化硅（SiC）半導體材料是自第一代元素半導體材料（Si、Ge）和第二代化合物半導體材料（GaAs
2019-10-24 14:21:23
由于碳化硅具有不可比擬的優良性能，碳化硅是寬禁帶半導體材料的一種，主要特點是高熱導率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強等，因此被應用于各種半導體材料當中，碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關管
2020-06-28 17:30:27
碳化硅圓盤壓敏電阻 |碳化硅棒和管壓敏電阻 | MOV / 氧化鋅 （ZnO） 壓敏電阻 |帶引線的碳化硅壓敏電阻 | 硅金屬陶瓷復合電阻器 |ZnO 塊壓敏電阻 關于EAK碳化硅壓敏電阻我們
2024-03-08 08:37:49
進一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13
今天我們來聊聊碳化硅器件的特點
2021-03-16 08:00:04
精細化，集成化方向發展。 在新技術驅動下，汽車電子行業迎來新一輪技術革命，行業整體升級。在汽車大量電子化的帶動之下，車用電路板也會向上成長。車用電路板穩定訂單和高毛利率的特點吸引諸多碳化硅基板從業者
2020-12-16 11:31:13
通碳化硅（SiC）陶瓷基板完全符合新能源汽車要求。碳化硅（SiC）陶基板小型化的特點可大幅削減新能源汽車的電力損失，使其在各種惡劣的環境下仍能正常工作。碳化硅基板除了在新能源汽車節能中占有重要地位外，在
2021-01-12 11:48:45
。 碳化硅近幾年的快速發展 近幾年來，低碳生活也是隨之而來，隨著太陽能產業的發展，作為光伏產業用的材料，碳化硅的銷售市場也是十分火爆，許多磨料磨具業內人開始關注起碳化硅這個行業了。目前碳化硅制備技術非常
2019-07-04 04:20:22
的化學惰性? 高導熱率? 低熱膨脹這些高強度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應用，如汽車制動器和離合器，以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于在高溫和/或高壓環境中工作的半導體電子設備，如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52
碳化硅作為現在比較好的材料，為什么應用的領域會受到部分限制呢？
2021-08-19 17:39:39
明顯優勢，可以用來做成高耐壓的肖特基二極管，目前650V-1700V碳化硅肖特基二極管在消費、工業、汽車、軍工等領域有廣泛應用。 03 碳化硅肖特基二極管結構簡析 肖特基二極管：以金屬為陽極，以N
2023-02-28 16:55:45
碳化硅作為一種寬禁帶半導體材料，比傳統的硅基器件具有更優越的性能。碳化硅的寬禁帶（3.26eV）、高臨界場（3×106V/cm）和高導熱系數（49W/mK）使功率半導體器件效率更高，運行速度更快
2023-02-28 16:34:16
二十世紀五十年代后半期，才被納入到固體器件的研究中來。二十世紀九十年代，碳化硅技術才真正意義上得到了迅速發展。SiC材料與目前應該廣泛的Si材料相比，較高的熱導率決定了其高電流密度的特性，較高的禁帶寬
2021-03-25 14:09:37
A/D轉換器的主要技術指標有哪些？選用A/D轉換器需要考慮什么因素？
2021-04-20 06:50:54
A/D采集芯片1543的技術指標和D/A輸出芯片5620的技術指標是什么？？求知道。。。
2012-06-11 18:43:59
哪位大神知道CISSOID碳化硅驅動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32
FMC128的技術指標有哪些？
2021-10-08 08:10:38
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
項目名稱：基于碳化硅功率器件的永磁同步電機先進驅動技術研究試用計劃：申請理由：碳化硅作為最典型的寬禁帶半導體材料，近年來被越來越廣泛地用于高頻高溫的工作場合。為了提高永磁同步電機伺服控制系統的性能
2020-04-21 16:04:04
什么是碳化硅（SiC）？它有哪些用途？碳化硅（SiC）的結構是如何構成的？
2021-06-18 08:32:43
