閾值電壓 (Vth) 是 MOSFET (金屬氧化物半導(dǎo)體) 的一種基本的電學(xué)參數(shù)。閾值電壓 (Vth) 為施加到柵極的最小電壓，以建立MOSFET漏極和源極端子之間的導(dǎo)電溝道。有幾種方法可以確定
2025-11-08 09:32:38
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MOS管有三個(gè)引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個(gè)腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過(guò)改變引腳的電平，我們可以直接控制這個(gè)MOS管的開(kāi)與關(guān)。漏極D和源極S這兩個(gè)引腳，就相當(dāng)于，開(kāi)關(guān)電路的兩頭，一個(gè)腳連接電源，一個(gè)腳，連接電路的地。
2023-02-27 17:41:2917586 
根據(jù)提問(wèn)者的意思，N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？為什么？
2023-05-09 09:06:065623 
針對(duì)SiC MOSFET模塊應(yīng)用過(guò)程中出現(xiàn)的串?dāng)_問(wèn)題，文章首先對(duì)3種測(cè)量差分探頭的參數(shù)和測(cè) 量波形進(jìn)行對(duì)比，有效減小測(cè)量誤差；然后詳細(xì)分析串?dāng)_引起模塊柵源極出現(xiàn)電壓正向抬升和負(fù)向峰值過(guò)大 的原因
2023-06-05 10:14:218498 
必須在基極和發(fā)射極之間施加電流，以在集電極中產(chǎn)生電流。圖1.2示出了MOSFET，當(dāng)在柵極和源極端子之間施加電壓時(shí)在漏極中產(chǎn)生電流。
2024-04-22 15:07:425675 
MOSFET柵極與源極之間加一個(gè)電阻?這個(gè)電阻有什么作用?
2024-12-26 14:01:056179 
（1）Vth是指當(dāng)源極與漏極之間有指定電流時(shí)，柵極使用的電壓；
（2）Vth具有負(fù)溫度系數(shù)，選擇參數(shù)時(shí)需要考慮。
（3）不同電子系統(tǒng)選取MOSFET管的閾值電壓Vth并不相同，需要根據(jù)系統(tǒng)的驅(qū)動(dòng)
2025-12-16 06:02:32
MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓是為使MOSFET導(dǎo)通，柵極與源極間必需的電壓。也就是說(shuō)，VGS如果是閾值以上的電壓，則MOSFET導(dǎo)通。可能有
2019-05-02 09:41:04
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開(kāi)始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
Si-MOSFET大得多。而在給柵極-源極間施加18V電壓、SiC-MOSFET導(dǎo)通的條件下，電阻更小的通道部分（而非體二極管部分）流過(guò)的電流占支配低位。為方便從結(jié)構(gòu)角度理解各種狀態(tài)，下面還給出了MOSFET的截面圖
2018-11-27 16:40:24
SiC-MOSFET的構(gòu)成中，SiC-MOSFET切換（開(kāi)關(guān)）時(shí)高邊SiC-MOSFET的柵極電壓產(chǎn)生振鈴，低邊SiC-MOSFET的柵極電壓升高，SiC-MOSFET誤動(dòng)作的現(xiàn)象。通過(guò)下面的波形圖可以很容易了解這是
2018-11-30 11:31:17
突發(fā)的巨大能量，以保護(hù)連接設(shè)備免于受損。最常見(jiàn)的就是電子產(chǎn)品使用過(guò)程中會(huì)遇到的電壓瞬變和浪涌，從而導(dǎo)致電子產(chǎn)品的損壞，損壞的原因是電子產(chǎn)品中的半導(dǎo)體器件(包括二極管、晶體管、可控硅和集成電路等)被燒毀或擊穿。本文闡述下關(guān)于抑制浪涌的那些解決辦法~
2020-10-22 18:37:10
柵極與源極之間加一個(gè)電阻，這個(gè)電阻起到什么作用？一是為場(chǎng)效應(yīng)管提供偏置電壓；二是起到瀉放電阻的作用：保護(hù)柵極G-源極S；
2019-05-23 07:29:18
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2021-01-27 07:59:24
摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2021-07-09 07:00:00
什么是浪涌電流？浪涌電壓是怎樣產(chǎn)生的？
2021-09-29 07:30:33
