溫敏二極管工作原理
2009-09-19 18:04:03
8171 溫敏二極管應用電路
本文 所示電路是由溫敏二極管組成的測溫元件的數字式溫度計電路。它主要由A/ID 轉換器7107 、運算放大器LM324 、3 .5位LED 顯示電路以及溫敏二
2009-09-19 18:04:503561 溫敏Z-元件在氣象領域應用于溫度檢測的分析
本文介紹了溫敏Z－元件的參數性能、特點以及使用方法。為適應氣象行業的特殊要求，對一種微型高精度
2010-05-06 15:42:472830 
穩壓器調整端增加簡單電路控制輸出電壓的 dV/dt ，限制啟動電流 ,有時，設計約束突出地暴露了平凡器件和電路的不利方面
2011-04-12 19:30:243771 
介紹了如何用英飛凌IPOSIM仿真工具對過載輸出時IGBT模塊結溫進行仿真，以及不同工況下IGBT瞬時結溫的仿真結果。本文可對電動車電機驅動器設計中IGBT輸出限值的動態選取提供參考依據。
2013-07-23 01:05:449769 
IGBT模塊中通常都會在陶瓷基板（DBC）上設有熱敏電阻（NTC或PTC，由于NTC較為常用，以下統稱NTC）用于溫度檢測。在實際應用中，工程師最直接也是最常見的一個問題就是：我檢測到了NTC的溫度，那么IGBT真實的結溫是多少？或者是：IGBT芯片和NTC之間的溫差是多少？
2023-05-05 10:52:144424 
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。
2023-07-07 16:11:3013775 
由于IGBT模塊自身有一定的功耗，IGBT模塊本身會發熱。在一定外殼散熱條件下，功率器件存在一定的溫升（即殼溫與環境溫度的差異）。
2024-03-22 09:58:0859501 
的正偏壓VGE負偏壓-VGE和門極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dv/dt電流等參數有不同程度的影響。門極驅動條件與器件特性的關系見表1。柵極正電壓 的變化
2012-07-25 09:49:08
dv/dt限制，過小的柵極電阻可能會導致震蕩甚至造成IGBT或二極管的損壞。 柵極電阻的大小影響開關速度，即后邊介紹的開通關斷時間，進而影響IGBT的開關損耗，datasheet上驅動電阻對開
2021-02-23 16:33:11
˙dv/dt電流和寄生導通圖2：因C˙dv/dt效應產生穿通電流時的真實開關波形為了防止出現這種現象，可以采用的一種方法是增大IGBT VGEth的閥值。然而，IGBT的Vce(sat)行為與VGEth
2015-12-30 09:27:49
集電極、發射極擊穿或造成柵極、發射極擊穿。IGBT保護方法當過流情況出現時，IGBT必須維持在短路安全工作區內。IGBT承受短路的時間與電源電壓、柵極驅動電壓以及結溫有密切關系。為了防止由于短路故障
2020-09-29 17:08:58
方面，差異性很大的模塊并聯概率是很小的，且IGBT參數之間偏離可以忽略。從均流角度方面，并聯設計好壞對降額起關鍵性的作用，且遠大于IGBT自身參數差異性所引起的問題。因此，并聯應重點考慮如何通過設計確保
2018-12-03 13:50:08
IGBT作為電力電子領域的核心元件之一，其結溫Tj高低，不僅影響IGBT選型與設計，還會影響IGBT可靠性和壽命。因此，如何計算IGBT的結溫Tj，已成為大家普遍關注的焦點。由最基本的計算公式Tj=Ta+Rth(j-a)*Ploss可知，損耗Ploss和熱阻Rth(j-a)是Tj計算的關鍵。
2019-08-13 08:04:18