隨著電力電子技術的不斷進步，碳化硅MOSFET因其高效的開關特性和低導通損耗而備受青睞，成為高功率、高頻應用中的首選。作為碳化硅MOSFET器件的重要組成部分，柵極氧化層對器件的整體性能和使用壽命
2025-01-04 12:37:34
應用領域，SiC和GaN形成競爭。隨著碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等新材料陸續應用在二極管、場效晶體管(MOSFET)等組件上，電力電子產業的技術大革命已揭開序幕。這些新組件雖然在成本上仍比傳統硅
2021-09-23 15:02:11
電機驅動。碳化硅器件和碳化硅模組可用于太陽能發電、風力發電、電焊機、電力機車、遠距離輸電、服務器、家電、電動汽車、充電樁等用途。創能動力于2015年在國內開發出6英寸SiC制造技術，2017年推出基于6
2023-02-22 15:27:51
本文重點介紹賽米控碳化硅在功率模塊中的性能，特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無基板模塊。 分立器件（如 TO-247）是將碳化硅集成到各種應用中的第一步，但對于更強大和更
2023-02-20 16:29:54
本帖最后由 ewaysqian 于 2025-2-12 10:22 編輯
國產碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術：
1 車載電源OBC與最新發展
2 雙向OBC關鍵技術
3 11kW全
2022-06-20 16:31:07
的混合碳化硅分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）將新型場截止IGBT技術和碳化硅肖特基二極管技術相結合，為硬開關拓撲打造了一個兼顧品質和性價比的完美方案。 該器件將傳統
2023-02-28 16:48:24
技術需求的雙重作用，導致了對于可用于構建更高效和更緊湊電源解決方案的半導體產品擁有巨大的需求。這個需求寬帶隙（WBG）技術器件應運而生，如碳化硅場效應管（SiC MOSFET） 。它們能夠提供設計人
2023-03-14 14:05:02
用碳化硅MOSFET設計一個雙向降壓-升壓轉換器
2021-02-22 07:32:40
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
摘要： 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件，具有耐高壓、高溫，導通電阻低，開關速度快等優點。如何充分發揮碳化硅器件的這些優勢性能則給封裝技術帶來了新的挑戰
2023-02-22 16:06:08
新型材料鋁碳化硅解決了封裝中的散熱問題，解決各行業遇到的各種芯片散熱問題，如果你有類似的困惑，歡迎前來探討，鋁碳化硅做封裝材料的優勢它有高導熱，高剛度，高耐磨，低膨脹，低密度，低成本，適合各種產品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流，謝謝各位！
2016-10-19 10:45:41
硅IGBT與碳化硅MOSFET驅動兩者電氣參數特性差別較大，碳化硅MOSFET對于驅動的要求也不同于傳統硅器件，主要體現在GS開通電壓、GS關斷電壓、短路保護、信號延遲和抗干擾幾個方面，具體如下
2023-02-27 16:03:36
面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅在電動汽車應用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優的性能，特別是在800 V 電池系統和大電池容量中，它可提高逆變器的效率，從而延長續航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16
公司等為代表。四、碳化硅半導體應用碳化硅半導體器件，其高頻、高效、高溫的特性特別適合對效率或溫度要求嚴苛的應用。可廣泛應用于太陽能逆變器、車載電源、新能源汽車電機控制器、UPS、充電樁、功率電源等領域。原作者：大年君愛好電子
2023-02-20 15:15:50
最近需要用到干法刻蝕技術去刻蝕碳化硅，采用的是ICP系列設備，刻蝕氣體使用的是SF6+O2，碳化硅上面沒有做任何掩膜，就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50
視頻展臺技術指標有哪些?