普通N MOS管給柵極一個(gè)高電壓 ，漏極一個(gè)低電壓，漏源極就能導(dǎo)通。這個(gè)GS之間加了背靠背的穩(wěn)壓管，給柵極一個(gè)4-10V的電壓，漏源極不能導(dǎo)通。是不是要大于柵源擊穿電壓VGSO（30v）才可以？
2019-06-21 13:30:46
應(yīng)用角度來(lái)看，驅(qū)動(dòng)回路和功率回路共用了源極的管腳。MOSFET是一個(gè)電壓型控制的開(kāi)關(guān)器件，其開(kāi)通關(guān)斷行為由施加在柵極和源極之間的電壓（通常稱(chēng)之為VGS）來(lái)決定。 從圖1模型來(lái)看，有幾個(gè)參數(shù)是我們需要
2023-02-27 16:14:19
器件的柵極、源極，LD為漏極的封裝電感，LS為源極的封裝電感，LG為柵極的封裝電感，RG為內(nèi)部的柵極電阻總和。 圖1：功率MOSFET的寄生參數(shù)模型 電感中流過(guò)變化的電流時(shí)，其產(chǎn)生的感應(yīng)電
2020-12-08 15:35:56
線性浪涌抑制器LT4363。圖7 LT4363的電路架構(gòu)LT4363簡(jiǎn)介它能通過(guò)控制一個(gè)外部N溝道MOSFET的柵極，以在過(guò)壓過(guò)程中（比如：汽車(chē)應(yīng)用中的負(fù)載突降情況）調(diào)節(jié)輸出電壓。輸出被限制在一個(gè)安全
2022-04-02 10:33:47
電壓。將這些式子結(jié)合起來(lái)，可得到MOSFET柵極驅(qū)動(dòng)電壓是漏源電壓的函數(shù)：VGS=-(R2/R1)VDS二極管規(guī)格書(shū)下載：
2021-04-08 11:37:38
的最大額定值。②是在柵極-源極間增加外置電容器，降低阻抗，抑制柵極電位升高的方法。這里需要注意的是CGS也會(huì)造成損耗，因而需要適當(dāng)?shù)碾娙荨＂凼窃?b class="flag-6" style="color: red">柵極-源極間增加米勒鉗位用MOSFET的方法。通過(guò)在
2018-11-27 16:41:26
和漏極電荷Qgs：柵極和源極電荷柵極電荷測(cè)試的原理圖和相關(guān)波形見(jiàn)圖1所示。在測(cè)量電路中，柵極使用恒流源驅(qū)動(dòng)，也就是使用恒流源IG給測(cè)試器件的柵極充電，漏極電流ID由外部電路提供，VDS設(shè)定為最大
2017-01-13 15:14:07
功率MOSFET的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)為什么要在柵極和源極之間并聯(lián)一個(gè)電阻呢？
2021-03-10 06:19:21
極驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)勢(shì)和期望，開(kāi)發(fā)了一種測(cè)試板，其中測(cè)試了分立式IGBT和SiC-MOSFET。標(biāo)準(zhǔn)電壓源驅(qū)動(dòng)器也在另一塊板上實(shí)現(xiàn)，見(jiàn)圖3。 圖3.帶電壓源驅(qū)動(dòng)器（頂部）和電流源驅(qū)動(dòng)器（底部）的半橋
2023-02-21 16:36:47
！它在高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器源連接（R57、R58 和 R59）中也有 4R7 電阻，我不明白為什么需要這些。是否有任何設(shè)計(jì)指南可以告訴我如何定義柵極電阻器、自舉電容器以及為什么高側(cè)柵極驅(qū)動(dòng)器可能需要對(duì) MOSFET 源極施加一些電阻？
2023-04-19 06:36:06
。瞬間出現(xiàn)浪涌電流 插入總線輸入接地線上的 MOSFET (T) 的漏源極不導(dǎo)通。
通過(guò)兩個(gè)電阻、一個(gè)電容和一個(gè)齊納二極管組成的延遲電路，MOSFET(T)的柵極被上電。
MOSFET(T)的漏源逐漸導(dǎo)
2024-12-05 14:34:57
部分及其評(píng)估而進(jìn)行調(diào)整，是以非常高的速度進(jìn)行高電壓和大電流切換的關(guān)鍵。尤其在電路設(shè)計(jì)的初步評(píng)估階段，使用評(píng)估板等工具可使開(kāi)發(fā)工作順利進(jìn)行。關(guān)鍵要點(diǎn):?使用專(zhuān)用柵極驅(qū)動(dòng)器和緩沖模塊，可顯著抑制浪涌和振鈴。?在損耗方面，Eon增加，Eoff減少。按總損耗（Eon + Eoff）來(lái)比較，當(dāng)前損耗減少。
2018-11-27 16:36:43
產(chǎn)品描述:(替代LTC4364)PC2464浪涌抑制器具有理想二極管控制器，可保護(hù)負(fù)載避免高壓瞬變的損壞。通過(guò)控制一個(gè)外部N溝道MOSFET傳輸器件兩端的電壓降，該器件可在過(guò)壓過(guò)程中限制和調(diào)節(jié)輸出
2025-07-09 14:42:30
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。找元器件現(xiàn)貨上唯樣商城在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般
