--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- 封裝 DFN8(3X3)
- 溝道 Single-N
--- 數(shù)據(jù)手冊(cè) ---
--- 產(chǎn)品詳情 ---
### 產(chǎn)品簡(jiǎn)介
**AON7200-VB** 是一款單N溝道MOSFET,采用Trench技術(shù)制造,封裝為DFN8(3X3)。它具有低導(dǎo)通電阻和高電流承載能力,適用于需要高效能和低損耗的功率開關(guān)應(yīng)用。
### 詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明
- **封裝類型**: DFN8(3X3)
- **配置**: 單N溝道
- **漏源電壓 (VDS)**: 30V
- **柵源電壓 (VGS)**: ±20V
- **閾值電壓 (Vth)**: 1.7V
- **導(dǎo)通電阻 (RDS(ON))**:
- 5mΩ @ VGS=4.5V
- 3.9mΩ @ VGS=10V
- **漏極電流 (ID)**: 60A
- **技術(shù)**: Trench

### 應(yīng)用領(lǐng)域及模塊示例
**AON7200-VB** 在多個(gè)領(lǐng)域和模塊中具有廣泛的應(yīng)用,以下是幾個(gè)具體示例:
1. **電源模塊**:
- 在DC-DC轉(zhuǎn)換器和開關(guān)電源中,AON7200-VB 可以用作高效的功率開關(guān)器件,提供穩(wěn)定的電壓轉(zhuǎn)換和電流控制,特別適用于需要高效能的電源管理系統(tǒng)。
2. **電動(dòng)工具**:
- 在電動(dòng)工具的電機(jī)驅(qū)動(dòng)中,AON7200-VB 可以提供高電流承載能力和低損耗的特性,確保工具的高效能和長(zhǎng)時(shí)間使用。
3. **電動(dòng)汽車**:
- 用于電動(dòng)汽車的電機(jī)控制和電源管理系統(tǒng)中,AON7200-VB 的高導(dǎo)通電流和低RDS(ON)特性有助于提高電動(dòng)汽車的動(dòng)力性能和驅(qū)動(dòng)效率。
4. **服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心**:
- 在數(shù)據(jù)中心的功率分配和服務(wù)器電源管理中,AON7200-VB 可以作為關(guān)鍵的功率開關(guān)器件,確保設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行和高效能的數(shù)據(jù)處理能力。
5. **工業(yè)控制**:
- 適用于工業(yè)控制系統(tǒng)中的功率開關(guān)應(yīng)用,AON7200-VB 的高電流承載能力和可靠性,使其成為工業(yè)設(shè)備穩(wěn)定運(yùn)行的重要組成部分。
綜上所述,**AON7200-VB** 是一款性能優(yōu)越的單N溝道MOSFET,適用于電源模塊、電動(dòng)工具、電動(dòng)汽車、服務(wù)器和數(shù)據(jù)中心以及工業(yè)控制等多種高性能電子設(shè)備和系統(tǒng)中使用。
為你推薦
-
P3004BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:51
產(chǎn)品型號(hào):P3004BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P3003BDG-VB一款TO252封裝P-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:48
產(chǎn)品型號(hào):P3003BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-P-Channel VDS:-30V VGS:20(±V) Vth:-1.7V -
P2NK90Z-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:47
產(chǎn)品型號(hào):P2NK90Z-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:900V VGS:30(±V) Vth:3.5V -
P2904BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:44
產(chǎn)品型號(hào):P2904BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804EDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:42
產(chǎn)品型號(hào):P2804EDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2804BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:40
產(chǎn)品型號(hào):P2804BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V -
P2703BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:36
產(chǎn)品型號(hào):P2703BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:30V VGS:20(±V) Vth:1.7V -
P2610BD-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:31
產(chǎn)品型號(hào):P2610BD-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2610ADG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:28
產(chǎn)品型號(hào):P2610ADG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:100V VGS:20(±V) Vth:1.8V -
P2504BDG-VB一款TO252封裝N-Channel場(chǎng)效應(yīng)晶體管2025-10-16 15:25
產(chǎn)品型號(hào):P2504BDG-VB Package:TO252 溝道:Single-N-Channel VDS:40V VGS:20(±V) Vth:2.5V
-
IRF640NPBF的替代VBM1201M以本土化供應(yīng)鏈保障高性價(jià)比功率方案2025-12-01 16:18
在當(dāng)今的電子設(shè)計(jì)與制造領(lǐng)域,供應(yīng)鏈的韌性與元器件的成本效益已成為關(guān)乎企業(yè)核心競(jìng)爭(zhēng)力的關(guān)鍵因素。尋找一個(gè)性能相當(dāng)、甚至更優(yōu),同時(shí)兼具供應(yīng)穩(wěn)定與成本優(yōu)勢(shì)的國(guó)產(chǎn)替代器件,不再是簡(jiǎn)單的備選方案,而是演進(jìn)為一項(xiàng)至關(guān)重要的戰(zhàn)略決策。當(dāng)我們聚焦于應(yīng)用廣泛的N溝道功率MOSFET——英飛凌的IRF640NPBF時(shí),微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBM1201M脫穎而出,它 -
VBE2610N:重塑P溝道功率方案,以本土化供應(yīng)鏈實(shí)現(xiàn)高性價(jià)比替代IRFR9024NTRPBF2025-12-01 15:12
在追求供應(yīng)鏈自主可控與極致成本效益的今天,為經(jīng)典器件尋找一個(gè)性能更強(qiáng)、供應(yīng)更穩(wěn)、價(jià)值更高的國(guó)產(chǎn)替代方案,已成為驅(qū)動(dòng)產(chǎn)品創(chuàng)新與保障交付安全的核心戰(zhàn)略。面對(duì)英飛凌經(jīng)典的P溝道功率MOSFET——IRFR9024NTRPBF,微碧半導(dǎo)體(VBsemi)推出的VBE2610N提供了并非簡(jiǎn)單的引腳兼容替代,而是一次從基礎(chǔ)參數(shù)到系統(tǒng)效能的全面價(jià)值躍升。從參數(shù)對(duì)標(biāo)到性能飛