一般展臺有如下技術規格
2010-02-06 11:06:42885 什么是等離子電視/主要技術指標有哪些
說到電視，就不能不提等離子電視，什么是等離子電視呢?記者采訪了松下電視的專業人員。
2010-02-09 12:30:31919 前言 碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2021-08-16 10:46:406521 keysight頻譜儀的主要技術指標有頻率范圍、分辨率、分析譜寬、分析時間、掃頻速度、靈敏度、顯示方式和假響應。
2022-12-30 11:20:192833 前言：碳化硅產業鏈包含碳化硅粉末、碳化硅晶錠、碳化硅襯底、碳化硅外延、碳化硅晶圓、碳化硅芯片和碳化硅器件封裝環節。其中襯底、外延片、晶圓、器件封測是碳化硅價值鏈中最為關鍵的四個環節，襯底成本占到
2023-01-05 11:23:192135 、B等非氧化物高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25，顯微硬度為2840～3320kg/mm。 碳化硅也可以通過使
2023-02-02 14:50:023904 汽車碳化硅技術原理圖 相比硅基功率半導體，碳化硅功率半導體在開關頻率、損耗、散熱、小型化等方面存在優勢，隨著特斯拉大規模量產碳化硅逆變器之后，更多的企業也開始落地碳化硅產品。 功率半導體碳化硅
2023-02-02 15:10:001067 以碳化硅（SiC）為代表的第三代半導體材料的發展開始受到重視，并在多個領域得到廣泛的應用，并且展現出了良好的發展前景。
2023-02-02 17:14:186198 
特斯拉碳化硅技術怎么樣？特斯拉碳化硅技術成熟嗎？ 大家都知道碳化硅具有高功率、耐高壓、耐高溫等優點，碳化硅技術能夠幫助電動汽車實現快速充電，增加續航；這個特性使得眾多的車企把目光投注過來。 我們
2023-02-02 17:39:093880 碳化硅技術壁壘分析：碳化硅技術壁壘是什么 碳化硅技術壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個新風口，也是一個很大的挑戰，那么我們來碳化硅技術壁壘分析下碳化硅技術壁壘是什么？碳化硅技術壁壘有哪些？ 1
2023-02-03 15:25:165686 
高技術耐火原料中，碳化硅為應用最廣泛、最經濟的一種，可以稱為金鋼砂或耐火砂。中國工業生產的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種，均為六方晶體，比重為3.20～3.25。
2023-02-03 16:11:355708 電機碳化硅是一種由碳和硅組成的復合材料，具有優異的電學性能、良好的熱穩定性、良好的耐腐蝕性和絕緣性，可以用于電機的絕緣層、熱管理、電學性能和耐腐蝕性等方面，從而提高電機的效率、穩定性和使用壽命。
2023-02-14 17:39:111954 功率半導體碳化硅（SiC）技術 Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅（SiC）技術的需求繼續增長，這種技術可以最大限度地提高當今電力系統的效率
2023-02-15 16:03:44
10 汽車碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制造出的汽車零部件，它具有較高的強度、輕量、耐磨性和耐腐蝕性。碳化硅材料是由碳原子和硅原子組成的復合材料，具有良好的機械性能和耐熱性。碳化硅技術的原理是，將碳原子和硅原子結合在一起，形成一種新的復合材料，具有良好的機械性能和耐熱性。
2023-02-15 14:21:062590 電機碳化硅技術是一種利用碳化硅材料制作電機的技術，它是利用碳化硅材料的特性，如高熱導率、高電阻率、低摩擦系數等，來提高電機的效率、耐久性和可靠性，從而降低電機的成本。
2023-02-16 17:54:007613 汽車碳化硅模塊是一種用于汽車電力傳動系統的電子器件，由多個碳化硅芯片、散熱器、絕緣材料和連接件等組成。碳化硅芯片作為模塊的核心部件，采用現代半導體技術制造而成，可以實現高功率、高效率、高頻率的控制和開關，適用于電動車的逆變器、充電器、DC-DC轉換器等多種應用。
2023-02-25 15:03:224048 MOSFET相比傳統的硅MOSFET具有更高的電子遷移率、更高的耐壓、更低的導通電阻、更高的開關頻率和更高的工作溫度等優點。因此，碳化硅MOSFET可以被廣泛應用于能源轉換、交流/直流電源轉換、汽車和航空航天等領域。
2023-06-02 15:33:152612 6.3.5.3界面氮化6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.2氧化
2022-01-17 09:18:161374 
6.3.7遷移率限制因素6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:37:001561 6.3.5.1界面態分布6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.8其他
2022-01-12 10:00:291696 6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.5界面的不穩定性∈《碳化硅技術
2022-01-21 09:35:561588 6.2.3濕法腐蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.2高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.2.1反應性離子
2022-01-04 16:34:331227 6.5總結第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.4.2.2n型SiC
2022-01-27 09:16:442025 6.3.5.4其他方法6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.3界面