VCE的 dv/dt造成的電流注到柵極驅動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET 和 IGBT的關斷損耗方面很有優勢。不過
2018-08-27 20:50:45
針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些參數進行探討，如硬開關和軟開關ZVS(零電壓轉換) 拓撲中的開關損耗，并對電路
2021-06-16 09:21:55
米勒電容CRES和關斷VCE的dv/dt造成的電流注到柵極驅動回路中的風險，避免使器件重新偏置為傳導狀態，從而導致多個產生Eoff的開關動作。 ZVS和ZCS拓撲在降低MOSFET和IGBT的關斷
2020-06-28 15:16:35
，即開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對
2018-09-28 14:14:34
是靈敏電流計)，并將電壓刻度標成相應溫度刻度，圖1便成了量程為100℃的溫度計了。由于利用硅或鍺三極管PN結得到的溫度傳感器靈敏度相對較低，必須對變化的電流(電壓)進行放大才能有效顯示。因此，集成溫敏
2021-05-21 07:30:05
主 電 路 的 dv/dt比 正 常 開 關 狀 態 下 大 了 許 多 ， 造 成 了 施 加 于IGBT兩 端 的 電 壓 升 高 很 多 ， 有 時 就 可 能 造 成IGBT的 擊 穿 。（歡迎技術類網站分享轉載，版權所有潮光光耦網，如有轉載謝謝保留潮光光耦網鏈接）
2012-12-12 11:20:44
needed to slew aspecified dv/dt across a given gate capacitance. The IntersilHIP2030 MCT/IGBT Gate
2009-05-12 11:02:59
開關管和整流器。雖然沒有萬全的方案來解決選擇IGBT還是MOSFET的問題，但針對特定SMPS應用中的IGBT 和 MOSFET進行性能比較，確定關鍵參數的范圍還是能起到一定的參考作用。本文將對一些
2017-04-15 15:48:51
關斷時，在IGBT少數載流子BJT中仍存在存儲時間延遲td(off)I。不過，降低Eoff驅動阻抗將會減少米勒電容 (Miller capacitance) CRES和關斷VCE的 dv/dt造成的電流
2019-03-06 06:30:00
三敏元件資料下載內容主要介紹了：溫敏元件的特點及應用光敏元件的特點及應用磁敏元件的特點及應用
2021-04-02 06:01:26
單芯片集成額溫槍的技術參數是什么？單芯片集成額溫槍有哪些優勢？
2021-06-26 06:00:48
印制電路板溫升因素分析熱設計原則元器件的排布要求布線時的要求
2021-02-22 07:36:28
IGT--門極觸發電流 VGT--門極觸發電壓IH--維持電流 dv/dt--斷態電壓臨界上升率di/dt--通態電流臨界上升率 Rthjc--結殼熱阻 VISO--模塊絕緣電壓 Tjm--額定結溫 VDRM--通態重復峰值電壓IRRM--反向重復峰值電流 IF(AV)--正向平均電流
2009-04-02 12:10:16
在開啟時提供此功能。實驗驗證表明，在高負載范圍和低開關速度（《5V/ns）下，SiC-MOSFET或IGBT的電流源驅動與傳統方法相比，導通損耗降低了26%。在電機驅動器等應用中，dv/dt 通常限制為 5V/ns，電流源驅動器可提高效率并提供有前途的解決方案。
2023-02-21 16:36:47
/div）、綠線為VGE （5.0V/div）、藍線為VCE （500V/div），黃線為開關能量。表1根據相關開關參數（dIc/dt、dv/dt、Eoff 和 VCEmax）進行了歸納。 圖4a.