2022-09-20 08:00:00
MOSFET中的開(kāi)關(guān)損耗為0.6 mJ。這大約是IGBT測(cè)量的2.5 mJ的四分之一。在每種情況下，均在 800 V、漏極/拉電流 10 A、環(huán)境溫度 150 °C 和最佳柵極-發(fā)射極閾值電壓下進(jìn)行測(cè)試（圖
2023-02-22 16:34:53
的距離任一柵極回路電感都會(huì)與輸入電容產(chǎn)生諧振，并產(chǎn)生柵極-源極電壓振蕩，從而導(dǎo)致漏極-源極電壓振鈴。將柵極驅(qū)動(dòng)放置在緊鄰 SiC MOSFET 的位置，以最小的走線長(zhǎng)度將柵極回路電感降至最低。此外，這種
2022-03-24 18:03:24
兩層電源板，板子設(shè)計(jì)中有4個(gè)MOSFET管串聯(lián)，由于只有兩層，四個(gè)MOSFET管的3個(gè)源級(jí)要過(guò)大電流，所以用銅連接在一起；四個(gè)MOSFET管柵極串聯(lián)的線走在器件源級(jí)和漏極之間（請(qǐng)看圖片），不知道這樣的柵極走線會(huì)不會(huì)受影響？
2018-07-24 16:19:28
Q1的柵極、源極間電阻R1并聯(lián)追加電容器C2， 并緩慢降低Q1的柵極電壓，可以緩慢地使RDS(on)變小，從而可以抑制浪涌電流。■負(fù)載開(kāi)關(guān)等效電路圖關(guān)于Nch MOSFET負(fù)載開(kāi)關(guān)ON時(shí)的浪涌電流應(yīng)對(duì)
2019-07-23 01:13:34
IGBT/功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2018-10-25 10:22:56
Sanket Sapre摘要IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)
2018-11-01 11:35:35
極之間連接幾nF的電容。如果希望進(jìn)一步了解詳細(xì)信息，請(qǐng)參考應(yīng)用指南中的“SiC-MOSFET 柵極-源極電壓的浪涌抑制方法”。接下來(lái)是關(guān)斷時(shí)的波形。可以看出，TO-247N封裝產(chǎn)品（淺藍(lán)色實(shí)線
2022-06-17 16:06:12
。
圖中的波形從上往下依次為柵極電壓Vgs、漏源電壓Vds和漏源電流Ids。在測(cè)試過(guò)程中，SiC MOSFET 具有極快的開(kāi)關(guān)速度，可在十幾納秒內(nèi)完成開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換。然而，由于高速開(kāi)關(guān)過(guò)程中產(chǎn)生的電磁干擾（EMI
2025-04-08 16:00:57
雷擊和電壓浪涌產(chǎn)生及危害
電壓浪涌是指電子系統(tǒng)額定工作電壓瞬時(shí)升高，其幅度達(dá)到額定工作電壓的幾倍～幾百倍。電壓浪涌可能引起通信系統(tǒng)的數(shù)據(jù)
2010-05-15 15:01:29
35 浪涌電壓抑制器及其應(yīng)用
1浪涌電壓
電路在遭雷擊和在接通、斷開(kāi)電感負(fù)載或大型負(fù)載時(shí)常常會(huì)產(chǎn)生很高的操作過(guò)電壓，這種瞬時(shí)過(guò)電壓（或過(guò)電流）
2009-07-09 14:59:522651 
繼電器線圈浪涌電壓抑制
繼電器線圈在注入能量以后，在開(kāi)關(guān)斷開(kāi)的一瞬間，會(huì)產(chǎn)生一個(gè)巨大的直流浪涌電壓，這個(gè)電壓在高邊開(kāi)關(guān)的時(shí)候是負(fù)電
2009-11-21 14:24:046811 本文對(duì)微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對(duì)電機(jī)的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理
2011-08-04 15:20:055246 密集的、連續(xù)存在的、很窄的尖峰電壓。 本文對(duì)微浪涌電壓的發(fā)生機(jī)理及其對(duì)電機(jī)的影響作了分析，介紹了抑制微浪涌電壓的技術(shù)，以及最近出現(xiàn)的衰減微浪涌電壓的產(chǎn)品和采用細(xì)線徑傳輸為特征的微浪涌抑制組件的工作原理等。
2017-11-13 16:36:155 浪涌也叫突波，就是超出正常電壓的瞬間過(guò)電壓，一般指電網(wǎng)中出現(xiàn)的短時(shí)間象“浪”一樣的高電壓引起的大電流。從本質(zhì)上講，浪涌就是發(fā)生在僅僅百萬(wàn)上之一秒內(nèi)的一種劇烈脈沖。浪涌電壓的產(chǎn)生原因有兩個(gè)，一個(gè)是雷電，另一個(gè)是電網(wǎng)上的大型負(fù)荷接通或斷開(kāi)（包括補(bǔ)償電容的投切）時(shí)產(chǎn)生的。