2022-01-18 09:28:241378 6.3.1氧化速率6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.3濕法腐蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:23:451361 6.3.5.2氧化后退火6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.1界面
2022-01-13 11:21:291442 6.3.2氧化硅的介電性能6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.1氧化速率∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-04 14:11:561715 6.1.4半絕緣區域的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.3p型區的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2022-01-06 09:23:251152 6.1.1.1基本原理6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.7遷移率限制因素∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-24 14:08:511689 6.1.2n型區的離子注入6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.1選擇性摻雜技術∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》第６章
2022-01-06 09:17:331569 6.3.3熱氧化氧化硅的結構和物理特性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.2氧化硅的介電性能∈《碳化硅技術基本原理
2022-01-04 14:10:561468 6.3.4.1SiC特有的基本現象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.3熱氧化氧化硅
2022-01-05 13:59:371219 6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術
2022-01-24 10:09:122491 6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 14:25:521329 6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
2021-12-31 10:57:221931 6.3.4.8其他方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.7電導法∈《碳化硅
2022-01-11 17:26:051219 6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
2022-01-25 09:18:081668 6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.1反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.6
2021-12-31 10:31:171681 6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.1SiC
2022-01-07 14:24:251164 5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.2載流子壽命“殺手
2022-01-06 09:38:251176 5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
2022-01-06 09:25:551433 碳化硅是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一，其能使系統效率更高，質量更輕，結構更緊湊。如今，碳化硅技術已經進入以空調為代表的家電應用場景來助力產品升級。那么，碳化硅是如何成就家電產品的?其應用于家電行業的前景如何呢?
2023-09-18 10:20:121124 2024年以來，包括廣汽集團等4家企業均推出了基于碳化硅技術的汽車充電方案，意味著碳化硅有望在充電基礎設施領域實現大規模應用
2024-01-29 16:53:254054 
隨著現代電子技術的飛速發展，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，以其優異的物理和化學性能，在功率電子器件領域展現出巨大的應用潛力。碳化硅芯片的設計和制造是實現其廣泛應用的關鍵環節，本文將對碳化硅芯片的設計和制造過程進行詳細的探討。
2024-03-27 09:23:402169 
多晶碳化硅和非晶碳化硅在薄膜沉積方面各具特色。多晶碳化硅以其廣泛的襯底適應性、制造優勢和多樣的沉積技術而著稱;而非晶碳化硅則以其極低的沉積溫度、良好的化學與機械性能以及廣泛的應用前景而受到關注。
2025-02-05 13:49:121953 
碳化硅 (SiC) 技術并非憑空而來，它是建立在數十年的創新基礎之上。近四十年來，Wolfspeed 始終致力于碳化硅 (SiC) 技術和產品的創新并不斷強化基礎專利。僅在過去的五年中，我們
2025-09-22 09:31:47654 一、引言
碳化硅（SiC）作為寬禁帶半導體材料的代表，在功率器件、射頻器件等領域發揮著關鍵作用。總厚度偏差（TTV）是衡量碳化硅襯底及外延片質量的重要指標，其精確測量對保障碳化硅器件性能至關重要
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