2018-12-06 10:05:40
電路中的參數。 1 柵極電阻和分布參數分析 IGBT在全橋電路工作時的模型如圖1所示。 RG+Rg是IGBT的柵極電阻， L01、L02、L03是雜散電感(分布電感)， Cgc、Cge、Cce
2011-09-08 10:12:26
電動機溫升的定義是：電動機的額定溫升，是指在設計規定的環境溫度(40℃)下，電動機繞組的最高允許溫升，它取決于繞組的絕緣等級。溫升取決于電動機運行中發熱情況和散熱情況。常根據溫升判斷電動機散熱是否正常。那么影響電動機溫升一般有哪些因素呢？小編告訴大家主要有下面2個方面因素：
2021-01-27 06:46:31
），可達到150-180KHz。三．絕緣柵雙極晶體管(IGBT)的參數與特性： （1）轉移特性圖1-10：IGBT的轉移特性這個特性和MOSFET極其類似，反映了管子的控制能力
2009-05-12 20:44:23
問下大家，一般開關的開關速度（dv/dt），與電磁干擾（EMI）有沒有計算關系？還是說一般取經驗值，為什么一般上升速度會做的下降速度慢？
2018-12-17 11:29:58
關于限制穩壓器啟動時dV/dt和電容的電路的詳細介紹
2021-04-12 06:21:56
頻譜測量提示波形參數dt小于等于0錯誤，怎么解決？
2017-05-21 10:54:55
額溫槍方案有哪些優勢？額溫槍具有哪些技術參數？
2021-06-10 14:38:53
切換參數下的切換損耗。于開通及關斷時分別達到di/dt=1.5千安培(kA)/微秒(μs)和dv/dt=4.5千伏特(kV)/μs的條件設定RG。HS3 IGBT具有最低的切換損耗EON及EOFF，且
2018-10-10 16:55:17
Analysis of dv/dt Induced Spurious Turn-on of MOSFET:Power MOSFET is the key semiconductor
2009-11-26 11:17:32
10 Analysis of dv_dt Induced Spurious Turn-on of Mosfet:對高頻的DC-DC轉換器,功率MOSFET是一個關鍵的器件.快速的開關可以降低開關LOSS, 但是在MOS漏級上dv/dt也變得越來越高.然而,高的dv/dt可能導致在
2009-11-28 11:26:1543 單正向柵驅動IGBT簡化驅動電路設計方案
目前，為了防止高dV/dt應用于橋式電路中的IGBT時產生瞬時集電極電流，設計人員一般會設計柵特性是需要負偏置柵驅動
2010-03-19 11:58:0641 摘 要:溫敏鐵氧體是近10多年來才發展起來的具有較低居里溫度的軟磁鐵氧體材料,可用來制作各種控溫靈敏的磁性溫敏傳感器。本文通過研究溫敏鐵氧體的材料組成與居里溫度的關
2010-11-30 13:46:1265
溫敏二極管動態測溫電路
2009-02-19 22:32:154442 
溫敏二極管電橋電路圖
2009-06-06 09:56:581308 
溫敏晶閘管電動機過熱保護電路圖
2009-06-06 09:57:40715 
溫敏二極管的特性
通過對半導體二極管的分析可知，在一定偏置電流下，半導體二極管PN 結的壓降是溫度的函數，這個函數的曲線近似為直線。用于測溫的溫敏二極管
2009-09-19 18:04:194548 2CWM 、JCWM 型溫敏二極管
2CWM 、JCWM 型溫敏二極管的主要特性參數見表 ，其外形尺寸見圖 。
2009-09-19 18:04:342060 濕敏元件的主要特性參數
本文章介紹濕敏元件的12種主要特性參數。
⑴濕度特性:指濕敏元件電參量隨濕度
2009-11-30 08:46:291381 硅濕敏電阻器的結構及特點有哪些?
硅濕敏電阻器是由硅粉摻人少量金屬氧化物燒結而成的，具有電阻值隨大氣相對溫
2009-11-30 09:31:431018 力敏電阻主要參數有哪些?