2018-01-11 11:09:3237236 
凌力爾特的浪涌抑制器產(chǎn)品通過(guò)采用 MOSFET 以隔離高電壓輸入浪涌和尖峰。
2018-06-28 10:15:006161 
FET通過(guò)影響導(dǎo)電溝道的尺寸和形狀，控制從源到漏的電子流（或者空穴流）。溝道是由（是否）加在柵極和源極的電壓而創(chuàng)造和影響的（為了討論的簡(jiǎn)便，這默認(rèn)體和源極是相連的）。導(dǎo)電溝道是從源極到漏極的電子流。
2019-07-12 17:50:3313651 
摘要
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其它系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為
2021-01-28 08:13:3821 中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。關(guān)于柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明。
2021-06-12 17:12:003577 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。 在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。 什么是柵極－源極電壓產(chǎn)生的
2021-06-10 16:11:442954 具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247-4L和TO-263-7L封裝SiC MOSFET，與不具有驅(qū)動(dòng)器源極引腳的TO-247N封裝SiC MOSFET產(chǎn)品相比，SiC MOSFET柵-源電壓的行為不同。
2022-06-08 14:49:534312 SiC MOSFET具有出色的開(kāi)關(guān)特性，但由于其開(kāi)關(guān)過(guò)程中電壓和電流變化非常大，因此如Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作-前言”中介紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。
2022-09-14 14:28:531289 在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。
2022-09-17 10:02:421967 
在 MOSFET 的柵極和源極之間添加一個(gè)外部齊納二極管，可以有效防止發(fā)生靜電放電和柵極尖峰電壓。但要注意，齊納二極管的電容可能有輕微的不良影響。
2023-01-02 06:54:001764 IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制器件，用作電源電路和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器等系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)設(shè)備的電氣隔離控制端子。 MOSFET的其他端子是源極和漏極，對(duì)于IGBT，它們被稱(chēng)為集電極
2023-01-30 17:17:122922 
從本文開(kāi)始，我們將進(jìn)入SiC功率元器件基礎(chǔ)知識(shí)應(yīng)用篇的第一彈“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”。前言：MOSFET和IGBT等電源開(kāi)關(guān)元器件被廣泛應(yīng)用于各種電源應(yīng)用和電源線路中。
2023-02-08 13:43:22877 
在探討“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中Gate-Source電壓的動(dòng)作”時(shí)，本文先對(duì)SiC MOSFET的橋式結(jié)構(gòu)和工作進(jìn)行介紹，這也是這個(gè)主題的前提。
2023-02-08 13:43:23971 
本文將針對(duì)上一篇文章中介紹過(guò)的SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路及其導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:231302 
在上一篇文章中，對(duì)SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)的柵極驅(qū)動(dòng)電路的導(dǎo)通(Turn-on)/關(guān)斷( Turn-off)動(dòng)作進(jìn)行了解說(shuō)。
2023-02-08 13:43:23780 
