IGBT是如今被廣泛應用的一款新型復合電子器件，而IGBT測試也變的尤為重要，其中動態測試參數是IGBT芯片測試一項重要內容，主要參數有開關參數、柵極電阻、柵極電荷、寄生電容等。

IGBT動態測試參數

IGBT動態測試參數是評估IGBT模塊開關性能的重要依據，其動態測試參數主要有：

1. 開通特性

開通時間T(on)：是開通延時時間Td(on)和上升時間Tr之和。

開通延時時間Td(on)：指從柵極電壓正偏壓的10%開始到集電極電流上升至最終值的10%為止的一段時間。

上升時間Tr：開通時，集電極電流上升至10%到集電極電流上升至最終值的90%為止的時間。

開通損耗E(on)：指開通過程中電壓、電流乘積在某一時間段內的積分。

2. 關斷特性

關斷時間T(off)：是關斷延時時間與下降時間之和。

關斷延時時間Td(off)：從柵極電壓下降至其開通值的90%開始到集電極電流下降到開通值的90%為止的一段時間。

下降時間Tf：關斷時，集電極電流從開通值的90%下降到10%之間的時間。

關斷損耗E(off)：關斷過程中電壓、電流乘積在某一時間段內積分。

3. 二極管恢復特性

反向恢復時間Trr：指反并聯二極管的電流從第一次0點到反向最大值再回到0點的這段時間。

反向恢復電流Irr：指反并聯二極管從通態向阻斷轉換的過程中，電流反向達到的最大電流值。

反向恢復di/dt：是反并聯二極管正向電流的50%到第一次降到0點這一段的電流斜率。

反向恢復電荷Qrr：是反并聯二極管的電流從第一次0點到第二次0點這段時間內的電荷量。

4. 柵極電阻

柵極電阻的大小直接影響著開關速度，從而會影響到IGBT芯片的開關損耗。柵極電阻包括：

內部柵極電阻(RGint)：內部柵極電阻是為了實現模塊內部IGBT芯片的均流。它是單獨柵極電阻并聯之后的值。

外部柵極電阻(RGext)：包括開通電阻(Rgon)和關斷電阻(Rgoff)。一般通過不同的充放電回路來設置不同的Rgon和Rgoff。

5. 寄生電容

寄生電容一般是指電感,電阻,芯片引腳等在高頻情況下表現出來的電容特性，它是影響IGBT芯片動態性能的重要因素。

6. 柵極電荷(Qg)

柵極電荷在實際設計中依賴于柵極電壓的擺動幅度。

ATECLOUD-IC電源測試系統方案界面

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審核編輯 黃宇