力敏電阻器的主要參數有溫度系數、靈敏度系數、靈敏度溫度系數和溫度零點漂移。
①溫度系數：力敏電阻
2009-12-04 13:57:024069 高分子電容型溫敏元件的應用電路如圖所示。它由兩個時基電路IC1、IC2組成。IC1及外圍元件組成多諧振蕩器，主要產生觸發IC2的脈沖。IC2和電容型濕敏元件及外圍元件組成可
2010-11-18 17:43:201451 常用的溫控器件有熱敏電阻、雙金屬片和溫敏 磁控開關 。溫敏磁控開關動作精度可達1℃，滯后溫度可1℃, 所以其控溫精度遠高于雙金屬片（動作精度5℃，滯后溫度最好5℃左右），而
2011-06-27 10:22:4743 電子發燒友網站提供《IGBT和IPM及其應用電路_周志敏/周紀海/紀愛華 著.txt》資料免費下載
2015-05-29 10:32:060 本文根據IGBT的短路特性和大功率IGBT模塊的結構特點設計了一種新型大功率IGBT模塊的短路檢測電路，采用兩級di/dt檢測IGBT兩類短路狀態的實用方法。
2016-08-17 15:19:156267 
Si827x數據表：具有高瞬態(dV-dt)抗擾度的4種放大器ISOdriver
2016-12-25 21:33:110 溫敏磁控開關材料要求
2016-12-23 02:03:121 導電橡膠復合材料溫敏特性研究_仉月仙
2017-03-19 19:03:460 IGBT等功率器件的技巧。 1、如何避免米勒效應？ IGBT操作時所面臨的問題之一是米勒效應的寄生電容。這種效果是明顯的在0到15V類型的門極驅動器（單電源驅動器）。門集-電極之間的耦合，在于IGBT關斷期間，高dV/dt瞬態可誘導寄生IGBT道通（門集電壓尖峰），這是潛在的危險。 當上半橋的I
2017-10-26 16:52:4614 大功率變流器正在被越來越廣泛的應用，其所使用的igbt越來越短的開關時間導致了過高的dv/dt和di/dt，這就導致了分布雜散電感對功率器件關斷特性有更重要的影響。疊層母排技術可以有效抑制igbt的過電壓尖峰。
2017-12-03 10:15:022646 
的重要因素。基于壓接式IGBT模塊雙脈沖測試平臺，介紹一種基于關斷電流最大變化率的壓接式IGBT模塊結溫提取方法，分析壓接式IGBT芯片結溫和模塊關斷電流最大變化率間單調變化關系，并利用壓接式IGBT模塊封裝結構固有的寄生電感有效獲取關斷電流最大
2018-02-01 10:20:499 由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實現了對IGBT開通時柵極電流的調控，IGBT開通時di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5013993 
米勒效應在單電源門極驅動過程中非常顯著。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關斷期間會產生一個很高的瞬態dv/dt，這樣會引發門極VGE間電壓升高而導通，這里存在著潛在的風險。
2019-02-04 11:17:0040609 
柵極電路的正偏壓VGE、負偏壓-VGE和柵極電阻RG的大小，對IGBT的通態壓降、開關時間、開關損耗、承受短路能力以及dV/dt電流等參數有不同程度的影響。
2020-06-18 08:00:0043 英飛凌電流源型驅動芯片，一種非常適合電機驅動方案的產品，將同時實現高效率和低EMI成為可能。它是基于英飛凌無核變壓器技術平臺的隔離式驅動芯片，能精準地實時控制開通時的dv/dt。下面我們來仔細看看它到底有什么與眾不同之處。
2020-07-07 17:20:073949 TRENCHSTOP IGBT7器件具有優異的可控性和卓越的抗電磁干擾性能。它很容易通過調整來達到特定于應用的最佳dv/dt和開關損耗。
2020-09-29 11:43:233011 由于 IGBT反并聯SiC 肖特基勢壘二極管，在 dv/dt 和 di/dt 值幾乎不變下，CoolSiC? Hybrid IGBT能大幅降低開關損耗。
2021-02-23 10:23:022050 高共模噪聲是汽車系統設計人員在設計實用而可靠的動力總成驅動系統時必須克服的一個重大問題。當高壓逆變電源和其他電源進行高頻切換時，共模噪聲（又稱 dV/dt 噪聲）便在系統內自然生成。本文將討論混合動力系統驅動器內各種 dV/dt 噪聲的來源，并提出一些方法來盡量減少噪聲對驅動電子設備的影響。