上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC MOSFET橋式結(jié)構(gòu)中柵極驅(qū)動(dòng)電路的開(kāi)關(guān)工作帶來(lái)的VDS和ID的變化所產(chǎn)生的電流和電壓情況。本文將詳細(xì)介紹SiC MOSFET在LS導(dǎo)通時(shí)的動(dòng)作情況。
2023-02-08 13:43:231106 
上一篇文章中介紹了LS開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作。本文將繼續(xù)介紹LS關(guān)斷時(shí)的動(dòng)作情況。低邊開(kāi)關(guān)關(guān)斷時(shí)的柵極 – 源極間電壓的動(dòng)作：下面是表示LS MOSFET關(guān)斷時(shí)的電流動(dòng)作的等效電路和波形示意圖。
2023-02-08 13:43:231163 
在上一篇文章中，簡(jiǎn)單介紹了SiC功率元器件中柵極-源極電壓中產(chǎn)生的浪涌。從本文開(kāi)始，將介紹針對(duì)所產(chǎn)生的SiC功率元器件中浪涌的對(duì)策。本文先介紹浪涌抑制電路。
2023-02-09 10:19:151757 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過(guò)采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來(lái)防止LS導(dǎo)通時(shí)的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動(dòng)IC沒(méi)有驅(qū)動(dòng)米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過(guò)米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過(guò)增加誤導(dǎo)通抑制電容器來(lái)處理。
2023-02-09 10:19:151943 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過(guò)采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來(lái)防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時(shí)，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對(duì)策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:161830 
關(guān)于SiC功率元器件中柵極－源極間電壓產(chǎn)生的浪涌，在之前發(fā)布的Tech Web基礎(chǔ)知識(shí) SiC功率元器件 應(yīng)用篇的“SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作”中已進(jìn)行了詳細(xì)說(shuō)明，如果需要了解,請(qǐng)參閱這篇文章。
2023-02-09 10:19:171679 
在N溝道MOSFET中，源極為P型區(qū)域，而在P溝道MOSFET中，源極為N型區(qū)域。在MOSFET的工作中，源極是控制柵極電場(chǎng)的參考點(diǎn)，它是連接到源極-漏極之間的電路，電流會(huì)從源極流入器件。通過(guò)改變柵極和源極之間的電壓，可以控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。
2023-02-21 17:52:553591 使用評(píng)估電路來(lái)確認(rèn)柵極電壓升高的抑制效果。下面是柵極驅(qū)動(dòng)電路示例，柵極驅(qū)動(dòng)L為負(fù)電壓驅(qū)動(dòng)。CN1和CN4的+18V、CN3和CN6的-3V為驅(qū)動(dòng)器的電源。電路中增加了CGS和米勒鉗位MOSFET，使包括柵極電阻在內(nèi)均可調(diào)整。將該柵極驅(qū)動(dòng)器與全SiC功率模塊的柵極和源極連接，來(lái)確認(rèn)柵極電壓的升高情況。
2023-02-27 11:50:441620 
忽略SiC MOSFET本身的封裝電感和外圍電路的布線電感的影響。特別是柵極-源極間電壓，當(dāng)SiC MOSFET本身的電壓和電流發(fā)生變化時(shí)，可能會(huì)發(fā)生意想不到的正浪涌或負(fù)浪涌，需要對(duì)此采取對(duì)策。在本文中，我們將對(duì)相應(yīng)的對(duì)策進(jìn)行探討。
2023-02-28 11:36:501615 
下圖顯示了同步升壓電路中LS導(dǎo)通時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（II），即HS（非開(kāi)關(guān)側(cè)）的VGS的正浪涌，正如在上一篇文章的表格中所總結(jié)的，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或誤導(dǎo)通抑制電容器C1是很有效的方法（參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:40:19566 
下圖顯示了同步升壓電路中LS關(guān)斷時(shí)柵極－源極電壓的行為，該圖在之前的文章中也使用過(guò)。要想抑制事件（IV），即HS（非開(kāi)關(guān)側(cè)）的VGS的負(fù)浪涌，采用浪涌抑制電路的米勒鉗位用MOSFET Q2、或鉗位用SBD（肖特基勢(shì)壘二極管）D3是很有效的方法（參見(jiàn)下面的驗(yàn)證電路）。
2023-02-28 11:41:231353 
紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-04-06 09:11:461833 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對(duì)策、負(fù)電壓浪涌對(duì)策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:022133 紹的需要準(zhǔn)確測(cè)量柵極和源極之間產(chǎn)生的浪涌。在這里，將為大家介紹在測(cè)量柵極和源極之間的電壓時(shí)需要注意的事項(xiàng)。我們將以SiC MOSFET為例進(jìn)行講解，其實(shí)所講解的內(nèi)容也適用于一般的MOSFET和IGBT等各種功率元器件，盡情參考。
2023-05-08 11:23:141571 功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和其他系統(tǒng)中的開(kāi)關(guān)元件。柵極是每個(gè)器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
為了操作 MOSFET，通常須將一個(gè)電壓施加于柵極（相對(duì)于源極或發(fā)射極）。使用專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅(qū)動(dòng)電流。
2023-05-17 10:21:392544 
緩沖電路來(lái)降低線路電感，這是非常重要的。 首先，為您介紹 SiC MOSFET 功率轉(zhuǎn)換電路中，發(fā)生在漏極和源極之間的浪涌。 ·? 漏極和源極之間產(chǎn)生的浪涌 ·?緩沖電路的種類(lèi)和選擇 ·?C緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?RC緩沖電路的設(shè)計(jì) ·?放電型RCD緩沖電路的設(shè)計(jì)
2023-06-21 08:35:021467 
開(kāi)關(guān)導(dǎo)通時(shí)，線路和電路板版圖的電感之中會(huì)直接積蓄電能（電流能量）。當(dāng)該能量與開(kāi)關(guān)器件的寄生電容發(fā)生諧振時(shí)，就會(huì)在漏極和源極之間產(chǎn)生浪涌。下面將利用圖1來(lái)說(shuō)明發(fā)生浪涌時(shí)的振鈴電流的路徑。這是一個(gè)橋式
2023-06-29 15:22:022215 
與傳統(tǒng)的雙極結(jié)晶體管（BJT）相比，它提供了高輸入阻抗、低輸出阻抗，并且更容易控制。 MOSFET有三個(gè)端子；漏極、源極和柵極。源極端子是MOSFET的公共端子，并用作其他兩個(gè)端子的參考電壓。漏極端子連接到MOSFET電路的輸出，而柵極端子控制MOSFET的電流。 在
2023-08-25 14:49:588284 如何消除或抑制浪涌電流？抑制浪涌電流的方法有哪些？ 浪涌電流是指電流在電路中突然變化，導(dǎo)致電壓急劇變化。這種電流會(huì)破壞電子設(shè)備并對(duì)設(shè)備產(chǎn)生不可逆的影響。因此，消除浪涌電流和抑制浪涌電流的方法是非
2023-09-04 17:48:1112910 是兩個(gè)重要的參數(shù)，它們對(duì)電流的影響非常顯著。 首先，我們來(lái)討論MOSFET柵極電路電壓對(duì)電流的影響。在MOSFET中，柵極電路的電壓控制著源極和漏極之間的電流流動(dòng)。當(dāng)柵極電路的電壓為零時(shí)，MOSFET處于關(guān)閉狀態(tài)，即沒(méi)有電流通過(guò)MOSFET。當(dāng)柵極電路的電壓為正時(shí)，會(huì)形成一
2023-10-22 15:18:123845 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個(gè)PN
2023-11-21 16:00:4525005 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：關(guān)斷時(shí)
2023-12-05 14:46:221105 
橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時(shí)