2021-03-15 15:16:275074 
電子發燒友網為你提供為什么不同輸入電壓，功率MOSFET關斷dV/dT也會不同呢？資料下載的電子資料下載，更有其他相關的電路圖、源代碼、課件教程、中文資料、英文資料、參考設計、用戶指南、解決方案等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2021-04-20 08:46:2512 IGBT4與IGBT7的結溫對比。實驗結果表明，在連續大功率負載工況與慣量盤負載工況的對比測試中，IGBT7的結溫均低于IGBT4。 伺服驅動系統響應速度快，過載倍數高，小型化和高功率密度的趨勢更是對功率器件提出了更苛刻的要求。英飛凌明星產品IGBT7憑借超低導通壓降、dv/dt可控、175℃過載結溫
2021-10-26 15:41:193924 
Du/Dt濾波器又名“Du/Dt濾波器”、“Dv/Dt濾波器”、“Dv/Dt電抗器”等，一般是安裝在變頻器的逆變側，用來抑制變頻器逆變側的Du/Dt，保護電動機，同時，還能夠延長變頻器的有效傳輸距離至≤500米，但其無法改變變頻器逆變側的電壓波形。
2021-12-20 10:19:548726 dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2022-03-29 17:53:226244 
首先，讓我們先來看一下SiC MOSFET開關暫態的幾個關鍵參數，圖片來源于Cree官網SiC MOS功率模塊的datasheet。開通暫態的幾個關鍵參數包括：開通時間ton、開通延遲時間td(on)、開通電流上升率di/dton、開通電壓下降率dv/dton，電流上升時間tr
2022-04-27 15:10:219701 使用寬帶隙 （WBG） 器件設計電子轉換器確實存在與高 dv/dt 瞬態相關的挑戰，因為它們通常會導致有源和無源元件中的寄生參數。WBG 器件的 dv/dt 比硅基 IGBT 大，眾所周知，硅基
2022-07-26 08:02:531884 
在電動機控制等部分應用中，放緩開關期間的dV/dt非常重要。速度過快會導致電動機上出現電壓峰值，從而損壞繞組絕緣層，進而縮短電動機壽命。
2022-12-19 09:38:493398 電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-01-16 11:23:372337 
封裝的集成三相整流與逆變單元PIM（功率集成模塊） IGBT模塊，采用TRENCHSTOP IGBT7、第七代發射極控制二極管和PressFIT壓接技術,模塊內集成有NTC。 產品特性 低通態電壓VCE（sat）和Vf 過載時Tvjop=175°C 增強dv/dt可控性 基于dv/dt =5kV/ μ s，
2023-01-29 19:00:042142 IGBT是一個受門極電壓控制開關的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。
2023-02-07 16:17:444335 
MOSFET的失效機理本文的關鍵要點?dV/dt失效是MOSFET關斷時流經寄生電容Cds的充電電流流過基極電阻RB，使寄生雙極晶體管導通而引起短路從而造成失效的現象。
2023-02-13 09:30:081973 
電源上的高 dV/dt 上升時間會導致下游組件出現問題。在具有大電流輸出驅動器的24V供電工業和汽車系統中尤其如此。該設計思想描述了如何控制上升時間，同時限制通過控制FET的功率損耗。
2023-02-13 10:49:011641 
di/dt水平過高是晶閘管故障的主要原因之一。發生這種情況時，施加到半導體器件上的應力會大大超過額定值并損壞功率元件。在這篇新的博客文章中，我們將解釋dv/dt和di/dt值的重要性，以及為什么在為您的應用選擇固態繼電器之前需要考慮它們。
2023-02-20 17:06:5712320 
IGBT結溫估算
2023-02-23 09:23:1410 IGBT結溫估算模型。
2023-02-24 10:48:429 前邊介紹了IGBT/Diode損耗的計算，那么得到了損耗之后，如何轉化為溫升呢？