2023-12-05 16:35:571015 
SiC MOSFET：橋式結(jié)構(gòu)中柵極－源極間電壓的動(dòng)作
2023-12-07 14:34:171189 
N溝道場(chǎng)效應(yīng)管柵極（G極）電壓是否可以大于漏極（D極）電壓？ 大部分情況下，場(chǎng)效應(yīng)管的柵極電壓（G極）不會(huì)大于漏極電壓（D極）。這是因?yàn)閳?chǎng)效應(yīng)管的工作原理是通過(guò)改變柵極與漏極之間的電場(chǎng)來(lái)控制漏極電流
2023-11-23 09:13:453096 MOS芯片是一種常見(jiàn)的電子器件，其中MOS管（MOSFET）是一種常用的三端器件，包括源極（Source）、漏極（Drain）和柵極（Gate）。了解MOS管的源極、漏極和柵極的位置以及如何判斷它們
2024-01-10 15:34:2510151 由于這種開(kāi)關(guān)工作，受開(kāi)關(guān)側(cè)LS電壓和電流變化的影響，不僅在開(kāi)關(guān)側(cè)的LS產(chǎn)生浪涌，還會(huì)在同步側(cè)的HS產(chǎn)生浪涌。
2024-01-24 14:10:331392 
如何抑制電源轉(zhuǎn)換器中的浪涌電壓？ 電源轉(zhuǎn)換器是電子設(shè)備中常見(jiàn)的組件，其主要功能是將電源輸入轉(zhuǎn)換成穩(wěn)定的輸出電壓和電流。然而，在電源轉(zhuǎn)換過(guò)程中，常常會(huì)產(chǎn)生浪涌電壓，這可能對(duì)電子設(shè)備及其周?chē)碾娐?b class="flag-6" style="color: red">產(chǎn)生
2024-02-04 09:17:002052 MOSFET的柵源振蕩究竟是怎么來(lái)的呢？柵源振蕩的危害什么？如何抑制或緩解柵源振蕩的現(xiàn)象呢？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）的柵源振蕩是指在工作過(guò)程中，出現(xiàn)的柵極與源極之間產(chǎn)生
2024-03-27 15:33:283305 阻和快速開(kāi)關(guān)速度等特點(diǎn)。它由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極通過(guò)控制柵極電壓來(lái)控制源極和漏極之間的電流流動(dòng)。 MOS驅(qū)動(dòng)芯片
2024-07-14 10:56:431858 的基本結(jié)構(gòu)和工作原理 MOSFET由源極（Source）、漏極（Drain）、柵極（Gate）和襯底（Substrate）四個(gè)部分組成。柵極與襯底之間有一層絕緣的氧化物層，稱(chēng)為柵氧化物。當(dāng)柵極電壓（Vg）高于閾值電壓（Vth）時(shí)，柵氧化物下方的襯底表面形成導(dǎo)電溝道，實(shí)現(xiàn)源極和漏極之間的導(dǎo)通。
2024-08-01 09:19:552997 一、柵極驅(qū)動(dòng)IC與源極的區(qū)別 柵極驅(qū)動(dòng)IC和源極在電子器件中扮演著不同的角色，它們的主要區(qū)別體現(xiàn)在功能和位置上。 功能差異 ： 柵極驅(qū)動(dòng)IC ：柵極驅(qū)動(dòng)IC是一種專(zhuān)門(mén)用于驅(qū)動(dòng)MOSFET（金屬氧化物
2024-10-07 16:20:002470 柵極驅(qū)動(dòng)IC（Gate Driver IC）和源極（Source）是兩個(gè)在電子和電力電子領(lǐng)域中常見(jiàn)的概念，它們?cè)诠δ芎蛻?yīng)用上有著明顯的區(qū)別。 柵極驅(qū)動(dòng)IC（Gate Driver IC） 定義與功能
2024-09-18 09:45:162601 MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種廣泛使用的半導(dǎo)體器件，它在電子電路中扮演著開(kāi)關(guān)和放大器的角色。MOSFET由四個(gè)主要部分組成：源極（Source）、漏極（Drain）、柵極
2024-09-18 09:58:133292 （plate）和抑制柵極（suppressor grid）。簾柵極是五極管中的一個(gè)重要組成部分，它的作用是減少控制柵極和陽(yáng)極之間的電容效應(yīng)，提高放大器的穩(wěn)定性和頻率響應(yīng)。 在五極管中，簾柵極的電壓高低對(duì)電子管的性能有著顯著的影響。以下是對(duì)簾柵極電壓高低影響的分析： 1. 簾柵極
2024-09-24 14:34:202724 當(dāng)MOS管的源極與柵極意外短接時(shí)，可能導(dǎo)致電路失控，產(chǎn)生電流暴走、靜電隱形殺手等問(wèn)題。因此，必須嚴(yán)格遵守MOS管的操作規(guī)范，避免短接事故的發(fā)生。
2025-06-26 09:14:001936 
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