2023-05-26 11:24:313562 
的器件，只有門極電壓超過閾值才能開通。工作時常被看成一個高速開關，在實際使用中會產生很高的電壓變化dv/dt和電流變化di/dt。電壓變化Dv/dt通過米勒電容CCG
2022-05-19 16:36:442341 
９.３.４dv/dt觸發９.３晶閘管第９章雙極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說明2、國產
2022-03-29 10:35:54682 
///在IGBT應用中，結溫是經常使用的一個參數，大部分讀者應該都很熟悉這個概念，但是這和元宇宙有什么關系呢？我想先請大家考慮一個問題：IGBT結溫到底是指具體哪兒的溫度？。。。你們是不是已經開始
2022-05-24 15:05:136571 ①靜態dV/dt：會引起MOSFET柵極電壓變化，導致錯誤開通。在柵源間并聯電阻，可防止誤開通。
2023-07-14 14:39:262866 
IGBT模塊動態參數是評估IGBT模塊開關性能如開關頻率、開關損耗、死區時間、驅動功率等的重要依據，本文重點討論以下動態參數：模塊內部柵極電阻、外部柵極電阻、外部柵極電容、IGBT寄生電容參數、柵極充電電荷、IGBT開關時間參數，結合IGBT模塊靜態參數可全面評估IGBT芯片的性能。
2023-07-28 10:19:5411862 
IGBT結溫是功率電子器件最重要的參數之一，器件在運行中測量此溫度是非常困難的。一個方法是通過使用IGBT模塊內部的NTC(熱敏電阻)近似估計芯片穩定工作狀態的溫度，此方法不適用與測量快速變化的IGBT溫度。
2023-08-11 09:03:223813 
IGBT是如今被廣泛應用的一款新型復合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態測試參數是IGBT模塊測試一項重要內容，IGBT動態測試參數是評估IGBT模塊開關性能的重要依據。其動態測試參數主要有：主要參數有開關參數、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。
2023-10-09 15:14:353766 
。它的柵極驅動條件對其特性有很大的影響。 首先，讓我們探討一下什么是IGBT的柵極驅動條件。柵極驅動是指將信號應用于IGBT的柵極，以使其完全開啟或關閉。柵極驅動條件包括信號幅度、頻率、上升時間、下降時間等因素。下面將會詳細闡述每個因素的影響。
2023-10-19 17:08:141900 IGBT動態測試參數有哪些？ IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一種重要的功率半導體器件，廣泛應用于各種高能效的電力電子設備中。為了保證IGBT的可靠性
2023-11-10 15:33:513139 IGBT（絕緣柵雙極型晶體管）功率模塊作為電力電子系統中的核心部件，其散熱問題直接影響到系統的穩定性、可靠性和效率。以下是對IGBT功率模塊散熱問題的詳細分析，包括散熱機制、影響因素、散熱方法及優化策略等。
2024-07-26 17:24:422562 IGBT（絕緣柵雙極晶體管）是一種廣泛應用于電力電子領域的半導體器件，具有高輸入阻抗、低導通壓降、快速開關速度等特點。在IGBT的應用過程中，VCE（集電極-發射極電壓）和結溫是兩個非常重要的參數
2024-08-08 09:13:354325 。這個參數對于整個電力電子系統的效率和性能至關重要。導通壓降的大小受到多種因素的影響，以下是一些主要因素的分析： IGBT的結構和設計 ： 柵極氧化層厚度 ：柵極氧化層的厚度會影響IGBT的導通壓降。氧化層越薄，導通壓降越低，但同時也可能導致器件的可靠
2024-09-19 14:51:074225 結溫是判定IGBT是否處于安全運行的重要條件，IGBT的工作結溫限制著控制器的最大輸出能力。如果IGBT過熱，可能會導致損壞，影響設備的性能、壽命甚至引發故障。而過熱損壞可能由多種因素導致，如設計因素、復雜工況、高震動、溫度沖擊、硅脂的老化等。
2024-11-13 10:19:422324 
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